Visão geral do produto

NossoCristal único hBN de nível de dispositivoé um cristal único em massa de nitreto de boro hexagonal de alta qualidade projetado para pesquisa avançada de materiais 2D e fabricação de dispositivos. Cultivado por um processo proprietário de pressão atmosférica, este cristal hBN apresenta alta qualidade de cristal, comportamento de clivagem limpo, regiões de domínio único de grande área e excelente transparência óptica.

É especialmente adequado comosubstrato ou camada de encapsulamentopara heteroestruturas 2D, dispositivos baseados em grafeno, estruturas nanofotônicas e aplicações optoeletrônicas de ultravioleta profundo. A validação em nível de dispositivo de terceiros mostra que este material hBN pode oferecer desempenho comparável ou melhor que os atuais cristais padrão-ouro acadêmicos em aplicações de heteroestrutura de grafeno.

Principais recursos

• Cristal único hBN de nível de dispositivo
• Processo proprietário de crescimento da pressão atmosférica
• Tamanho típico do cristal lateral ≥ 1 mm
• Alto campo de ruptura dielétrica: 1,64 ± 0,06 V/nm
• Mobilidade de grafeno à temperatura ambiente em hBN: ~80.000 cm²/V·s
• hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
• Emissão de borda de banda UV em torno de 215 nm
• Adequado para heteroestruturas 2D, dispositivos de grafeno, nanofotônica e optoeletrônica de UV profundo

Aplicativos

Heteroestruturas 2D

O hBN para dispositivos é amplamente utilizado como substrato de alta qualidade e camada de encapsulamento para grafeno, dichalcogenetos de metais de transição e outros materiais 2D. Sua superfície atomicamente plana e interface limpa ajudam a melhorar a estabilidade do dispositivo e reduzir os efeitos de dispersão.

Dispositivos de grafeno

Quando usado com grafeno, o hBN pode suportar comportamento de transporte de alta mobilidade. A mobilidade típica do grafeno à temperatura ambiente neste hBN atinge aproximadamente80.000 cm²/V·s, tornando-o adequado para estudos avançados de transporte eletrônico e quântico.

Nanofotônica

hBN é uma importante plataforma de material para pesquisa de polariton de fônons e dispositivos fotônicos em nanoescala. Sua alta qualidade de cristal e propriedades ópticas o tornam adequado para nanofotônica infravermelha e experimentos ópticos relacionados.

Optoeletrônica UV Profunda

Com emissão de borda de banda UV ao redor215nm, o cristal único hBN pode ser usado em pesquisas optoeletrônicas de ultravioleta profundo, estudos de materiais de banda larga e aplicações fotônicas avançadas.

Especificações Técnicas

Vantagens do produto

Comparado com os cristais hBN comerciais comuns, este hBN para dispositivos é desenvolvido para aplicações onde a qualidade do cristal, a limpeza interfacial e o desempenho do dispositivo são críticos. O material foi avaliado por meio de testes de dispositivos de heteroestrutura de grafeno de terceiros e mostra desempenho igual ou superior ao nível dos principais cristais de referência acadêmica.

As dimensões do cristal mostradas na folha de dados indicam tamanhos laterais representativos acima1mm, com algumas bordas de cristal medidas excedendo1,4 mm. As imagens do microscópio óptico também mostram facetas de crescimento claras, bordas de clivagem nítidas, regiões de cristal transparentes e grandes áreas utilizáveis ​​de domínio único.

Breve descrição recomendada

Cristal único hBN de nível de dispositivoé um material de nitreto de boro hexagonal de alta qualidade projetado para heteroestruturas 2D, dispositivos de grafeno, nanofotônica e optoeletrônica de UV profundo. Desenvolvido por um processo proprietário de pressão atmosférica, ele oferece tamanhos de cristal laterais típicos de ≥1 mm, alta resistência à ruptura dielétrica, excelente desempenho Raman e forte validação em nível de dispositivo.

Perguntas frequentes

Q1: Para que é usado principalmente este único cristal hBN?
É usado principalmente como substrato ou camada de encapsulamento para heteroestruturas 2D, dispositivos de grafeno, nanofotônica e pesquisa optoeletrônica de UV profundo.

Q2: Qual é o tamanho típico do cristal?
A especificação de nível de dispositivo padrão é≥ 1mmtamanho lateral. Amostras representativas na folha de dados mostram dimensões medidas acima de 1 mm, com algumas bordas atingindo mais de 1,4 mm.

Q3: Este material é adequado para dispositivos de grafeno?
Sim. A folha de dados relata mobilidade típica de grafeno à temperatura ambiente em hBN de aproximadamente80.000 cm²/V·s, tornando-o adequado para pesquisas de dispositivos de grafeno de alta mobilidade.

Q4: Qual é o formato da embalagem?
O produto normalmente é fornecido em um porta-chips, com5–10 cristais por pacote.

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Sobre nós

A ZMSH é especializada no desenvolvimento, produção e vendas de alta tecnologia de vidros ópticos especiais e novos materiais cristalinos. Nossos produtos atendem eletrônica óptica, eletrônicos de consumo. Oferecemos componentes ópticos de safira, tampas de lentes de telefones celulares, cerâmica, LT, carboneto de silício SIC, quartzo e wafers de cristal semicondutores. Com experiência qualificada e equipamentos de última geração, nos destacamos no processamento de produtos não padronizados, com o objetivo de ser uma empresa líder em materiais optoeletrônicos de alta tecnologia.

Informações sobre embalagem e envio

Método de embalagem:

• Todos os itens são embalados de forma segura para garantir um transporte seguro.
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1. Proteção contra poeira Classe 100 ou Classe 1000, dependendo da sensibilidade do produto.
2. Opções de embalagens personalizadas estão disponíveis para requisitos especiais.

Canais de envio e tempo estimado de entrega:

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