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Bolacha do carboneto de silicone
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Sistema de controlo em tempo real SICOI 99,9% Algoritmo de precisão para robótica e máquinas CNC

Sistema de controlo em tempo real SICOI 99,9% Algoritmo de precisão para robótica e máquinas CNC

Nome da marca: ZMSH
Número do modelo: Sicoi
MOQ: 2
preço: 10 USD
Detalhes da embalagem: caixas personalizadas
Condições de pagamento: T/T
Informações detalhadas
Lugar de origem:
China
Material da camada do dispositivo:
Sic
Desligado:
No eixo
Espessura de SiC (19 Pts):
1000 Nm
Material de camada modificado:
Al2o3
Estrato de óxido Espessura do óxido (19 Pts):
3000Nm
Si Orientação da camada de substrato:
< 100>
Habilidade da fonte:
pelo caso
Destacar:

Sistema de controlo em tempo real de robótica

,

Máquinas CNC Sistema de controlo em tempo real

Descrição do produto

Sistema de Controle em Tempo Real SICOI 99,9% Algoritmo de Precisão para Robótica e Máquinas CNC

Introdução
SilícioCarburoemIsolador (SiCOI)finafilmesrepresentama)corte-bordaClassedecompostomateriais,criadoporintegraçãoa)alto-qualidade,simples...cristalSilíciocarburo (SiC)camadaNormalmente500para600Nanômetrosespessurapara cimaa)SilícioDióxido de carbono (SiO2)Base.Conhecidoparasuasuperiortérmicocondutividade,altoeléctricoDesagregaçãoresistência,eExcelenteresistênciaparaquímicodegradação,SiC,Quando?emparelhadoscomumisolamentosubstrato,permiteOdesenvolvimentodedispositivosCapazdeoperaçãode forma confiávelemextremapotência,frequência,etemperaturacondições.

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Princípio
SiCOIfinafilmespodeserFabricadosatravésCMOS-compatíveltécnicastaiscomoIões-corteeOrifíciosligação,FacilitarO seuintegraçãocomconvencionalsemicondutoresDispositivoPlataformas.

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Eu...CortarTécnica
Um.amplamenteutilizadasMétodoenvolveOIões-corte (Inteligente.Cortar)aproximação,ondea)finaSiCcamadaétransferidopara cimaa)SubstratoatravésiãoimplantaçãoseguidoporOrifíciosligação.Isto...metodologia,inicialmentedesenvolvidoparaProduçãode silício-em-isolador (IEA)Óleos essenciaisemescala,RostosdesafiosQuando?aplicadoparaCSI.Especificamente,iãoimplantaçãopodeintroduzirestruturaldefeitosemSiCquesãodifícilparareparaçãoatravéstérmicoaquecimento,liderançaparasubstancialÓpticoperdasemfotônicodispositivos.Além disso,Requeijãoemtemperaturasacima1000°CMaioconflitocomEspecíficoprocessolimitações.

ParasuperadoEsteslimitações,MecânicodiluiratravésmoagemequímicoMecânicopolir (CMP)podereduzirOSiC/SiO2SimcompostocamadaparaAbaixo1μm,rendimentoa)muitosuavesuperfície.Reativoiãogravação (RIE)OfertasumadicionaisdiluirrotaqueMinimizaÓpticoperdasemSiCOIPlataformas.Emparalelo,molhadooxidação-auxiliadoCMPtemmostradoeficáciaemReduçãosuperfícieirregularidadeseDispersãoefeitos,enquantosubsequentealto-temperaturaRequeijãopodereforçarem geralOrifíciosqualidade.

 

OrifíciosLigaçãoTecnologia
UmalternativaabordagemparaFabricaçãoSiCOIestruturasenvolveOrifíciosligação,ondeSilíciocarburo (SiC)ede silício (Sim)Óleos essenciaissãoUnidosempressão,UtilizaçãoOtermicamenteoxidadocamadasemambas as partessuperfíciesparaFormulárioa)A ligação.No entanto,térmicooxidaçãodeSiCpodeintroduzirlocalizadodefeitosemOSiC/óxidointerface.EstesimperfeiçõesMaioaumentoÓpticoPropagaçãoperdasoucriarcargacapturalocais.Além disso,OSiO2camadaemSiCéfrequentementeDepositoUtilizaçãoplasma-reforçadoquímicovapordeposição (PECVD),a)processoqueMaiointroduzirestruturalirregularidades.

 

ParaEndereçoEstesquestões,umMelhoradoMétodotemjá foidesenvolvidoparaFabricação3C-SiCOIchips,queutilizaAnódicoligaçãocomborosilicatoO vidro.Isto...TécnicaretémCheiocompatibilidadecomSilíciomicromecânica,CMOScircuitos,eSiC-baseadofotônicointegração.Alternativamente,amorfoSiCfilmespodeserdiretamenteDepositopara cimaSiO2/SimÓleos essenciaisatravésPECVDoupulverização,oferecera)SimplificadoeCMOS-amigávelFabricaçãorota.EstesavançossignificativamentereforçarOescalabilidadeeAplicabilidadedeSiCOITecnologiasemfotônica.

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Vantagens
Emcomparaçãoparacorrentematerialplataformastaiscomode silício-em-isolador (SOI),Silícionitruro (SiN),eLítioniobato-em-isolador (LNOI),OSiCOIplataformaOfertasdistintodesempenhoBenefíciosparafotônicoaplicações.Comsuaúnicopropriedades,SiCOIécada vez maisreconhecidocomoa)promissorcandidatoparaA seguir...geraçãoQuânticoTecnologias.É...ChaveVantagensincluem:

  • AmplaÓpticaTransparência:SiCOIExposiçõesaltotransparênciaem direcçãoa)larguraespectralfaixadeAproximadamente400nmpara5000nmenquantomanutençãobaixaÓpticoperdas,comGuia de ondasatenuaçãoNormalmenteAbaixo1dB/cm.

  • MultifuntcionaisCapacidade:Oplataformapermitevariadosfuncionalidades,incluindoElectro-Ópticamodulação,térmicoafinação,efrequênciacontrolo,fazer- Não.adequadoparacomplexointegradofotônicocircuitos.

  • Não linearÓpticaPropriedades:SiCOISuportesEm segundo lugar...harmonicageraçãoeoutrosnão linearefeitos,e- Não.tambémfornecea)viabilidadefundaçãoparasimples...fotãoemissãoatravésEngenhariacorCentros.

 

 

Aplicações

 


Sistema de controlo em tempo real SICOI 99,9% Algoritmo de precisão para robótica e máquinas CNC 4SiCOIMateriaisintegrarOsuperiortérmicocondutividadeealtoDesagregaçãotensãodeSilíciocarburo (SiC)comOExcelenteeléctricoisolamentoPropriedadesdeóxidocamadas,enquantosignificativamenteAumentarOÓpticoCaracterísticasdepadrãoSiCsubstratos.Isto...fazEles...muitoadequadoparaa)larguraDistânciadeavançadoaplicações,incluindointegradofotônica,QuânticoÓptica,ealto-desempenhopotênciaEletrónica.

 

Sistema de controlo em tempo real SICOI 99,9% Algoritmo de precisão para robótica e máquinas CNC 5Aplicação de alavancagemOSiCOIplataforma,pesquisadorestercom êxitoFabricadosvariadosalto-qualidadefotônicodispositivostaiscomodireitaguias de ondas,MicroringemicrodiscResonadores,fotônicocristalguias de ondas,Electro-ÓpticaModuladores,MachZehnderInterferômetros (Índices de MZ),eÓpticofeixedivididoras.EstescomponentessãocaracterizadoporbaixaPropagaçãoperdaseExcelentefuncionaldesempenho,fornecerrobustoInfraestruturaparaTecnologiasComo...Quânticocomunicação,fotônicosinaltransformação,ealto-frequênciapotênciasistemas.

 

Sistema de controlo em tempo real SICOI 99,9% Algoritmo de precisão para robótica e máquinas CNC 6PorUtilizandoa)finafilmeestruturaNormalmenteformadoporcolocação em camadassimples...cristalSiC (em volta500 ¢600nmespessura)para cimaa)Silíciodióxido de carbonoSubstratoSiCOIpermiteoperaçãoemexigenteambientesenvolvendoaltopotência,elevadostemperaturas,erádio-frequênciacondições.Isto...compostoProjetoposiçõesSiCOIcomoa)liderançaplataformaparaA seguir...geraçãoOptoeletrônicoseQuânticodispositivos.

 

Perguntas e respostas

Q1:- O que é?éa)SiCOI- O que é?
A1: ASiCOI (SilícioCarburoemIsolador)Orifícioséa)compostoEstruturaconstituídodea)finacamadadealto-qualidadesimples...cristalSilíciocarburo (SiC)ligadosouDepositoemumisolamentocamada,NormalmenteSilícioDióxido de carbono (SiO2).Isto...EstruturaCombinatóriosOExcelentetérmicoeeléctricoPropriedadesdeSiCcomOisolamentoBenefíciosdeumisolante,fazer- Não.muitoadequadoparaAplicaçõesemfotônica,potênciaEletrónica,eQuânticoTecnologias.

 

P2:- O que é?sãoOprincipalAplicaçãoÁreasdeSiCOI- Wafers? - Sim.
A2: SiCOIÓleos essenciaissãoamplamenteutilizadasemintegradofotônica,QuânticoÓptica,RFEletrónica,alto-temperaturadispositivos,epotênciasistemas.TipicocomponentesincluemMicroringResonadores,MachZehnderInterferômetros (Índices de MZ),Ópticoguias de ondas,Moduladores,microdiscResonadores,efeixedivididoras.

 

Q4:Como?sãoSiCOIÓleos essenciais- Fabricado?
A4: SiCOIÓleos essenciaispodeserProduzidoUtilizaçãovariadosmétodos,incluindoInteligente.Corte (Iões-corteeOrifíciosligação),directasligaçãocommoagemeCMP,Anódicoligaçãocomvidro,oudirectasdeposiçãodeamorfoSiCatravésPECVDou- Não, não.OescolhadeMétodoDependeemOAplicaçãoeDesejadoSiCfilmequalidade.

 

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