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InAs Substrato 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP polido
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Substrato de arseneto de ínio (InAs) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 |
|---|---|
| Preço: | undetermined |
| Detalhes da embalagem: | plástico espumado+cartão |
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 PCS/semana |
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Informação detalhada |
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| Material: | Indium Arsenide (InAs) | Bandgap: | 0.354 eV (direct bandgap at 300 K) |
|---|---|---|---|
| Electron Mobility: | > 40,000 cm²/V·s (300 K), enabling high-speed electronic devices | Effective Mass: | Electron effective mass: ~0.023 m₀ (free electron mass) |
| Lattice Constant: | 6.058 Å, well-matched with materials like GaSb and InGaAs | Thermal Conductivity: | ~0.27 W/cm·K at 300 K |
| Intrinsic Carrier Concentration: | ~1.5 × 10¹⁶ cm⁻³ at 300 K | Refractive Index: | ~3.51 (at 10 µm wavelength) |
| Destacar: | 5 polegadas INAs Substrato,6 polegadas INAs Substrato,4 polegadas INAs Substrato |
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Descrição de produto
InAs Substrato 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP
Abstrato de substratos de arsenieto de ínio (InAs)
Os substratos de arsênio de ínio (InAs) são essenciais no desenvolvimento de tecnologias avançadas de semicondutores, graças à sua combinação única de propriedades elétricas e ópticas.Como um semicondutor composto III-VO InAs é particularmente apreciado pela sua estreita distância de banda de 0,36 eV à temperatura ambiente, o que lhe permite operar eficazmente no espectro infravermelho.Isto torna o InAs um material ideal para fotodetectores infravermelhosAlém disso, a sua elevada mobilidade electrónica permite o transporte rápido de carga,tornando-se crucial para eletrônicos de alta velocidade, como transistores e circuitos integrados utilizados em sistemas de comunicação e aplicações de alta frequência.
Além disso, o InAs desempenha um papel fundamental no campo emergente das tecnologias quânticas.que são fundamentais para o desenvolvimento de dispositivos quânticos, incluindo qubits para computação quântica e sistemas de comunicação quântica.levando à criação de heterostruturas avançadas para dispositivos optoeletrônicos como diodos laser e diodos emissores de luz.
Propriedades dos substratos de InAs
1- Barranco estreito.
O InAs possui um intervalo de banda direto de 0,354 eV à temperatura ambiente, o que o posiciona como um excelente material para detecção de infravermelho de comprimento de onda longo (LWIR).A sua estreita distância permite uma alta sensibilidade na detecção de fótons de baixa energia, crucial para aplicações em imagens térmicas e espectroscopia.
2Alta Mobilidade Electrônica
Uma das propriedades destacadas do InAs é a sua excepcional mobilidade de elétrons, superior a 40.000 cm2/V•s à temperatura ambiente.Esta elevada mobilidade facilita o desenvolvimento de dispositivos electrónicos de alta velocidade e de baixa potência, tais como transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT) e osciladores de terahertz.
3. Baixa massa efetiva
A baixa massa efetiva de elétrons em InAs leva a uma alta mobilidade do portador e dispersão reduzida, tornando-o ideal para aplicações de alta frequência e estudos de transporte quântico.
4Excelente combinação de grelhas.
Os substratos InAs apresentam uma boa compatibilidade de rede com outros materiais III-V, como o Antimonídeo de Gállio (GaSb) e o Arsenídeo de Gállio de Índio (InGaAs).Esta compatibilidade permite a fabricação de heterostructuras e dispositivos multi-junção, que são cruciais para aplicações optoeletrônicas avançadas.
5Resposta infravermelha forte.
A forte absorção e emissão de InAs no espectro infravermelho tornam-no um material ideal para dispositivos fotônicos como lasers e detectores que operam nas regiões espectrais de 3-5 μm e 8-12 μm.
| Imóveis | Descrição |
|---|---|
| Bandgap | 0.354 eV (bandgap direto a 300 K) |
| Mobilidade dos elétrons | > 40 000 cm2/V·s (300 K), permitindo dispositivos eletrónicos de alta velocidade |
| Massa efetiva | Massa efetiva do elétron: ~ 0,023 m0 (massa do elétron livre) |
| Constante de grelha | 6.058 Å, bem combinado com materiais como GaSb e InGaAs |
| Conductividade térmica | ~ 0,27 W/cm·K a 300 K |
| Concentração intrínseca do transportador | ~1,5 × 1016 cm−3 a 300 K |
| Índice de refração | ~ 3,51 (a um comprimento de onda de 10 μm) |
| Resposta infravermelha | Sensível a comprimentos de onda na faixa de 3 5 μm e 8 12 μm |
| Estrutura cristalina | Blanda de zinco (cubico com o centro da face) |
| Propriedades mecânicas | Fragilidade e requer manuseamento cuidadoso durante o processamento |
| Coeficiente de expansão térmica | ~4,6 × 10−6 /K a 300 K |
| Ponto de fusão | ~ 942 °C |
Fabricação de substratos de InAs
1Crescimento Cristalino.
Os substratos InAs são produzidos principalmente utilizando técnicas como o método Czochralski (CZ) e o método Vertical Gradient Freeze (VGF).Estes métodos garantem cristais individuais de alta qualidade com defeitos mínimos.
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Método Czochralski: Neste processo, um cristal de semente é mergulhado em uma mistura derretida de ínio e arsênico. A semente é lentamente puxada e girada, permitindo que o cristal cresça camada a camada.
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Congelamento do gradiente vertical: Esta técnica consiste em solidificar o material fundido num gradiente térmico controlado, resultando numa estrutura cristalina uniforme com menos deslocamentos.
2Processamento de wafers
Uma vez que o cristal é cultivado, ele é cortado em wafers da espessura desejada usando ferramentas de corte de precisão.essenciais para a fabricação de dispositivosO polimento químico-mecânico (CMP) é frequentemente empregado para remover imperfeições da superfície e melhorar a planície.
3Controle de qualidade
Técnicas avançadas de caracterização, incluindo difração de raios-X (XRD), microscopia de força atómica (AFM) e medições do efeito Hall, são utilizadas para assegurar as características estruturais, elétricas,e qualidade óptica dos substratos.
Aplicações dos substratos INAs
1Detectores de infravermelhos.
Os substratos InAs são amplamente utilizados em fotodetectores infravermelhos, em especial para imagens térmicas e monitorização ambiental.Sua capacidade de detectar luz infravermelha de comprimento de onda longo torna-os indispensáveis para aplicações na defesa, astronomia e inspecção industrial.
2Dispositivos Quânticos
O InAs é um material preferido para dispositivos quânticos devido à sua baixa massa efetiva e alta mobilidade eletrônica.e circuitos fotónicos avançados.
3Eletrónica de Alta Velocidade
A alta mobilidade eletrônica de InAs permite o desenvolvimento de transistores de alta velocidade, incluindo HEMTs e transistores bipolares de heterojunção (HBTs).Estes dispositivos são cruciais para aplicações na comunicação sem fio, sistemas de radar e amplificadores de alta frequência.
4. Optoelectrónica
InAs substratos são utilizados na fabricação de lasers infravermelhos e diodos emissores de luz (LEDs).
5Terahertz Technologies
As propriedades do InAs ′ o tornam adequado para fontes e detectores de radiação de teraherços. As tecnologias de teraherços são cada vez mais usadas em triagem de segurança, testes não destrutivos e imagens biomédicas.
Perguntas e respostas
Q: Quais são as vantagens dos substratos InAs?
A:1Alta sensibilidade: os dispositivos baseados em InAs apresentam uma excelente sensibilidade à luz infravermelha, tornando-os ideais para condições de pouca luz.
2Versatilidade: Os substratos InAs podem ser integrados com vários materiais III-V, permitindo a concepção de dispositivos versáteis e de alto desempenho.
3Escalabilidade: Os avanços nas técnicas de crescimento de cristais tornaram possível a produção de wafers InAs de grande diâmetro, atendendo às demandas da fabricação moderna de semicondutores.
Alguns produtos semelhantes aos substratos de arsenieto de índio (InAs)
1Substratos de arsenieto de gálio (GaAs)
- Propriedades-chave: Intervalo de banda direto (1,42 eV), alta mobilidade eletrônica (~ 8,500 cm2/V·s) e excelente condutividade térmica (~ 0,55 W/cm·K).
- Aplicações: Amplamente utilizado em eletrónica de alta frequência, células solares e optoelectrónica, tais como LEDs e diodos laser.
- Vantagens: Processos de fabrico bem estabelecidos, tornando-o rentável para muitas aplicações.
2Substratos de fosfeto de ínio (InP)
- Propriedades-chave: bandgap direto (1,34 eV), alta mobilidade eletrônica (~ 5.400 cm2/V·s), e excelente correspondência de rede com InGaAs.
- Aplicações: É essencial para dispositivos fotónicos de alta velocidade, sistemas de comunicação óptica e lasers de cascata quântica.
- Vantagens: Alta condutividade térmica e adequação para aplicações de alta potência.
Tag: #InAs Substrate #Substrato de semicondutores