Carcaça do semicondutor fábrica, comprar boa qualidade Carcaça do semicondutor produtos da China

Por favor, deixe o seu e-mail correto e os requisitos detalhados (20-3000 caracteres).

Está bem

Categorias

Contatos

Contatos:	Mr. Wang
Telefone:	+8615801942596

Contato

Largura de banda do substrato N-InP 02:2Wafer epi de comprimento de onda de.5G de 1270 nm para diodo laser FP
Melhor preço
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de Si Wafer de silício Polido sem-topa P tipo N tipo Semicondutor
Melhor preço
N-GaAs Substrato 6 polegadas 350um espessura Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
Melhor preço
InP DFB Epiwafer comprimento de onda 1390nm InP substrato 2 4 6 polegadas para 2,5 ~ 25G DFB diodo laser
Melhor preço
2 polegadas 3 polegadas InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Epi Wafer Semicondutor Personalizar FP diodo laser
Melhor preço
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 polegadas espessura 350-650um InGaAs doping
Melhor preço
MgO Wafer 111 100 Polished Magnesium Oxide Monocrystal Semiconductor Personalizado
Melhor preço
Wafer InP 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas VGF P tipo N tipo Depant Zn S Fe Prime Grade não dopado
Melhor preço
Único arsenieto InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
Melhor preço
Substratos compostos de SiC-On-Si semisolamentos 4H apresentam LED de alta resistência
Melhor preço
GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999%
Melhor preço
Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor
Melhor preço
Tubo de quartzo óptico fundido SiO2 vidro de cristal personalizado transparente ambas as extremidades abertas uma extremidade fechada
Melhor preço
Substrato GaN-on-Si Epitaxy Si de 8 polegadas 110 111 110 para reatores MOCVD ou aplicação de energia RF
Melhor preço
GaN-on-Si ((111) N/P Tipo T Substrato Epitaxy 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Para LED ou dispositivo de energia
Melhor preço