 |
Placa de vácuo de SiC sólido – Placa de suporte ultraplana para processamento de wafers finos
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | mandril de vácuo para pastilha cerâmica ultrafina |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 2 |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | caixas personalizadas |
| Tempo de entrega: | 5-8 dias úteis |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | pelo caso |
|
Informação detalhada |
|||
| Estrutura cristalina: | Fase β FCC | Densidade: | 30,21 g/cm3 |
|---|---|---|---|
| Dureza: | 2500 | Tamanho do grão: | 2 ~ 10 μm |
| Purificação química: | 99.99995% | Capacidade térmica: | 640J·kg-1 ·K-1 |
| Destacar: | Placa de suporte de SiC com resistência à corrosão,Placa de suporte de SiC com condutividade térmica,Placa de suporte de SiC para MOCVD |
||
Descrição de produto
Introdução de chuque de vácuo SiC
A válvula de vácuo de wafer de cerâmica ultra-chata é feita com revestimento de carburo de silício (SiC) de alta pureza, projetado para processos avançados de manuseio de wafer.Optimizado para utilização em equipamentos de crescimento de MOCVD e semicondutores compostos, oferece uma excelente resistência ao calor e à corrosão, garantindo uma estabilidade excepcional em ambientes de processamento extremos.Isto contribui para uma melhor gestão do rendimento e confiabilidade na fabricação de wafers de semicondutores.
Sua configuração de baixo contato com a superfície ajuda a minimizar a contaminação por partículas traseiras, tornando-a ideal para aplicações de wafer altamente sensíveis onde a limpeza e a precisão são críticas.
Esta solução combina alto desempenho com eficiência de custos, apoiando ambientes de produção exigentes com desempenho fiável e duradouro.
Princípio de funcionamentoDe- Sim, sim. - Sim.
Em processos de alta temperatura, a placa transportadora de SiC serve de suporte para transportar wafers ou materiais de película fina.Melhorar a estabilidade e a uniformidade dos processosAlém disso, devido à sua dureza e inércia química, a chapa mantém a integridade estrutural mesmo em ambientes corrosivos, garantindo a pureza do produto e a segurança do equipamento.
Parâmetros de chuque de vácuo de wafer
| Principais especificações do revestimento CVD-SIC | ||
| Propriedades do SiC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | FCC fase β | |
| Densidade | g/cm3 | 3.21 |
| Dureza | Dureza de Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | μm | 2 ~ 10 |
| Purificação química | % | 99.99995 |
| Capacidade térmica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimação | °C | 2700 |
| Força Felexural | MPa (RT 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (4pt de curvatura, 1300°C) | 430 |
| Expansão térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividade térmica | (W/mK) | 300 |
Características da válvula de vácuo de wafer
● Capacidades ultra-planas
● Polido para espelhos
● Excepcionalmente leve
● Alta rigidez
● Baixa expansão térmica
● Diâmetro Φ 300 mm e superior
● Extrema resistência ao desgaste
Aplicações do chuque de vácuo poroso de SiC
Nas indústrias de semicondutores e optoeletrônicos, as wafers ultrafinas são frequentemente colocadas em tubos de vácuo de carburo de silício poroso (SiC).A pressão negativa é aplicada para segurar a bolacha no lugar sem pinças mecânicas.Isto permite um processamento preciso e estável durante as seguintes fases:
-
Instalação de cera
-
A redução da espessura (moagem ou laminação)
-
Desvaxagem
-
Limpeza
-
Cortar em pedaços / Serrar
O uso de uma válvula de vácuo SiC porosa de alta pureza garante excelente estabilidade térmica e química durante todos esses processos, minimizando a contaminação e mantendo a planície da bolacha.Sua superior resistência mecânica e condutividade térmica também reduzem o risco de quebra da bolacha durante o processamento, especialmente para substratos frágeis ou ultrafinos como GaAs, InP ou SiC.
Perguntas frequentes (FAQ)
Q1: Qual é o principal propósito de um chuck de vácuo poroso de SiC?
A:É usado parasegurar de forma segura as wafers finas ou frágeisdurante as etapas críticas de processamento, tais como a montagem de cera, o afinamento, a limpeza e o corte em pedaços.A sucção a vácuo através do material SiC poroso fornece uma aderência uniforme e estável sem danificar a superfície da bolacha.
Q2: Que materiais podem ser processados usando um chuck de vácuo de SiC?
A:Suporta uma ampla gama de materiais semicondutores, incluindo:
-
Silício (Si)
-
Arseneto de gálio (GaAs)
-
Fósforo de ínio (InP)
-
Carbono de silício (SiC)
-
Safiras
Estes são tipicamenteOrifícios finos ou frágeisque exijam um manuseamento estável durante o processamento de back-end.
P3: Qual é a vantagem do uso de SiC poroso em relação a barras metálicas ou cerâmicas?
A:O SiC poroso oferece várias vantagens:
-
Exexcelente condutividade térmica evitar o acúmulo de calor durante o processamento
-
Alta resistência mecânica- Minimiza o risco de deformação
-
Inercia química- compatível com produtos químicos de limpeza agressivos
-
Baixa geração de partículas- adequado para ambientes de salas limpas
-
Distribuição estável do vácuo∆ sucção uniforme através da superfície da bolacha
Produtos relacionados
12 polegadas Wafer SiC 300mm Wafer de carburo de silício condutivo Dummy Grau N-tipo de pesquisa