• 8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor
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8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor

8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Materiais: Wafer de silício de cristal único Método do crescimento: MCZ
orientação: < 100> Warp.: 30 µm
O que é isto?: 30 µm Tipo/ Dopante: N/ Fósforo: N/Fósforo
GBIR/TTV: µm 5 Entalhe: - Sim, sim.
Destacar:

Wafer de silício de 200 mm

,

Wafer de silício de grau CZ Prime

,

Wafer de silício de 8 polegadas.

Descrição de produto

Wafer de silício de 8 polegadas CZ 200 mm Prime Grade Wafer de silício < 100>, SSP, DSP tipo P, B dopante, para material semicondutor

 

Introdução ao produto: Wafer de silício de 8 polegadas (200 mm) Prime Grade

Os wafers de silício são a pedra angular da indústria dos semicondutores, facilitando a criação de tecnologias de ponta que impulsionam a inovação moderna.Wafer de silício de 8 polegadas (200 mm)Representa o auge da excelência dos materiais e da fabricação, projetado especificamente para fabricação de semicondutores e aplicações relacionadas.e qualidade da superfície impecável, estas placas atendem às exigentes necessidades de indústrias como a produção de microchips, fabricação de MEMS e sistemas fotovoltaicos.

Fabricado utilizando oProcesso Czochralski (CZ), esta bolacha tem umOrientação cristalina < 100,Dopagem do tipo P com boro, e opções para superfícies polidas de lado único (SSP) ou polidas de lado duplo (DSP).e contaminação mínima de partículas tornam-na uma escolha confiável para fábricas de semicondutores líderes, instituições de I&D e instalações educativas em todo o mundo.

 

8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor 0


1.Principais especificações

Especificações Valor
Diâmetro 200 mm ± 0,2 mm
Método de crescimento Czochralski (CZ)
Arco-íris ≤ 30 μm
WARP ≤ 30 μm
Variação da espessura total (TTV) ≤ 5 μm
Partículas ≤ 50 (≥ 0,16 μm)
Concentração de oxigénio ≤ 18 ppm
Concentração de carbono ≤ 1 ppm
Roughness da superfície (Ra) ≤ 5 Å

Essas especificações demonstram a excecional precisão dimensional, integridade estrutural e pureza química das wafers, essenciais para processos avançados de fabricação.


2.Características fundamentais

2.1 Qualidade superior

Os nossos wafers de silício são feitos deSilício monocristalino virgem novo em folha, garantindo uma pureza e fiabilidade incomparáveis, o que garante um desempenho óptimo em todas as fases da fabricação de semicondutores.

2.2 Superfície preparada para epi

Cada bolacha é polida para obter uma superfície preparada para epi de alto grau, tornando-a adequada para deposição epitaxial e outros processos críticos.A superfície ultra suave minimiza os defeitos e aumenta o rendimento dos processos a jusante.

2.3 Excede as normas do sector

As nossas bolinhas de silício de 8 polegadas encontram e muitas vezes excedemNormas SEMI M1-0302, que refletem as suas propriedades mecânicas e eléctricas superiores, o que garante a compatibilidade com os equipamentos e técnicas globais de fabrico de semicondutores.

2.4 Controle de qualidade abrangente

Cada wafer é submetido a uma inspeção e teste meticulosos para parâmetros como TTV, BOW, WARP, densidade de partículas e uniformidade de resistividade.Este rigoroso processo de garantia da qualidade garante que as placas sejam livres de defeitos e fiáveis para todas as aplicações.

2.5 Embalagens seguras

Para evitar a contaminação e danos físicos, as bolachas são embaladas emCaixas de papel polipropileno ultralimpas, selado emSacos duplos antiestáticosemCondições de salas limpas da classe 100Isto garante que as bolachas cheguem em perfeitas condições, prontas para uso imediato.

2.6 Soluções rentáveis

Os nossos wafers têm preços competitivos, com descontos de quantidade disponíveis para encomendas a granel, o que os torna uma excelente escolha tanto para produção em escala industrial como para projectos de investigação.

2.7 Certificado de Conformidade (COC)

Cada remessa inclui um Certificado de Conformidade, que verifica as especificações das wafers e a conformidade com as normas do sector.Esta documentação assegura aos clientes a tranquilidade quanto à qualidade e autenticidade do produto.


3.Aplicações

A versatilidade e o alto desempenho da Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas tornam-na adequada para uma ampla gama de aplicações:

3.1 Fabricação de semicondutores

  • Produção de microchips e fabricação de IC:
    A orientação cristalina e a alta pureza dos wafers são ideais para a fabricação de circuitos integrados, processadores e chips de memória, apoiando os avanços em computação e telecomunicações.

  • Dispositivos semicondutores de potência:
    Suas propriedades elétricas estáveis e defeitos mínimos tornam-na uma escolha confiável para a criação de transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) e transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido de metal (MOSFETs).

3.2 MEMS e sensores

A planitud excepcional e as dimensões precisas dessas placas são críticas para a fabricação de dispositivos MEMS, incluindo acelerômetros, giroscópios e sensores de pressão.

3.3 Fotónica e Optoelectrónica

  • Iluminação LED e diodos a laser:
    Os wafers têm uma rugosidade de superfície mínima e baixos níveis de impurezas, o que é crucial para uma emissão de luz eficiente e um desempenho confiável do dispositivo.
  • Componentes de equipamento óptico:
    Eles servem como substrato para a fabricação de lentes e espelhos de alta precisão em sistemas ópticos.

3.4 Aplicações fotovoltaicas solares

Com a sua qualidade cristalina superior e as suas propriedades elétricas consistentes, estas placas são utilizadas para produzir células fotovoltaicas de elevada eficiência.

3.5 Investigação e Desenvolvimento

As suas especificações personalizáveis e a sua disponibilidade em quantidades menores tornam-nas uma escolha preferida para projectos de I&D nas universidades, linhas-piloto e laboratórios de inovação.


4.Vantagens do Wafer de Silício Prime Grade de 8 polegadas

4.1 Pureza e planura excepcionais

Os wafers apresentam níveis ultra-bajos de oxigénio (≤18 ppma) e contaminação por carbono (≤1 ppma), garantindo um melhor desempenho e fiabilidade do dispositivo.e WARP são mantidos dentro de tolerâncias apertadas para suportar processos críticos de fotolitografia e deposição de película fina.

4.2 Melhoria da qualidade da superfície

A rugosidade da superfície (Ra ≤ 5 Å) é otimizada para permitir um crescimento epitaxial perfeito, melhorando os rendimentos e reduzindo os custos de produção na fabricação de grandes volumes.

4.3 Confiança e compatibilidade globais

Estes wafers são amplamente utilizados porFabricas de semicondutores, centros de I&D e instituições académicasA utilização de equipamentos de processamento de dados é uma das principais prioridades da Comissão.

4.4 Personalização versátil

Desde ajustes de resistividade até deposição de camada de óxido, estas placas podem ser adaptadas para atender às necessidades específicas do cliente, garantindo a adequação para um amplo espectro de aplicações.


5.Processo de Fabricação

OProcesso Czochralski (CZ)Esta técnica avançada garante a criação de uma estrutura de rede cristalina uniforme com defeitos mínimos.As wafers são cortadasO produto final é o epítome da engenharia de precisão, oferecendo um desempenho excepcional em várias aplicações.


6.Compromisso com o ambiente

Os nossos processos de fabrico são concebidos para minimizar o impacto ambiental.RoHSEste compromisso garante que os nossos produtos cumpram os objectivos de desempenho e de sustentabilidade.


7.Conclusão

OWafer de silício de 8 polegadas (200 mm)O seu substrato de silício monocristalino de alta qualidade, dimensões precisas,As propriedades excepcionais da superfície tornam-na um componente vital para o desenvolvimento de tecnologias avançadas..

Com sua versatilidade, confiabilidade e adesão aos padrões da indústria, esta bolacha é uma escolha confiável para aplicações que vão desde a produção de semicondutores até a prototipagem de P&D.Se você está fabricando chips de próxima geração, criar dispositivos MEMS, ou explorar novos horizontes em fotônica, estas wafers fornecem a base para o sucesso.

Ao escolher as nossas wafers de silício de 8 polegadas, está a investir num produto que combina superioridade técnica, confiança global,e preços competitivos uma combinação verdadeiramente imbatível na indústria dos semicondutores.

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em 8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.