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Wafers SiC 2/3/4/6/8 /12 Inch 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Wafers de SiC 2/3/4/6/8 polegadas Tipo 4H-N Produção Fantasma Grau de Pesquisa |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
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| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Material: | SiC | Diameter: | 2/3/4/6/8 inch |
|---|---|---|---|
| Type: | 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI | Polish: | DSP/SSP |
| Destacar: | Wafers SiC de tipo 4H-N,Wafers de SiC de 8 polegadas,Wafers de SiC de 6 polegadas |
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Descrição de produto
Wafers SiC 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau de Alta Qualidade
1Abstracto.
As nossas bolinhas de alta qualidade do tipo 4H-N SiCestão disponíveis em tamanhos que vão de 2 a 12 polegadas, projetados para aplicações avançadas de semicondutores.Somos um dos poucos fabricantes com capacidade para produzir wafers de SiC de 8 polegadasO nosso compromisso com a alta qualidade e tecnologia avançada diferencia-nos na indústria de semicondutores.
2Descrição do produto e da empresa
2.1 Descrição do produto:
O nossoWafers SiC 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau de Alta QualidadeÉ projetado para atender aos rigorosos padrões dos laboratórios de pesquisa e fábricas de semicondutores.
- Eletrónica de potência para veículos eléctricos e sistemas de energia renovável
- Dispositivos de radiofrequência e microondas para telecomunicações
- Aplicações de alta temperatura e alta potência nos sectores aeroespacial e industrial
2.2 Descrição da empresa:
A nossa empresa (ZMSH)tem estado a concentrar-se no campo de safira paraMais de 10 anosTemos muita experiência emProdutos personalizadosTambém realizamos design personalizado e podemos ser OEM.ZMSHserá a melhor escolha considerando tanto o preço como a qualidade.Sinta-se à vontade para chegar!
3. Aplicações
Desbloqueie o potencial dos seus projectos de investigação e desenvolvimento comO nosso Wafers de SiC de alta qualidade 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R GrauProjetados especificamente para aplicações avançadas de semicondutores, os nossos substratos de nível de investigação oferecem qualidade e fiabilidade excepcionais.
- Laser:Os substratos de SiC permitem a produção de diodos laser de alta potência que operam de forma eficiente nas regiões de luz UV e azul.A sua excelente condutividade térmica e durabilidade tornam-nas ideais para aplicações que exigem desempenho fiável em condições extremas.
- Eletrônicos de consumo:Os substratos de SiC melhoram os ICs de gestão de energia, permitindo uma conversão de energia mais eficiente e uma vida útil da bateria mais longa.permitindo carregadores menores e mais leves, mantendo um elevado desempenho.
- Baterias a bordo de veículos elétricos: Os substratos de SiC melhoraram a eficiência energética e aumentaram a autonomia. A sua aplicação na infra-estrutura de carregamento rápido suporta tempos de carregamento mais rápidos, aumentando a conveniência para os utilizadores de veículos eléctricos.
4. Display do produto - ZMSH
5. Especificações de Wafer SiC
| Imóveis | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parâmetros da malha | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica | 5 × 10 × 6/K | 5 × 10 × 6/K |
| Índice de refração @750nm |
não = 2.61 ne = 2.66 |
não = 2.60 ne = 2.65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
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| Condutividade térmica (semisulante) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| Fenda de banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidade da deriva de saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
6Perguntas frequentes
6.1 A:Em que tamanhos estão disponíveis as bolinhas de SiC?
Q: Os substratos de SiC estão disponíveis em várias variedadesOs modelos de 8 polegadas podem ser fabricados em diferentes tamanhos, que variam de 2 polegadas a 12 polegadas de diâmetro.
6.2 A:Em que aplicações são normalmente utilizadas as bolhas de SiC?
P: Voltagem de ruptura mais elevada, melhor condutividade térmica, maior intervalo de banda.
6.3 A:Posso pedir wafers de SiC personalizados?
P: Claro! Nós temos produzido produtos personalizados por mais de 10 anos; por favor, entre em contato conosco para compartilhar os requisitos conosco.