Wafer de silício Wafer de Si 8 polegadas tipo N tipo P tipo <111> <100> <110> SSP DSP grau Prime grau Dummy

Wafer de silício Wafer de Si 8 polegadas tipo N tipo P tipo <111> <100> <110> SSP DSP grau Prime grau Dummy

Visão geral do produto: Wafer de silício de 8 polegadas

Os wafers de silício são a espinha dorsal da indústria de semicondutores, servindo de substrato fundamental para circuitos integrados, microchips e vários componentes electrónicos.Wafer de silício de 8 polegadas (200 mm) Prime GradeO produto é concebido para satisfazer os requisitos rigorosos das aplicações de alto desempenho.Tecnologia de crescimento de cristais Czochralski (CZ), assegurando qualidade e consistência superiores.< 100>, superfícies polidas de lado único (SSP) ou polidas de lado duplo (DSP), eDopagem do tipo P com boro, estas placas são ideais para utilização como materiais semicondutores em tecnologias de ponta.

1.Material e Fabricação

1.1 Silício monocristalino

A bolacha de 8 polegadas é fabricada a partir de silício de cristal único de ultra-alta pureza.assegurando uma excelente uniformidade na estrutura cristalina e um mínimo de defeitos de redeEste processo garante a fiabilidade da bolacha em aplicações eletrónicas de alta precisão.

1.2 Qualidade de primeira qualidade

Os wafers de silício de primeira qualidade representam o mais alto padrão de qualidade na indústria de semicondutores.Estas placas passam por testes rigorosos e um rigoroso controlo de qualidade para garantir a sua adequação aos processos críticos de fabricoAs características das bolinhas de qualidade superior incluem:

• Contaminação extremamente baixa de partículas.
• Excepcional planura da superfície e rugosidade mínima.
• Alta uniformidade de resistividade e controlo de defeitos.

2.Principais especificações

3.Orientação do cristal: < 100>

A orientação cristalina <100> é uma das orientações mais utilizadas na indústria de semicondutores devido às suas propriedades de gravação isotrópica e características mecânicas uniformes.Esta orientação permite que a bolacha forneça um desempenho consistente durante processos como a gravação química, implantação iônica e oxidação.

4.Silicio tipo P com dopante de boro

A designação de tipo P indica que a bolacha é dopada comBoreto, um elemento do Grupo III que cria "buracos" como portadores majoritários de carga.e tecnologia complementar de óxido metálico-semicondutor (CMOS).

Os principais benefícios do doping do tipo P incluem:

• Desempenho elétrico estável sob uma ampla gama de temperaturas.
• Alta compatibilidade com processos de fabricação de semicondutores padrão.

5.Revestimento de superfície: SSP e DSP

5.1 Polido de um só lado (SSP)

• Utilizado para aplicações em que apenas uma superfície requer um elevado grau de suavidade e planosidade.
• O lado não polido mantém uma textura natural, útil para manipulação específica ou necessidades de ligação.
• Comumente aplicado em MEMS, sensores e wafers de teste.

5.2 Polido por dois lados (DSP)

• Ambos os lados da bolacha são polidos para obter uma superfície excepcionalmente lisa com baixa rugosidade (Ra < 0,3 nm).
• É essencial para processos de alta precisão, como litografia e deposição de película fina.
• Assegura o mínimo de tensão e deformação durante a fabricação, tornando-o adequado para microeletrônicos avançados.

6.Propriedades térmicas e mecânicas

A bolacha de 8 polegadas demonstra excelentes propriedades térmicas e mecânicas, que são críticas para os processos de alta temperatura comumente encontrados na fabricação de semicondutores:

• Alta estabilidade térmica:O baixo coeficiente de expansão térmica garante a estabilidade dimensional durante o recozimento ou processos térmicos rápidos.
• Resistência mecânica:O silício cultivado na CZ de alta qualidade resiste a tensões físicas durante a manipulação e fabrico.

7.Aplicações

A Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas é versátil e serve uma ampla gama de aplicações nas indústrias de semicondutores e eletrônicos:

7.1 Dispositivos semicondutores

• Tecnologia CMOS:Forma o material de base para a maioria dos circuitos integrados, incluindo processadores e dispositivos de memória.
• Dispositivos de alimentação:Ideal para a fabricação de transistores de potência, diodos e IGBTs devido às suas propriedades elétricas estáveis.

7.2 MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos)

O acabamento de superfície preciso e a orientação cristalina tornam esta bolacha perfeita para dispositivos MEMS como acelerômetros, giroscópios e sensores de pressão.

7.3 Fotónica e Optoelectrónica

A bolacha é usada em aplicações fotônicas, como sensores ópticos, diodos emissores de luz (LEDs) e células fotovoltaicas.

7.4 I&D e prototipagem

A sua superfície de alta qualidade e as suas características eléctricas tornam-na uma excelente escolha para instituições de investigação e desenvolvimento de protótipos.

8.Embalagem e manipulação

Para preservar a qualidade da bolacha, ela é embalada sob condições de sala limpa rigorosas:

• Classe 100 Ambiente:Assegura a mínima contaminação por partículas durante a embalagem.
• Embalagem segura:Os wafers são colocados em cassetes (25 wafers por cassete) e selados em sacos com nitrogênio para evitar a oxidação e a contaminação durante o transporte.

9.Vantagens da Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas

9.1 Qualidade excepcional

A classificação de grau superior garante uma planitude incomparável, suavidade da superfície e densidade mínima de defeitos.

9.2 Compatibilidade com as normas do sector

Estas placas estão em conformidade com as normas internacionais, como a SEMI M1, garantindo a sua compatibilidade com os processos de fabrico globais.

9.3 Fabricação eficiente em termos de custos

O tamanho de 8 polegadas atinge um equilíbrio entre acessibilidade e volume de produção, tornando-se um padrão da indústria por muitos anos.

9.4 Versatilidade

A disponibilidade de opções de SSP e DSP garante que as placas possam ser adaptadas a uma grande variedade de aplicações.

10.Opções de personalização

Para atender às necessidades específicas do cliente, a Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas pode ser personalizada das seguintes maneiras:

• Intervalo de resistência:Ajustável para se adequar aos requisitos de diferentes dispositivos e processos.
• Variações de espessura:Podem ser fabricadas espessuras especiais para aplicações únicas.
• Capa de óxido:Podem ser adicionadas camadas de óxido térmico ou químico conforme necessário.

11.Conclusão

A Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas representa o auge da tecnologia de wafer de silício, fornecendo qualidade, desempenho e versatilidade incomparáveis.Suas especificações avançadas e processos de fabricação robustos tornam-no indispensável na produção de dispositivos de semicondutores modernosQuer esteja a desenhar processadores de próxima geração, dispositivos MEMS ou fotónica de ponta, esta wafer garante a fiabilidade e precisão necessárias para o sucesso.

Ao oferecer opções de SSP e DSP, bem como a flexibilidade para personalizar a resistividade e a espessura, estas placas estão preparadas para atender às demandas em evolução da indústria de semicondutores.As suas aplicações generalizadas na fabricação e na investigação de alta tecnologia consolidam o seu estatuto de componente crítico da cadeia global de fornecimento de electrónica.