Carbono de silício (SiC) Tray cerâmico, gravação de semicondutores e manuseio de wafers fotovoltaicos

Introdução da bandeja cerâmica SIC- Não.
- Não.

A bandeja cerâmica SIC (Silicon Carbide Ceramic Tray) é uma ferramenta de transporte industrial de alto desempenho baseada em material de carburo de silício (SiC).Energia fotovoltaicaO processo de transformação de silicona é um processo de transformação de silicona, que consiste na obtenção de uma solução de silicona para a fabricação de metais pesados, de metais pesados e de metais pesados.e alta condutividade térmica, serve como substituto ideal para materiais tradicionais como o grafite e os metais em cenários industriais avançados..

Princípios fundamentaisTaça de cerâmica SIC- Não.
 

(1) Propriedades materiais

Resistência a altas temperaturas: ponto de fusão até 2700°C, funcionamento estável a 1800°C, adequado para processos a altas temperaturas (por exemplo, gravação ICP, MOCVD).
Alta condutividade térmica: 140­300 W/m·K (superior ao grafite e ao SiC sinterizado), garantindo uma distribuição uniforme do calor e minimizando a deformação induzida por tensões térmicas.
Resistência à corrosão: Resistente a ácidos fortes (por exemplo, HF, H2SO4) e álcalis, evitando contaminação ou danos estruturais.
Baixa expansão térmica: coeficiente de expansão térmica (4,0×10−6/K) próximo ao silício, reduzindo a deformação durante mudanças de temperatura.

(2) Projeto estrutural

Alta pureza e densidade: conteúdo de SiC ≥ 99,3%, porosidade ≈0, formado por sinterização a alta temperatura (2250 ∼ 2450 °C) para evitar a perda de partículas.
Dimensões personalizáveis: Suporta grandes diâmetros (por exemplo, φ600 mm) e recursos integrados (buracos de vácuo, ranhuras) para manuseio de wafer e pulverização a vácuo

Principais aplicaçõesTaça de cerâmica SIC- Não.
- Não.

(1) Fabricação de semicondutores

Processamento de wafer: Usado na gravação ICP e CVD (deposição química de vapor) para estabilizar o posicionamento da wafer.
Equipamento MOCVD: atua como um transportador para o crescimento de GaN (nitruro de gálio) em LEDs de alto brilho, resistentes a temperaturas de 1100-1200 °C.

(2) Energia fotovoltaica

Crescimento de cristais de silício: substitui os cristais de quartzo na produção de silício policristalino, tolerando temperaturas de fusão > 1420°C.

(3) Mecânica a laser e de precisão

Gravura/Corte: serve como plataforma para materiais gravados a laser, resistentes aos impactos de feixes de alta energia.

(4) Engenharia Química e Ambiental

Equipamento resistente à corrosão: utilizado em tubulações e reactores para manipulação agressiva de fluidos

Perguntas e RespostasTaça de cerâmica SIC
- Não.

P1: Como é que a SIC se compara com as bandejas de grafite?
R: SIC resiste a temperaturas mais elevadas (1800°C vs. ~1000°C) e evita a deslaminagem do revestimento.

P2: As bandejas SIC podem ser reutilizadas?
R: Sim, mas evitar impactos mecânicos e temperaturas extremas.

Q3: Módos de falha comuns?
Resposta: rachaduras por choque térmico ou tensão mecânica.

Q4: Adequado para ambientes de vácuo?
R: Sim. Alta pureza e baixa emissão de gases tornam-nos ideais para pulverização a vácuo e gravação de semicondutores.

Q5: Como escolher as especificações?
A: Considere a temperatura do processo, a capacidade de carga e a compatibilidade (por exemplo, bandejas de φ600 mm para grandes wafers)

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