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8 polegadas 200mm polimento lingote de carboneto de silício substrato chip sic chip semicondutor
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | 8inch sic bolachas 4h-n |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 1-6weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Tipo 4H-N de cristal sic único | Categoria: | Categoria de /Production do manequim |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | lado dobro lustrado |
| Aplicação: | teste de lustro do fabricante do dispositivo | Diâmetro: | 200±0.5mm |
| Realçar: | Carboneto de silício de polimento de 200 mm,semicondutor de chip Sic,semicondutor Sic de 8 polegadas |
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Descrição de produto
Bolachas de lustro lustradas cerâmicas doslingotes da bolacha4H-NSIC do carboneto de silicone do fabricante da bolacha da bolacha da bolacha de silicone de CorrosionSingle do carboneto da carcaça/silicone do tamanho feito sob encomenda único lado de cristal excelente cerâmico sic sic/dascarcaçasdoúnicocristaldecarbonetodesiliconedodiâmetro150mmpurezaalta4H-N4inch6inch(sic), doslingotescarcaçassicde cristaldosemicondutorsic, desiliconedecarbonetodoWafer/de cristaldeCustomzieddo como-cortebolachassic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da divisão | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de tração da saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Propriedades físicas & eletrônicas de
Energia larga Bandgap (eV)
4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: Si 1,43: 1,12
Os dispositivos eletrónicos formaram em sic podem operar-se extremamente em altas temperaturas sem sofrimento dos efeitos intrínsecos da condução devido ao bandgap largo da energia. Também, esta propriedade reserva sic emitir-se e detectar a luz curto do comprimento de onda que faz a fabricação de diodos luminescentes azuis e dos fotodetector UV cegos quase solares possíveis.
Campo elétrico da divisão alta [V/cm (para uma operação de 1000 V)]
4H-SiC: 2,2 x 106* 6H-SiC: 2,4 x 106* GaAs: si 3 x 105: 2,5 x 105
Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos muito de alta tensão, de alta potência tais como diodos, de transitors do poder, de tiristores e de proteções contra sobrecarga do poder, assim como de dispositivos da micro-ondas do poder superior. Adicionalmente, permite que os dispositivos sejam colocados muito perto junto, fornecendo a densidade de embalagem alta do dispositivo para circuitos integrados.
Condutibilidade térmica alta (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0,5 si: 1,5
É sic um condutor térmico excelente. O calor fluirá mais prontamente completamente sic do que outros materiais do semicondutor. De fato, na temperatura ambiente, tem sic uma condutibilidade térmica mais alta do que todo o metal. Esta propriedade permite sic dispositivos de operar-se extremamente a níveis do poder superior e de dissipar ainda as grandes quantidades de calor adicional geradas.
Velocidade de tração saturada alta do elétron [cm/sec (@ V/cm do ≥ 2 x 105 de E)]
Mostra do produto:
4H-SiC: 2,0 x 107 6H-SiC: 2,0 x 107 GaAs: si 1,0 x 107: 1,0 x 107
Sic os dispositivos podem operar-se em altas frequências (RF e micro-ondas) devido à velocidade de tração saturada alta do elétron de sic.
Sobre ZMKJ Empresa
ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
FAQ:
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: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
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Q: Que é o prazo de entrega?
: (1) para os produtos padrão
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.
Q: Você tem produtos padrão?
: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.