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Quem somos nós

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Aplicável a vários cenários
Solução
  • Análise do caso da ZMSH: fornecedor líder de zafiros sintéticos coloridos de alta qualidade
    09-20 2024
    Análise do caso da ZMSH: fornecedor líder de zafiros sintéticos coloridos de alta qualidade     ResumoA ZMSH é uma importante fornecedora de safiras sintéticas de alta qualidade, oferecendo uma ampla gama de cores vibrantes como azul real, vermelho vivo, amarelo, rosa, rosa-laranja, roxo,E de tons de verde variados.As nossas safiras sintéticas são meticulosamente fabricadas para atender aos mais exigentes padrões da indústria,tornando-nos um parceiro de confiança para empresas que buscam soluções de pedras preciosas confiáveis e esteticamente atraentes.     Oferta chave: Pedras preciosas sintéticasO núcleo da linha de produtos da ZMSH são as nossas safiras sintéticas de cores, que não são apenas visualmente deslumbrantes, mas também altamente duráveis.oferecer consistência na qualidadeAo contrário das safiras naturais, que podem variar em tonalidade e clareza, as safiras sintéticas ZMSH® mantêm uma aparência uniforme e atendem às especificações do cliente com precisão.   Vantagens das gemas sintéticas Qualidade consistente: Os nossos safires sintéticos são produzidos sob condições controladas, garantindo uniformidade de cor, clareza e tamanho. Personalização de cores: O ZMSH oferece uma impressionante seleção de cores, incluindo azul real, vermelho vivo, amarelo e até mesmo tons raros como rosa-laranja e vários tons de verde (esmeralda e oliveira).Também podemos ajustar a intensidade da cor de acordo com os requisitos do cliente, tornando as nossas pedras preciosas ideais para jóias sob medida e aplicações industriais. Eficaz em termos de custos: As safiras sintéticas oferecem vantagens significativas em termos de custos sem comprometer a qualidade.torná-los acessíveis a uma gama mais ampla de mercados, dos bens de luxo às indústrias de alta tecnologia. Ecológico e éticoAs pedras preciosas sintéticas são uma alternativa sustentável às pedras preciosas extraídas.As empresas reduzem o impacto ambiental associado à mineração e evitam as preocupações éticas ligadas à obtenção de pedras preciosas naturais. Força e Durabilidade: As safiras sintéticas oferecem a mesma dureza e durabilidade que as safiras naturais, classificando-se em 9 na escala de Mohs.bem como para jóias de alta qualidade que exigem beleza e resistência. ConclusãoA ZMSH é líder na produção de safira sintética, fornecendo soluções de alta qualidade, personalizáveis e econômicas para uma variedade de indústrias.Com um forte foco na qualidade consistente e na produção ética, oferecemos uma gama inigualável de zafiros sintéticos de cores que atendem às necessidades estéticas e funcionais dos nossos clientes.Verde esmeralda para instrumentos de precisão, ou qualquer outra tonalidade vibrante, ZMSH garante a excelência em cada pedra preciosa que produzimos.
  • Estudo de caso: Inovação da ZMSH com o novo substrato 4H/6H-P 3C-N SiC
    09-19 2024
    História A ZMSH é há muito líder na tecnologia de wafer e substrato de carburo de silício (SiC), fornecendo substratos cristalinos 6H-SiC e 4H-SiC para a produção de alta frequência, alta potência, alta temperatura,e dispositivos eletrónicos resistentes à radiaçãoÀ medida que a procura do mercado por dispositivos electrónicos de maior desempenho continua a crescer, a ZMSH investiu em investigação e desenvolvimento,que resulta no lançamento de uma nova geração de substratos cristalinos 4H/6H-P 3C-N SiCEste produto integra substratos tradicionais de SiC do politipo 4H/6H com novas películas de SiC 3C-N,Proporcionar melhorias significativas no desempenho dos dispositivos eletrónicos de alta potência e de alta frequência de próxima geração. Análise dos produtos existentes: Substratos cristalinos de 6H-SiC e 4H-SiC Características do produto Estrutura cristalina: Tanto o 6H-SiC como o 4H-SiC têm estruturas cristalinas hexagonais.enquanto o tipo 4H proporciona uma maior mobilidade de elétrons e um intervalo de banda mais amplo (3.2 eV), tornando-se ideal para dispositivos de alta frequência e de alta potência. Tipo de condutividade: Suporta o tipo N ou semi-isolação, atendendo a vários requisitos de concepção do dispositivo. Conductividade térmica: Os substratos de SiC oferecem uma condutividade térmica entre 3,2 W/4,9 W/cm·K, assegurando uma efetiva dissipação de calor, que é crítica para a eletrónica de alta temperatura. Propriedades mecânicas: Com alta dureza (dureza de Mohs de 9,2), os substratos de SiC oferecem estabilidade mecânica, tornando-os adequados para aplicações resistentes ao desgaste e mecânicamente exigentes. Aplicações: Estes substratos são utilizados principalmente em dispositivos eletrônicos de potência, dispositivos de alta frequência e algumas aplicações de alta temperatura e resistência à radiação. Limitações técnicas Embora o 6H-SiC e o 4H-SiC tenham tido um bom desempenho no mercado, o seu desempenho ainda é insuficiente em certas aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura.Desafios como a elevada taxa de defeitos, a mobilidade limitada dos elétrons e as restrições de bandgap significam que o desempenho destes materiais ainda não atendeu plenamente às necessidades dos dispositivos eletrónicos de próxima geração.O mercado exige mais desempenho, materiais menos defeituosos para melhorar a eficiência e a estabilidade do dispositivo. Inovação no Novo Produto: Substratos de Cristal SiC 4H/6H-P 3C-N Para resolver as limitações dos materiais tradicionais 6H e 4H-SiC, a ZMSH introduziu o inovador4H/6H-P 3C-N SiCO novo produto melhora significativamente o desempenho do material através do crescimento epitaxial de películas de SiC 3C-N em substratos de SiC 4H/6H.     Avanços tecnológicos Tecnologia de integração de politipos: Utilizando a tecnologia de deposição química de vapor (CVD), as películas de 3C-SiC são cultivadas epitaxialmente com precisão em substratos de 4H/6H-SiC, reduzindo a incompatibilidade da rede e a densidade de defeitos,Melhorando assim a integridade estrutural do material. Melhoria da mobilidade dos elétrons: Em comparação com o tradicional 4H/6H-SiC, o cristal 3C-SiC oferece maior mobilidade eletrônica, tornando o novo material mais adequado para aplicações de alta frequência. Voltagem de ruptura superior: Os ensaios de desempenho elétrico mostram uma melhoria significativa da tensão de ruptura, tornando o produto mais adequado para aplicações de alta potência. Baixa taxa de defeitos: As condições de crescimento otimizadas reduziram significativamente os defeitos e deslocamentos cristalinos, permitindo que o material mantenha a estabilidade a longo prazo em ambientes de alta pressão e alta temperatura. Integração optoeletrónica: O 3C-SiC possui propriedades optoeletrônicas únicas, particularmente adequadas para detectores ultravioleta e outras aplicações optoeletrônicas, ampliando a gama de aplicações do produto. Principais vantagens do novo produto Mobilidade eletrônica e tensão de ruptura mais elevadas: Em comparação com o 6H e o 4H-SiC, o filme 3C-N SiC permite que os dispositivos eletrónicos funcionem de forma mais estável em condições de alta frequência e alta potência,com melhor eficiência de transmissão e maior vida útil do dispositivo. Melhoria da condutividade térmica e estabilidade: O novo material SiC apresenta uma condutividade térmica e estabilidade melhoradas a altas temperaturas, tornando-o ideal para aplicações acima de 1000°C. Propriedades optoeletrônicas integradas: As características optoeletrônicas do 3C-SiC aumentam ainda mais a competitividade dos substratos de SiC no mercado dos dispositivos optoeletrônicos,especialmente em aplicações de detecção ultravioleta e sensores ópticos. Estabilidade química e resistência à corrosão: O novo material SiC tem maior estabilidade em ambientes de corrosão e oxidação química, tornando-o adequado para ambientes industriais mais exigentes. Cenários de aplicação O novo4H/6H-P 3C-N SiCO substrato de cristal, com as suas propriedades eletrónicas e optoeletrónicas superiores, é ideal para as seguintes áreas-chave: Eletrónica de potência: Sua alta tensão de ruptura e excelente condutividade térmica tornam-na uma escolha ideal para dispositivos de alta potência, como MOSFETs, IGBTs e diodos Schottky. Dispositivos de RF e microondas de alta frequência: A elevada mobilidade dos elétrons faz com que funcione excepcionalmente bem em dispositivos de RF e microondas de alta frequência. Detectores de ultravioleta e optoeletrónica: As propriedades optoelectrónicas do 3C-SiC tornam o novo produto particularmente adequado para o desenvolvimento de detectores ultravioleta e sensores optoelectrónicos. Conclusão do caso e recomendação de novo produto A ZMSH lançou com êxito a nova geração de4H/6H-P 3C-N SiCsubstratos cristalinos através da inovação tecnológica, aumentando significativamente a competitividade dos materiais SiC nos mercados de aplicações de alta potência, alta frequência e optoeletrónica.Por meio do crescimento epitaxial de filmes de SiC 3C-N, o novo produto reduz as taxas de desequilíbrio e defeito da rede, melhora a mobilidade dos elétrons e a tensão de ruptura e garante uma operação estável a longo prazo em ambientes adversos.Este produto não é apenas adequado para a eletrónica de potência tradicional, mas também amplia os cenários de aplicação na optoeletrónica e detecção ultravioleta. A ZMSH recomenda aos seus clientes a adopção do novo4H/6H-P 3C-N SiCA partir daí, a empresa desenvolveu um novo sistema de transmissão de dados, que permite a utilização de substratos cristalinos para atender às exigências de desempenho crescentes dos futuros dispositivos de alta potência, alta frequência e optoeletrônicos.Os clientes podem melhorar o desempenho dos produtos e destacar-se num mercado cada vez mais competitivo. Recomendação do produto   4H/6H P-Type Sic Wafer 4 polegadas 6 polegadas Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Direção P-type Doping   As placas de carburo de silício (SiC) de tipo 4H e 6H P são materiais críticos em dispositivos de semicondutores avançados, especialmente para aplicações de alta potência e alta frequência.Alta condutividade térmica, e excelente resistência do campo de degradação tornam-no ideal para operações em ambientes adversos onde os dispositivos tradicionais à base de silício podem falhar.Obtido através de elementos como alumínio ou boro, introduz portadores de carga positiva (buracos), permitindo a fabricação de dispositivos de potência, como diodos, transistores e tiristores.
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