 |
Os cristais de sementes de SiC, especificamente aqueles com diâmetros de 153, 155, 205, 203 e 208 mm
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 |
|---|---|
| Preço: | undetermined |
|
Informação detalhada |
|||
| Estrutura cristalina: | 4H, 6H, 3C (mais comum: 4H para dispositivos de potência) | Dureza (Mohs): | 9.2-9.6 |
|---|---|---|---|
| orientação: | (0001) Caractere de Si ou de C | Resistividade: | 102-105 (semi-isolante) Ω·cm |
| Destacar: | Cristais de sementes de SiC,Cristais de sementes de SiC de diâmetro de 208 mm,Dureza Mohs 9 |
||
Descrição de produto
Cristais de sementes de SiC, especificamente os de diâmetros de 153, 155, 205, 203 e 208 mm
Resumo dos cristais de sementes de SiC
Os cristais de sementes de SiC são pequenos cristais com a mesma orientação cristalina do cristal desejado, servindo como sementes para o crescimento de um único cristal.Diferentes orientações dos cristais de sementes produzem cristais únicos com orientações variáveisCom base em suas aplicações, os cristais de sementes podem ser categorizados em sementes de cristal único extraídas de CZ (Czochralski), sementes derretidas por zona, sementes de safira e sementes de SiC.
Os materiais de SiC possuem vantagens tais como uma banda larga, alta condutividade térmica, alta força do campo de degradação crítica e alta velocidade de deriva de elétrons saturados,tornando-os altamente promissores na fabricação de semicondutores.
Os cristais de sementes de SiC desempenham um papel crucial na indústria de semicondutores e os seus processos de preparação são vitais para a qualidade dos cristais e a eficiência do crescimento.Escolher e preparar cristais de sementes de SiC adequados é fundamental para o crescimento de cristais de SiCOs diferentes métodos de crescimento e estratégias de controlo têm um impacto directo na qualidade e no desempenho dos cristais.A investigação das propriedades termodinâmicas e dos mecanismos de crescimento dos cristais de sementes de SiC ajuda a otimizar os processos de produção, melhorando tanto a qualidade do cristal como o rendimento.
A tabela de atributos dos cristais de sementes de SiC
| Imóveis | Valor / Descrição | Unidade / Notas |
| Estrutura cristalina | 4H, 6H, 3C (mais comum: 4H para dispositivos de potência) | Os politipos variam na sequência de empilhamento |
| Parâmetros da malha | a=3,073Å, c=10,053Å (4H-SiC) | Sistema hexagonal |
| Densidade | 3.21 | g/cm3 |
| Ponto de fusão | 3100 (sublimes) | °C |
| Conductividade térmica | 490 (°C), 390 (°C) (4H-SiC) | W/(m·K) |
| Expansão térmica | 4.2×10−6 (c), 4.68×10−6 (c) | K−1 |
| Espaço de banda | 3.26 (4H), 3.02 (6H), 2.36 (3C) | eV / 300K |
| Dureza (Mohs) | 9.2-9.6 | Segundo só ao diamante |
| Índice de refração | 2.65 633nm (4H-SiC) | |
| Constante dielétrica | 9.66 (c), 10.03 (c) (4H-SiC) | 1MHz |
| Campo de ruptura | ~3×106 | V/cm |
| Mobilidade dos elétrons | 900-1000 (4H) | cm2/v·s |
| Mobilidade dos buracos | 100-120 (4H) | cm2/v·s |
| Densidade de dislocação | < 103 (melhores sementes comerciais) | cm−2 |
| Densidade dos microtubos | < 0,1 (estado da técnica) | cm−2 |
| Ângulo fora de corte | Tipicamente 4° ou 8° em direcção a <11-20> | Para epitaxia controlada por passos |
| Diâmetro | 153 mm, 155 mm, 203 mm. | Disponibilidade comercial |
| Superfície rugosa | < 0,2 nm (pronto para epi) | Ra (poluição a nível atómico) |
| Orientação | (0001) Caractere de Si ou de C | Afeta o crescimento epitaxial |
| Resistividade | 102-105 (semi-isolamento) | Óm·cm |
Métodos de transporte físico de vapor (PVT)
Normalmente, os cristais únicos de SiC são gerados usando métodos de transporte físico de vapor (PVT).com o cristal de sementes de SiC posicionado na parte superiorO cadinho de grafite é aquecido à temperatura de sublimação do SiC, fazendo com que o pó de SiC se decomponha em espécies de vapor, como vapor de Si, Si2C e SiC2.Sob a influência de um gradiente de temperatura axial, esses gases sobem para o topo do cadinho, onde se condensam na superfície do cristal de semente de SiC, formando cristais únicos de SiC.
Atualmente, o diâmetro do cristal de semente usado para o crescimento de cristal único de SiC deve coincidir com o do cristal alvo.o cristal de sementes é fixado a um suporte de sementes na parte superior do cadinho utilizando um adesivoNo entanto, questões como a precisão do processamento da superfície do suporte de sementes e a uniformidade da aplicação do adesivo podem levar à formação de poros na interface do adesivo,resultando em defeitos de vácuo hexagonal.
Para resolver a questão da densidade da camada adesiva, várias soluções foram propostas por empresas e instituições de investigação, incluindo a melhoria da planície das placas de grafite,aumento da uniformidade da espessura da película adesivaApesar destes esforços, persistem problemas com a densidade da camada adesiva e existe o risco de descolamento dos cristais de sementes.Uma solução envolvendo a ligação da bolacha ao papel de grafite que se sobrepõe ao topo do cadinho foi implementada, resolvendo eficazmente o problema da densidade da camada adesiva e evitando o desprendimento dos cristais de sementes.
Perguntas e respostas
P: Quais os factores que afectam a qualidade dos cristais de sementes de SiC?
A:1.Perfeição Cristalina
2.Controle do politipo
3.Qualidade da superfície
4.Propriedades térmicas/mecânicas
5.Composição química
6.Parâmetros geométricos
7.Fatores induzidos pelo processo
8.Limitações da metrologia
Outros produtos afins