carcaça da safira

• Wafer de safira 2 polegadas C-plano ((0001) DSP SSP 99,999% Monocristalino Al2O3 LEDS Semicondutor
• Material de safira AL2O3 Monocristal 80KG 200KG 400KG Método KY Semicondutor LED
• Wafer de safira 12 polegadas AL2O3 Personalização DSP SSP plano C plano A plano M plano LED substrato de safira
• Sapphire Wafer Al2O3 8 polegadas C Plano A Plano M Plano KY Double Slide Polished SSP

Gem Stone sintético

• Coral / Rosa Rosa safira crua / Roughgem Crystal Lab feito para acessórios de jóias
• Artificial Violeta Roxo Safira Al2O3 Gem Para Decoração Brinco Necklace
• Bloco de cristal de safira artificial dopado a laser de alto desempenho
• Laser de Alta Frequência Titânio Dopado Cristal de Safira Single 4 Nível Vibrónico

Safira Windows ótico

• Não revestido / revestido SapphireTech Precision Windows High Transparency Precision Engineering
• Componentes ópticos de quartzo de safira JGSI JGS2 personalizáveis Forte estabilidade térmica
• JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 janelas de safira de quartzo personalizáveis de forma irregular
• Lente de janela de safira personalizável assimétrica para câmeras e sensores industriais

Bolacha do carboneto de silicone

• Wafers de SiC de alta qualidade 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau sem dopagem
• Wafer SiC Epitaxial Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Indústria de Semicondutores de Alta Resistividade
• Substrato de SiC 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Grau P Grau D Grau
• Bolacha lustrada do carboneto de silicone 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm sic

Sapphire Tube

• Tubos de safira 99,999% AL2O3 Polido Fonte de íons de alta dureza Personalização EFG KY
• Tubos de safira transparentes AL2O3 Alta dureza KY EFG Polido Lon fonte de personalização
• Método KY de tubo de safira transparente polido Dimensão personalizada Alta dureza Alta resistência ao desgaste
• OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm Tubo de safira Alta temperatura e resistência ao desgaste Personalizavel

Bolacha do nitreto do gálio

• 2 bolacha do nitreto do gálio da polegada DSP SSP moldes Epitaxial de um GaN das carcaças da safira da linha central

Carcaça do semicondutor

• Mg Substrato Magnésio monocristalino hexagonal 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm Pureza 99,99%
• A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de regulamento que estabeleça as regras de execução do presente regulamento.
• Substrato de cobre Wafer / Substrato de cobre cúbico 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Pureza 99,99%
• Substrato de cobre de cristal único Cu 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A

equipamento de laboratório científico

• Forno de crescimento de SiC Boule PVT Tecnologias HTCVD e LPE para produção de SiC Boule de cristal único
• Máquina de corte de lingotes de SiC para 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 10 polegadas Velocidade de corte de SiC 0,3 mm/min Média
• Forno de crescimento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Forno de crescimento de SiC Boule para wafers de SiC de 6 polegadas e 8 polegadas
• Método de resistência do forno de crescimento monocristalino de carburo de silício 6 8 12 polegadas forno de crescimento de lingotes SiC