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Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido
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Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo
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Substrato de Wafer LiTaO3 de 3 a 4 polegadas Duplo ou Single Polished Z-cut X-cut Y-cut Saw grade
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Nilo Substrato Wafer de níquel 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm <100> <110> <111>
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Ni Substrato estrutura cúbica de cristal único < 100> < 110> < 111> a=3,25A pureza 99,99% densidade 8.91
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Mg Substrato Magnésio monocristalino hexagonal 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm Pureza 99,99%
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A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de regulamento que estabeleça as regras de execução do presente regulamento.
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Substrato de cobre Wafer / Substrato de cobre cúbico 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Pureza 99,99%
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Substrato de cobre de cristal único Cu 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A
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Al Substrato de Alumínio de Cristal Único Orientação 111 100 111 5×5×0,5 mm A=4,040Ã
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Espessura personalizada Al Substrato de alumínio de cristal único Pureza 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 mm
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Wafer de sílica fundida JGS1 JGS2 BF33 espessura de 8 polegadas 12 polegadas 750um±25um Ra ≤ 0,5nm TTV ≤ 10um
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Largura de banda do substrato N-InP 02:2Wafer epi de comprimento de onda de.5G de 1270 nm para diodo laser FP
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2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
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N-GaAs Substrato 6 polegadas 350um espessura Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
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