12 polegadas Wafer SiC 300mm Wafer de carburo de silício condutivo Dummy Grau N-tipo de pesquisa
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | porcelana |
Marca: | ZMSH |
Número do modelo: | Sapphire Wafer |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 25 |
---|---|
Tempo de entrega: | 4-6 semanas |
Termos de pagamento: | T/T |
Informação detalhada |
|||
Material: | Bolacha do carboneto de silicone | Espessura: | 3mm (a outra espessura aprovada) |
---|---|---|---|
Superfície: | DSP | TTV: | <15um |
Incline-se.: | <20um | Warp.: | <30um |
Dia: | 12 polegadas 300 mm | ||
Destacar: | Wafer de SiC de 12 polegadas,Do manequim da categoria bolacha condutora sic |
Descrição de produto
Resumo
O carboneto de silício (SiC), como um material semicondutor de terceira geração de ampla banda proibida, oferece propriedades superiores, como alta resistência ao campo de ruptura (>30 MV/cm), excelente condutividade térmica (>1.500 W/m·K) e alta mobilidade de elétrons. Esses atributos tornam o SiC crítico para aplicações avançadas em 5G, veículos elétricos (VEs) e energia renovável. À medida que a indústria muda para a produção em massa, a adoção de wafers de SiC de 12 polegadas (também conhecidos como wafers de SiC de 300 mm) desempenha um papel crucial no aumento da produção e na redução de custos. A transição para wafers de SiC de grande diâmetro não apenas suporta maiores rendimentos de dispositivos e desempenho aprimorado, mas também permite uma redução anual de custos de 15%-20% (dados da Yole), acelerando a comercialização de soluções baseadas em SiC.
Principais Vantagens:
- Eficiência energética do wafer SiC de 12 polegadas: Dispositivos baseados em SiC reduzem o consumo de energia em **até 70%** em comparação com o silício em aplicações de alta tensão/corrente.
- Wafer SiC de 12 polegadas Gerenciamento térmico: Opera de forma estável a **200°C+** em ambientes automotivos e aeroespaciais.
- Wafer SiC de 12 polegadas Integração de sistemas: Permite fatores de forma **50%-80% menores** para módulos de energia, liberando espaço para componentes adicionais.
Introdução da Empresa
Nossa empresa, ZMSH, tem sido um player proeminente na indústria de semicondutores por mais de uma década, ostentando uma equipe profissional de especialistas de fábrica e pessoal de vendas. Somos especializados em fornecer soluções personalizadas de wafer de safira e wafer de SiC, incluindo wafers de SiC de 12 polegadas e wafers de SiC de 300 mm, para atender às diversas necessidades dos clientes em todos os setores de alta tecnologia. Seja em projetos personalizados ou serviços OEM, a ZMSH está equipada para fornecer produtos de wafer SiC de alta qualidade com preços competitivos e desempenho confiável. Estamos comprometidos em garantir a satisfação do cliente em todas as etapas e convidamos você a entrar em contato conosco para obter mais informações ou para discutir suas necessidades específicas.
Parâmetros Técnicos do Wafer de Silício
Parâmetro | Especificação |
---|---|
Politipo
|
4H SiC |
Tipo de Condutividade
|
N |
Diâmetro
|
300,00 ± 0,5 mm
|
Espessura |
700 ± 50 µm
|
Eixo de Orientação da Superfície do Cristal
|
4,0° em direção a <11-20> ± 0,5°
|
Profundidade do entalhe
|
1~1,25mm
|
Orientação do entalhe
|
<1-100> ± 5°
|
Face Si
|
CMP polido
|
Face C
|
CMP polido
|
Aplicações de Wafer SiC
1. Veículos Elétricos
Dispositivos de energia baseados em SiC de 12 polegadas revolucionam o design de VE, abordando limitações-chave do silício:
- Maior Eficiência: Permite maiores alcances de condução e carregamento mais rápido em condições extremas (por exemplo, arquiteturas de 800V).
- Estabilidade Térmica: Funciona de forma confiável em ambientes agressivos (por exemplo, sistemas de gerenciamento de calor da bateria).
- Otimização de Espaço: Reduz o tamanho dos componentes em até 50%, liberando espaço para sensores avançados e sistemas de segurança.
2. Energia Renovável
A tecnologia SiC de 300 mm acelera a adoção de energia solar e eólica:
- Inversores Solares: Aumenta a eficiência da integração à rede, reduzindo a perda de energia durante a conversão de energia.
- Turbinas Eólicas: Suporta maiores densidades de energia em sistemas offshore, reduzindo os custos de instalação por watt.
3. 5G e Telecomunicações
SiC de 300 mm aborda desafios críticos na implantação de redes 5G:
- OPERAÇÃO DE ALTA FREQUÊNCIA: Permite a transmissão de dados ultrarrápida (por exemplo, bandas mmWave) com perda mínima de sinal.
- Eficiência Energética: Reduz o consumo de energia em estações base em até 40%, alinhando-se com as metas de sustentabilidade das operadoras de telecomunicações.
4. Eletrônicos Industriais e de Consumo
SiC impulsiona a inovação em diversos setores:
- Automação Industrial: Alimenta motores e inversores de alta tensão em fábricas, melhorando a produtividade e a reutilização de energia.
- Dispositivos de Consumo: Permite carregadores e adaptadores de energia compactos e de alto desempenho para laptops e smartphones.
Exibição do Produto - ZMSH
Wafer SiC FAQ
Q: Como o SiC de 12 polegadas se compara ao silício em termos de confiabilidade a longo prazo?
A: A estabilidade em altas temperaturas e a
resistência à radiação do SiC de 12 polegadas o tornam mais durável em ambientes agressivos (por exemplo, VEs, aeroespacial). Apoiamos os clientes com a
para garantir a conformidade com os rigorosos padrões de confiabilidade. e
testes de envelhecimento acelerado
para garantir a conformidade com os rigorosos padrões de confiabilidade.Q:
Quais são os principais desafios na adoção da tecnologia SiC hoje?