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Wafer SOI P Tipo N Tipo 6 polegadas 8 polegadas 12 polegadas Polish de superfície SSP/DSP
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 |
|---|---|
| Preço: | undetermined |
| Detalhes da embalagem: | plástico espumado+cartão |
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 1000 PCS/semana |
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Informação detalhada |
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| Espessura da camada superior de silício: | 0.1 - 20 μm | Espessura da camada de óxido enterrada: | 0.1 - 3 μm |
|---|---|---|---|
| Tipo da carcaça: | De potência não superior a 1 kVA | Resistividade da camada do dispositivo: | 1 - 10 000Ω·cm |
| Resistividade da camada de óxido: | 1 × 106 a 108Ω·cm | Conductividade térmica: | 1.5 - 3,0 W/m·K |
| Destacar: | Wafer SOI de 8 polegadas,Wafer SOI de 12 polegadas,Wafer SOI de 6 polegadas |
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Descrição de produto
Wafer SOI P Tipo N Tipo 6 polegadas 8 polegadas 12 polegadas Polish de superfície SSP/DSP
Resumo de wafer SOI
O silício no isolante (SOI) é uma tecnologia avançada de semicondutores em que uma fina camada isolante, tipicamente dióxido de silício (SiO2),é inserido entre o substrato de silício e a camada de silício ativoEsta estrutura reduz significativamente a capacitância parasitária, melhora a velocidade de comutação, reduz o consumo de energia e aumenta a resistência à radiação em comparação com a tecnologia tradicional de silício a granel.
SOI significa silicone-on-insulator, ou Silicon On a substrate, que introduz uma camada de óxido enterrado entre a camada superior de silício e o substrato subjacente.
Especificação do IEA
| Conductividade térmica | Relativamente elevada condutividade térmica |
| Espessura da camada ativa | Normalmente varia de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm) |
| Diâmetro da bolacha | 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas |
| Vantagens do processo | Maior desempenho do dispositivo e menor consumo de energia |
| Vantagens de desempenho | Excelentes propriedades eléctricas, reduzidas tamanho do dispositivo, transmissão transversal minimizada entre componentes eletrônicos |
| Resistividade | Normalmente varia de várias centenas a milhares de ohms-cm |
| Características do consumo de energia | Baixo consumo de energia |
| Concentração da impureza | Baixa concentração de impurezas |
| Suporte de silício na wafer isolante | Wafer de silício SOI de 4 polegadas, estrutura CMOS de três camadas |
Estrutura das IST
Os wafers SOI consistem tipicamente em três camadas principais:
1.Capa superior de silício (camada de dispositivo): A fina camada de silício em que são fabricados dispositivos semicondutores. A espessura varia de alguns nanómetros a dezenas de micrómetros, dependendo da aplicação.
2.Capa de óxido enterrado (BOX): Uma fina camada de dióxido de silício (SiO2) que fornece isolamento elétrico.
3.Wafer de manuseio (substrato): Uma camada de suporte mecânico, geralmente feita de silício a granel ou de outros materiais de alto desempenho.
A espessura das camadas superiores de silício e de óxido enterrado pode ser personalizada para otimizar o desempenho para aplicações específicas.
Processos de fabrico de IST
Os wafers SOI são produzidos utilizando três métodos principais:
1.SIMOX (Separação por oxigénio implantado)
Implica implantar íons de oxigénio numa bolacha de silício e oxidá-los a altas temperaturas para formar uma camada de óxido enterrada.
Produz wafers SOI de alta qualidade, mas é relativamente caro.
2.Smart CutTM (Desenvolvido pela Soitec, França)
Usa o implante de iões de hidrogénio e ligação de wafer para criar estruturas SOI.
O método mais utilizado na produção comercial de SOI.
3.Wafer Bonding & Etch-Back
Envolve unir duas bolinhas de silício e gravá-las seletivamente até à espessura desejada.
Utilizado para SOI espessos e aplicações especializadas.
Aplicações das IST
Devido aos seus benefícios de desempenho únicos, a tecnologia SOI é amplamente adotada em várias indústrias:
1Computação de Alto Desempenho (HPC)
Empresas como IBM e AMD usam SOI em CPUs de servidor de ponta para aumentar as velocidades de processamento e reduzir o consumo de energia.
O SOI é amplamente utilizado em supercomputadores e processadores de IA.
2. Dispositivos móveis e de baixa potência
A tecnologia FD-SOI é usada em smartphones, wearables e dispositivos IoT para equilibrar o desempenho e a eficiência energética.
Os fabricantes de chips como a STMicroelectronics e a GlobalFoundries produzem chips FD-SOI para aplicações de baixo consumo.
3.RF & Comunicação sem fios (RF SOI)
A RF SOI é amplamente adotada na comunicação 5G, Wi-Fi 6E e onda milimétrica.
Usado em switches de RF, amplificadores de baixo ruído (LNA) e módulos de front-end de RF (RF FEM).
4.Eletrónica automóvel
O SOI de potência é amplamente utilizado em veículos elétricos (VE) e sistemas avançados de assistência ao condutor (ADAS).
Permite a operação a altas temperaturas e alta tensão, garantindo a fiabilidade em condições adversas.
5.Fotônica do silício e aplicações ópticas
Os substratos SOI são utilizados em chips fotônicos de silício para comunicação óptica de alta velocidade.
As aplicações incluem centros de dados, interligações ópticas de alta velocidade e LiDAR (Light Detection and Ranging).
Vantagens da wafer SOI
1.Capacidade parasitária reduzida e velocidade operacional aumentadaComparados com os materiais de silício a granel, os dispositivos SOI conseguem uma melhoria da velocidade de 20-35%.
2Consumo de energia mais baixoDevido à redução da capacidade parasitária e à redução da corrente de vazamento, os dispositivos SOI podem reduzir o consumo de energia em 35-70%.
3Eliminação dos efeitos de bloqueioA tecnologia SOI impede o bloqueio, melhorando a fiabilidade do dispositivo.
4.Supressão do ruído do substrato e redução dos erros maciosO SOI atenua efetivamente a interferência da corrente de pulso do substrato, diminuindo a ocorrência de erros macios.
5- Compatibilidade com os processos de silício existentesA tecnologia SOI integra-se bem com a fabricação convencional de silício, reduzindo os passos de processamento em 13-20%.
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