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Diâmetro de cristal de semente de SiC 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 a 3 |
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Informação detalhada |
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| Estrutura cristalina: | 4H, 6H, 3C (mais comum: 4H para dispositivos de potência) | Espaço de banda: | 3.26 (4H), 3.02 (6H), 2.36 (3C) eV /300K |
|---|---|---|---|
| Dureza (Mohs): | 9.2-9.6 | Ângulo fora de corte: | Tipicamente 4° ou 8° em direcção a <11-20> |
| Destacar: | 203mm SiC Seed Crystal (Cristal de sementes de SiC),153 mm SiC semente cristal,Cristais de sementes de SiC de 208 mm |
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Descrição de produto
Cristais de sementes de SiC com diâmetros de 153, 155, 205, 203 e 208 mm PVT
Resumo dos cristais de sementes de SiC
O carburo de silício (SiC) emergiu como um material vital na indústria de semicondutores devido às suas propriedades únicas, tais como uma banda larga, alta condutividade térmica,e resistência mecânica excepcionalOs cristais de sementes de SiC desempenham um papel crucial no crescimento de cristais únicos de SiC de alta qualidade, que são essenciais para várias aplicações, incluindo dispositivos de alta potência e alta frequência.
Os cristais de semente de SiC são pequenas estruturas cristalinas que servem como ponto de partida para o crescimento de cristais individuais de SiC maiores.Possuem a mesma orientação cristalina que o produto final desejadoO cristal de semente atua como um modelo, orientando o arranjo dos átomos no cristal em crescimento.
A tabela de atributos do cristal de sementes de SiC
| Imóveis | Valor / Descrição | Unidade / Notas |
| Estrutura cristalina | 4H, 6H, 3C (mais comum: 4H para dispositivos de potência) | Os politipos variam na sequência de empilhamento |
| Parâmetros da malha | a=3,073Å, c=10,053Å (4H-SiC) | Sistema hexagonal |
| Densidade | 3.21 | g/cm3 |
| Ponto de fusão | 3100 (sublimes) | °C |
| Conductividade térmica | 490 (°C), 390 (°C) (4H-SiC) | W/(m·K) |
| Expansão térmica | 4.2×10−6 (c), 4.68×10−6 (c) | K−1 |
| Espaço de banda | 3.26 (4H), 3.02 (6H), 2.36 (3C) | eV / 300K |
| Dureza (Mohs) | 9.2-9.6 | Segundo só ao diamante |
| Índice de refração | 2.65 @ 633nm (4H-SiC) | |
| Constante dielétrica | 9.66 (c), 10.03 (c) (4H-SiC) | 1MHz |
| Campo de ruptura | ~3×106 | V/cm |
| Mobilidade dos elétrons | 900-1000 (4H) | cm2/v·s |
| Mobilidade dos buracos | 100-120 (4H) | cm2/v·s |
| Densidade de dislocação | < 103 (melhores sementes comerciais) | cm−2 |
| Densidade dos microtubos | < 0,1 (estado da técnica) | cm−2 |
| Ângulo fora de corte | Tipicamente 4° ou 8° em direcção a <11-20> | Para epitaxia controlada por passos |
| Diâmetro | 100 mm (4"), 150 mm (6"), 200 mm (8") | Disponibilidade comercial |
| Superfície rugosa | < 0,2 nm (pronto para epi) | Ra (poluição a nível atómico) |
| Orientação | (0001) Caractere de Si ou de C | Afeta o crescimento epitaxial |
| Resistividade | 102-105 (semi-isolamento) | Óm·cm |
Diâmetros dos cristais de sementes de SiC
Os diâmetros típicos dos cristais de sementes de SiC variam de 153 mm a 208 mm, incluindo tamanhos específicos como 153 mm, 155 mm, 203 mm, 205 mm e 208 mm.Estas dimensões são selecionadas com base na aplicação pretendida e no tamanho desejado do cristal único resultante.
1. 153 mm e 155 mm Cristais de sementes
Esses diâmetros menores são frequentemente usados para configurações experimentais iniciais ou para aplicações que exigem wafers menores.Permitem aos investigadores explorar várias condições e parâmetros de crescimento sem a necessidade de, equipamentos mais caros.
2. 203 mm e 205 mm Cristais de sementes
Os diâmetros médios como estes são comumente utilizados para aplicações industriais.Estes tamanhos são frequentemente utilizados na produção de eletrônicos de potência e dispositivos de alta frequência.
3. 208 mm Cristais de sementes
Os maiores cristais de sementes disponíveis, tais como aqueles com um diâmetro de 208 mm, são tipicamente utilizados para produção em grande volume.que podem ser cortadas em várias wafers para fabricoEste tamanho é particularmente vantajoso nas indústrias automóvel e aeroespacial, onde são essenciais componentes de alto desempenho.
Métodos de crescimento para cristais de sementes de SiC
O crescimento de cristais únicos de SiC geralmente envolve vários métodos, sendo o método de transporte de vapor físico (PVT) o mais prevalente.
Preparação do crisol de grafite: O pó de SiC é colocado no fundo de um crisol de grafite.
Colocação do cristal de semente: o cristal de semente de SiC é posicionado no topo do cadinho.
Condensação: O vapor sobe para o topo do cadinho, onde se condensa na superfície do cristal de semente de SiC, facilitando o crescimento do único cristal.
Propriedades termodinâmicas
Os comportamentos termodinâmicos do SiC durante o processo de crescimento são críticos.O gradiente de temperatura e as condições de pressão devem ser cuidadosamente controladas para garantir taxas de crescimento ótimas e qualidade do cristalA compreensão destas propriedades ajuda a refinar as técnicas de crescimento e a melhorar o rendimento.
Desafios na produção de cristais de sementes de SiC
Embora o crescimento de cristais de sementes de SiC esteja bem estabelecido, vários desafios persistem:
1Densidade da camada adesiva
Quando os cristais de sementes são ligados aos suportes de crescimento, problemas como a uniformidade da camada adesiva podem levar a defeitos.
2Qualidade da superfície
A qualidade da superfície do cristal da semente é crucial para o crescimento bem-sucedido.
3Custo e escalabilidade
A produção de cristais maiores de sementes de SiC é muitas vezes mais cara e requer técnicas de fabricação avançadas.
Perguntas e respostas
P:Quais são as orientações mais comuns usadas no crescimento de SiC?
A:As diferentes orientações dos cristais de sementes de SiC produzem cristais únicos com características variáveis.com propriedades elétricas e térmicas distintas,A escolha da orientação afecta o desempenho do dispositivo final, tornando crucial a selecção do cristal de semente adequado.