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  • China Tantalato de lítio LiTaO3 Wafer de cristal de alta frequência SAW Filtros de alto coeficiente piezoelétrico

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  • China Niobato de lítio LiNbO3 Cristal de ingota de alta frequência SAW

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  • China LiTaO3 Wafer Lithium Tantalate Electro-óptico Não linear Óptico Piezoelétrico personalização

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  • China InAs Substrato 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP polido

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  • China ZnTe Wafer ZnTe Cristal Tipo N Tipo P Dimensões e especificações personalizadas disponíveis

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  • China Wafer SOI P Tipo N Tipo 6 polegadas 8 polegadas 12 polegadas Polish de superfície SSP/DSP

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  • China Substrato de vidro ITO Vidro revestido com óxido de estanho de ínio In2O3/SnO2 10 X 10 50×50 Especificação 1,1 mm

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  • China Vidro FTO revestido com óxido de estanho de flúor Substrato de vidro FTO Vidro 1' x 1' x 3' Transmissão 80~ 85%

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  • China Orientação do substrato de cristal ZnTe 110 10x10x0.5mm 10x10x1mm Para geração de detecção THz

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  • China Substratos de SiC 2/3/4/6/8 polegadas HPSI Produção Fantasma Grau de Pesquisa

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  • China 8 polegadas de Wafer Si CZ 200 mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante para material semicondutor

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  • China Wafer de silício Wafer de Si 8 polegadas tipo N tipo P tipo &lt;111&gt; &lt;100&gt; &lt;110&gt; SSP DSP grau Prime grau Dummy

    Wafer de silício Wafer de Si 8 polegadas tipo N tipo P tipo <111> <100> <110> SSP DSP grau Prime grau Dummy

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  • China Wafer / Substrato de 8 polegadas espessura 675-775 μm, tipo P/N, orientação 111, polido de lado duplo / único

    Wafer / Substrato de 8 polegadas espessura 675-775 μm, tipo P/N, orientação 111, polido de lado duplo / único

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