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LNOI Wafer de 2/3/4/6/8 polegadas LiNbO₃, Dispositivos Fotônicos Personalizáveis
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | 2”/3”/4”/6”/8” |
Condições de Pagamento e Envio:
| Minimum Order Quantity: | 2 |
|---|---|
| Preço: | 1000USD |
| Detalhes da embalagem: | personalizado |
| Tempo de entrega: | 2-3 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | pelo caso |
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Informação detalhada |
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| Material: | Wafers LiNbO3 de qualidade óptica | Diâmetro/tamanho: | 2”/3”/4”/6”/8” |
|---|---|---|---|
| Ângulo de corte: | X/Y/Z etc. | TTV: | <3> |
| Incline-se.: | -30| Warp.: |
< 40 μm |
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| Destacar: | Wafer LNOI Personalizável,Wafer LNOI para Dispositivos Fotônicos,Wafer LNOI de 8 polegadas |
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Descrição de produto
LNOI Wafer 2/3/4/6/8 polegadas (Si/LiNbO3, personalizável) dispositivos fotônicos
IntroduçãoWafer LNOI
Os cristais de LiNbO3 são amplamente utilizados como duplicadores de frequência para comprimentos de onda > 1um e osciladores paramétricos ópticos (OPOs) bombeados a 1064 nm, bem como dispositivos de quase correspondência de fase (QPM).Devido aos seus elevados coeficientes Elector-Optic (E-O) e Acousto-Optic (A-O)O cristal LiNbO3 é o material mais comumente utilizado para células Pockel, Q-switches e moduladores de fase, substrato de guia de ondas e wafers de onda acústica de superfície (SAW), etc.
Nossa experiência abundante no crescimento e produção em massa para o niobato de lítio de grau óptico em ambas as bolas e wafers.,Os produtos acabados passam pelo teste de curie temp e pela inspecção QC. Todos os wafers estão sob rigoroso controlo de qualidade e inspeccionados.E também sob a limpeza de superfície rigorosa e controle de planos também.
EspecificaçõesdeWafer LNOI
| Materiais | Óptica Grau LiNbO3 Óleos essenciais | |
| Curie Temp | 1142 ± 0,7°C | |
| Cortar Ângulo | X/Y/Z etc. | |
| Diâmetro/tamanho | 2 ′′/3 ′′/4 ′′/6 ′′/8 ′′ | |
| Tol (±) | < 0,20 mm ± 0,005 mm | |
| Espessura | 0.18·0,5 mm ou mais | |
| Primário Flat | 16 mm/22 mm/32 mm | |
| TTV | 3 μm | |
| Incline-se. | - Trinta | |
| Warp. | < 40 μm | |
| Orientação Flat | Todos disponíveis | |
| Superfície Tipo | Polished Single Side (SSP) / Polished Double Sides (DSP) | |
| Polido lado Ra | < 0,5 nm | |
| S/D | 20/10 | |
| Margem Critérios | R=0,2 mm Tipo C ou Bullnose | |
| Qualidade | Livre de fissuras (bolhas e inclusões) | |
| Óptica dopados | Mg/Fe/Zn/MgO, etc., para wafers de qualidade óptica LN< por pedido | |
| Orifícios Superfície Critérios | Índice de refração | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm comprimento de onda/prisma método de acoplamento. |
| Contaminação, | Nenhum | |
| Partículas c> 0,3μ m | <= 30 | |
| Riscar, rasgar. | Nenhum | |
| Defeito | Sem rachaduras, arranhões, marcas de serra, manchas. | |
| Embalagem | Qty/caixa de wafer | 25 pcs por caixa |
Propriedades deWafer LNOI
A fabricação de wafers de niobato de lítio em isolador (LNOI) envolve uma série sofisticada de etapas que combinam ciência dos materiais e técnicas avançadas de fabricação.O processo tem por objectivo criar uma, uma película de niobato de lítio de alta qualidade (LiNbO3) ligada a um substrato isolante, como o silício ou o próprio niobato de lítio.
Etapa 1: Implantação de íons
O primeiro passo na produção de wafers LNOI envolve a implantação de íons. Um cristal de niobato de lítio em massa é submetido a íons de hélio (He) de alta energia injetados em sua superfície.A máquina de implantação de íons acelera os íons de hélio., que penetram no cristal de niobato de lítio a uma profundidade específica.
A energia dos íons de hélio é cuidadosamente controlada para alcançar a profundidade desejada no cristal.causando perturbações atômicas que levam à formação de um plano enfraquecidoEsta camada vai eventualmente permitir que o cristal seja dividido em duas camadas distintas,onde a camada superior (denominada camada A) torna-se a película fina de niobato de lítio necessária para o LNOI.
A espessura deste filme fino é directamente influenciada pela profundidade de implantação, que é controlada pela energia dos íons hélio.que é crucial para garantir a uniformidade no filme final.
Etapa 2: Preparação do substrato
Uma vez concluído o processo de implantação de íons, o próximo passo é preparar o substrato que suportará o filme fino de niobato de lítio.Os materiais de substrato comuns incluem o próprio silício (Si) ou niobato de lítio (LN)O substrato deve fornecer um suporte mecânico para a película fina e garantir a estabilidade a longo prazo durante as etapas de processamento subsequentes.
Para preparar o substrato, a SiO₂ (silicon dioxide) insulating layer is typically deposited onto the surface of the silicon substrate using techniques such as thermal oxidation or PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)Esta camada serve de meio isolante entre a película de niobato de lítio e o substrato de silício.Aplica-se um processo de polimento químico-mecânico (CMP) para garantir que a superfície seja uniforme e pronta para o processo de ligação.
Passo 3: Ligação de filme fino
Após a preparação do substrato, o próximo passo é ligar o filme fino de niobato de lítio (camada A) ao substrato.é virado 180 graus e colocado sobre o substrato preparadoO processo de ligação é normalmente realizado usando uma técnica de ligação de wafer.
Na ligação de wafer, tanto o cristal de niobato de lítio quanto o substrato são submetidos a alta pressão e temperatura, o que faz com que as duas superfícies adiram fortemente.O processo de ligação direta geralmente não requer materiais adesivosPara fins de investigação, o benzociclobuteno (BCB) pode ser utilizado como material intermediário de ligação para fornecer um suporte adicional,embora não seja tipicamente utilizado na produção comercial devido à sua limitada estabilidade a longo prazo.
Etapa 4: Requeijão e separação de camadas
Após o processo de ligação, a bolacha ligada é submetida a um tratamento de recozimento.bem como para a reparação de qualquer dano causado pelo processo de implantação de íons.
Durante o recozimento, a bolacha ligada é aquecida a uma temperatura específica e mantida nessa temperatura por um determinado período.Este processo não só fortalece as ligações interfaciais, mas também induz a formação de microbolhas na camada implantada por íonsEstas bolhas gradualmente fazem com que a camada de niobato de lítio (camada A) se separe do cristal de niobato de lítio em massa original (camada B).
Após a separação, são utilizadas ferramentas mecânicas para separar as duas camadas, deixando um filme fino de niobato de lítio de alta qualidade (camada A) no substrato.A temperatura é gradualmente reduzida à temperatura ambiente, completando o processo de recozimento e separação de camadas.
Etapa 5: Planarização do CMP
Após a separação da camada de niobato de lítio, a superfície da bolacha LNOI é tipicamente áspera e irregular.a bolacha é submetida a um processo final de polimento químico mecânico (CMP)O CMP suaviza a superfície da bolacha, eliminando qualquer rugosidade remanescente e assegurando que o filme fino seja plano.
O processo CMP é essencial para obter um acabamento de alta qualidade na bolacha, que é fundamental para a fabricação subsequente do dispositivo.frequentemente com uma rugosidade (Rq) inferior a 0.5 nm, medida por microscopia de força atómica (AFM).
Aplicações da wafer LNOI
As placas de LNOI (Lithium Niobate on Insulator) são utilizadas numa ampla gama de aplicações avançadas devido às suas propriedades excepcionais,com coeficientes ópticos não lineares elevados e fortes características mecânicasNa óptica integrada, as wafers LNOI são essenciais para criar dispositivos fotônicos, como moduladores, guias de onda e ressonadores, que são críticos para manipular a luz em circuitos integrados.Em telecomunicações, as wafers LNOI são amplamente utilizadas em moduladores ópticos, que permitem a transmissão de dados de alta velocidade em redes de fibra óptica.As wafers LNOI desempenham um papel vital na geração de pares de fótons emaranhados, que são fundamentais para a distribuição de chaves quânticas (QKD) e comunicação segura.quando utilizadas para criar sensores ópticos e acústicos de alta sensibilidade para monitorização ambientalEstas diversas aplicações tornam os wafers LNOI um material chave no desenvolvimento de tecnologias de próxima geração em vários campos.
Perguntas frequentesdeWafer LNOI
P: O que é o INOI?
R: LNOI significa Niobato de Lítio em Isolador.Refere-se a um tipo de bolacha que apresenta uma fina camada de niobato de lítio (LiNbO3) ligada a um substrato isolante como silício ou outro material isolanteOs wafers LNOI mantêm as excelentes propriedades ópticas, piezoelétricas e piroelétricas do niobato de lítio, tornando-os ideais para uso em várias tecnologias fotônicas, de telecomunicações e quânticas.
Q: Quais são as principais aplicações das wafers LNOI?
A: As wafers LNOI são utilizadas em uma variedade de aplicações, incluindo óptica integrada para dispositivos fotónicos, moduladores ópticos em telecomunicações, geração de fótons emaranhados em computação quântica,e em sensores para medições ópticas e acústicas na monitorização ambiental, diagnósticos médicos e testes industriais.
P: Como são fabricadas as bolinhas LNOI?
R:A fabricação de wafers LNOI envolve várias etapas, incluindo a implantação de íons, ligação da camada de niobato de lítio a um substrato (geralmente silício), recozimento para separação,e polimento químico mecânico (CMP) para obter umaA implantação de íons cria uma camada fina e frágil que pode ser separada do cristal de niobato de lítio em massa, deixando para trás uma fina camada de níquel.filme de niobato de lítio de alta qualidade no substrato.
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