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Detalhes dos produtos

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Bolacha do carboneto de silicone
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Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm

Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm

Nome da marca: ZMKJ
Número do modelo: sic bolachas 2inch
MOQ: 25PCS
preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Informações detalhadas
Lugar de origem:
China
Material:
4h-N de cristal sic único
Categoria:
Categoria da produção
Thicnkss:
0.4mm
Suraface:
dobrou
Aplicação:
para o teste polonês
Diâmetro:
2inch
Cor:
Verde
MPD:
<2cm-2>
Habilidade da fonte:
5000Pcs/Month
Destacar:

bolacha de 6mm SIC

,

Carboneto de silicone de 4 H-N Type SIC

,

MOS Device Silicon Carbide Wafer

Descrição do produto

 

espessura da bolacha 1mm da semente de 2inch 4/6inch dia50.6mm sic para o crescimento do lingote

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas da categoria 4H-N 1.5mm SIC da produção 4inch das bolachas sic para o cristal de semente

camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic

 

Considerando o cristal do carboneto de silicone (sic)

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

 Sic aplicação

  • 1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
carcaça Speicfication do carboneto de silicone do diâmetro 2inch (sic)
Categoria
Categoria zero de MPD
Categoria da produção
Categoria da pesquisa
Categoria do manequim
Diâmetro
50.6mm±0.2mm
Espessura
1000±25um ou a outra espessura personalizada
Orientação da bolacha
Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidade de Micropipe
cm2 ≤0
cm2 ≤2
cm2 ≤5
cm2 ≤30
Resistividade 4H-N
0.015~0.028 Ω•cm
Resistividade 4/6H-SI
≥1E7 Ω·cm
Plano preliminar
{10-10} ±5.0° ou forma redonda
Comprimento liso preliminar
18,5 mm±2.0 milímetro ou forma redonda
Comprimento liso secundário
10.0mm±2.0 milímetro
Orientação lisa secundária
Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal
Exclusão da borda
1 milímetro
TTV/Bow /Warp
≤10μm/≤10μm/≤15μm
Aspereza
Ra≤1 polonês nanômetro/CMP Ra≤0.5 nanômetro
Quebras pela luz da alta intensidade
Nenhum
1 reservado, ≤2 milímetro
≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm
Encantar chapeia pela luz da alta intensidade
Área cumulativa ≤1%
Área cumulativa ≤1%
Área cumulativa ≤3%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade
Nenhum
Área cumulativa ≤2%
Área cumulativa ≤5%
Riscos pela luz da alta intensidade
3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
microplaqueta da borda
Nenhum
3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um
5 reservados, ≤1 milímetro cada um

Exposição do produto

Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 0Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 1

Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 2
 
 
 
 
 
 
 
Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 3Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 4
Bolacha 4H do carboneto de silicone de SIC - tipo de N para MOS Device 2inch Dia50.6mm 5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sic tamanho comum de ApplicationCatalohue em nosso estoque

4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic

2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H
4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H

4H queisola/bolacha pureza alta sic

2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
 
 
6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H
 
Tamanho de Customzied para 2-6inch
 


Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica eletrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.
É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

 

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem sua própria conta expressa, é grande.
Q: Como pagar?
(1) T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram e
Pagamento da segurança em Alibaba e etc….
(2) taxa de banco: Union≤USD1000.00 ocidental),
T/T -: sobre 1000usd, por favor por t/t
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(1) para o inventário: o prazo de entrega é 5 dias úteis.
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Sim, nós podemos personalizar o material, as especificações e o revestimento ótico para seus componentes óticos baseados em suas necessidades.