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Wafer de quartzo Wafer de quartzo 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO2 Semicondutor Óptico
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Orifícios de quartzo |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 |
|---|---|
| Preço: | 20USD |
| Detalhes da embalagem: | caixas personalizadas |
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | pelo caso |
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Informação detalhada |
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| Diâmetro (polegada): | 3/4/6/8/12 | Transmitância Interna: | >99,9% |
|---|---|---|---|
| Índice de refração: | 1.474698 | Transmitância Total: | > 92% |
| TTV: | <3> | Planosidade: | <15> |
Descrição de produto
Wafer de quartzo Wafer de quartzo 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO2 Semicondutor Óptico
Introdução da Wafer de Quartzo
As bolinhas de quartzo são feitas de dióxido de silício cristalino (SiO2).
As placas de quartzo apresentam excelentes características, como alta resistência térmica, transmissão de luz superior em comprimentos de onda específicos, inércia química e baixo coeficiente de expansão térmica.Estas características tornam-nas altamente adequadas para aplicações que exigem estabilidade sob temperaturas extremas, resistência a produtos químicos agressivos e transparência em faixas espectrais específicas.
Em indústrias como a fabricação de semicondutores, óptica e MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems),As bolinhas de quartzo são amplamente utilizadas devido à sua capacidade de suportar altas temperaturas sem deformação ou degradaçãoEles servem como substratos para deposição de película fina, gravação de microstruturas ou fabricação de componentes de precisão que exigem alta precisão dimensional e estabilidade térmica.
Princípio de fabricode fibras sintéticas
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Crescimento Cristalino
As bolas de quartzo são cultivadas utilizando cristais de sementes naturais ou sintéticos através de métodos de fusão hidrotermal ou de chama (Verneuil). -
Corte de lingotes
Os lingotes cilíndricos são cortados em wafers usando serras de fio de diamante, garantindo uniformidade de espessura e perda mínima de corte. -
Limpeza e polir
As wafers são lapadas, gravadas e, em seguida, polidas para obter um acabamento liso como um espelho com baixa rugosidade superficial (Ra < 1 nm para wafers de grau óptico). -
Limpeza e inspecção
A limpeza por ultra-som ou RCA remove partículas e contaminantes metálicos.
Especificações de wafer de quartzo
| Tipo de quartzo | 4 | 6 | 8 | 12 |
|---|---|---|---|---|
| Tamanho | ||||
| Diâmetro ( polegadas) | 4 | 6 | 8 | 12 |
| Espessura (mm) | 0.05 ¢2 | 0.25 ¢ 5 | 0.3·5 | 0.4·5 |
| Tolerância de diâmetro ( polegadas) | ± 0.1 | ± 0.1 | ± 0.1 | ± 0.1 |
| Tolerância de espessura (mm) | Personalizável | Personalizável | Personalizável | Personalizável |
| Propriedades ópticas | ||||
| Índice de refração @365 nm | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 |
| Índice de refração @546,1 nm | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 |
| Índice de refração @1014 nm | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 |
| Transmissão interna (1250-1650 nm) | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% |
| Transmissão total (1250 ∼ 1650 nm) | > 92% | > 92% | > 92% | > 92% |
| Qualidade de usinagem | ||||
| TTV (variação da espessura total, μm) | (3) | (3) | (3) | (3) |
| Plano (μm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| Superfície rugosa (nm) | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 |
| Arco (μm) | < 5 | < 5 | < 5 | < 5 |
| Propriedades físicas | ||||
| Densidade (g/cm3) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 2.20 |
| Modulo de Young (GPa) | 74.20 | 74.20 | 74.20 | 74.20 |
| Dureza de Mohs | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 |
| Modulo de cisalhamento (GPa) | 31.22 | 31.22 | 31.22 | 31.22 |
| Relação de Poisson | 0.17 | 0.17 | 0.17 | 0.17 |
| Resistência à compressão (GPa) | 1.13 | 1.13 | 1.13 | 1.13 |
| Resistência à tração (MPa) | 49 | 49 | 49 | 49 |
| Constante dielétrica (1 MHz) | 3.75 | 3.75 | 3.75 | 3.75 |
| Propriedades térmicas | ||||
| Ponto de tensão (1014,5 Pa·s) | 1000°C | 1000°C | 1000°C | 1000°C |
| Ponto de recozimento (1013 Pa·s) | 1160°C | 1160°C | 1160°C | 1160°C |
| Ponto de amolecimento (107,6 Pa·s) | 1620°C | 1620°C | 1620°C | 1620°C |
Perguntas frequentes sobre as placas de quartzo
1O que é uma bolacha de quartzo?
Uma bolacha de quartzo é um disco fino e plano feito de dióxido de silício cristalino (SiO2), normalmente fabricado em tamanhos padrão de semicondutores (por exemplo, 2 ", 3", 4 ", 6 ", 8 "ou 12").Estabilidade térmica, e transparência óptica, uma bolacha de quartzo é usada como um substrato ou transportador em várias aplicações de alta precisão, como fabricação de semicondutores, dispositivos MEMS, sistemas ópticos,e processos de vácuo.
2Qual é a diferença entre quartzo e gel de sílica?
O quartzo é uma forma sólida cristalina de dióxido de silício (SiO2), enquanto o gel de sílica é uma forma amorfa e porosa de SiO2, comumente usada como um dessecante para absorver umidade.
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QuartzoÉ duro, transparente e usado em aplicações eletrônicas, ópticas e industriais.
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Gel de silícioAparece sob a forma de pequenas contas ou grânulos e é usado principalmente para controlo de umidade em embalagens, eletrónica e armazenagem.
3Para que são usados os cristais de quartzo?
Os cristais de quartzo são amplamente utilizados em eletrônica e óptica devido às suas propriedades piezoelétricas (geram uma carga elétrica sob tensão mecânica).
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Osciladores e regulação de frequência(por exemplo, relógios de quartzo, relógios, microcontroladores)
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Componentes ópticos(por exemplo, lentes, placas de onda, janelas)
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Resonadores e filtrosem dispositivos de RF e de comunicação
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Sensorespara pressão, aceleração ou força
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Fabricação de semicondutorescomo substratos ou janelas de processo
4Porque é que o quartzo é usado em microchips?
O quartzo é usado em aplicações relacionadas a microchips porque oferece:
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Estabilidade térmicadurante processos a altas temperaturas, como difusão e recozimento
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Isolamento elétricodevido às suas propriedades dielétricas
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Resistência químicapara ácidos e solventes utilizados na fabricação de semicondutores
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Precisão dimensionale baixa expansão térmica para alinhamento confiável da litografia
Embora o quartzo em si não seja usado como material semicondutor ativo (como o silício), desempenha um papel de apoio vital no ambiente de fabricação, especialmente em fornos, câmaras,e substratos de máscara fotográfica.
