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12 polegadas Wafer SiC 300mm Wafer de carburo de silício condutivo Dummy Grau N-tipo de pesquisa
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | porcelana |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Sapphire Wafer |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 4-6 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Materiais: | Bolacha do carboneto de silicone | Thickness: | 3mm(other Thickness Ok) |
|---|---|---|---|
| Surface: | DSP | TTV: | <15um |
| BOW: | ＜20um | Warp.: | <30um |
| Dia: | 12inch 300mm | ||
| Destacar: | Wafer de SiC de 12 polegadas,Do manequim da categoria bolacha condutora sic |
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Descrição de produto
12 polegadas Wafer SiC 300mm Wafer de carburo de silício condutivo Dummy Grau N-tipo de pesquisa
Resumo
O carburo de silício (SiC), como material semicondutor de banda larga de terceira geração, oferece propriedades superiores, tais como alta resistência ao campo de degradação (> 30 MV/cm), excelente condutividade térmica (> 1,500 W/m·K), e alta mobilidade eletrônica. Esses atributos tornam o SiC crítico para aplicações avançadas em 5G, veículos elétricos (EVs) e energia renovável.A adopção deWafers de SiC de 12 polegadas(também conhecido comoWafers de SiC de 300 mmA transição para o mercado internoWafers de SiC de grande diâmetroO sistema de controlo de desempenho permite que os dispositivos sejam mais eficientes e melhorem o seu desempenho.Redução anual de custos de 15% a 20%(de acordo com os dados de Yole), acelerando a comercialização de soluções à base de SiC.
Principais vantagens:
- Eficiência energética da wafer SiC de 12 polegadas: dispositivos baseados em SiC reduzem o consumo de energia em ** até 70% ** em comparação com o silício em aplicações de alta tensão / corrente.
- - Não.Wafer de SiC de 12 polegadasGestão térmica: funciona de forma estável a **200°C+** em ambientes automotivos e aeroespaciais.
- Wafer de SiC de 12 polegadasIntegração do sistema: permite fatores de forma 50%-80% menores para módulos de potência, liberando espaço para componentes adicionais.
Companhia Introdução
A nossa empresa, a ZMSH, é um importante player na indústria de semicondutores há mais de uma década, com uma equipa profissional de especialistas da fábrica e pessoal de vendas.Nós somos especializados em fornecer personalizadoOrifícios de safiraeWafer de SiCsoluções, incluindoWafers de SiC de 12 polegadaseWafers de SiC de 300 mmA ZMSH está equipada para fornecer serviços de design sob medida ou serviços OEM.produtos de wafer de SiC de alta qualidadecom preços competitivos e desempenho fiável.Estamos empenhados em garantir a satisfação do cliente em todas as fases e convidamo-lo a contactar-nos para mais informações ou para discutir as suas necessidades específicas.
Parâmetros técnicos da bolacha de silício
| Parâmetro- Não. | - Não.Especificações- Não. | - Não.Valor típico- Não. | - Não.Notas- Não. |
|---|---|---|---|
| Diâmetro | 300 mm ± 50 μm | Norma SEMI M10 | Compatível com ASML, AMAT e ferramentas epitaxiais |
| Tipo de cristal | 6H-SiC (Primário) / 4H-SiC | - | 6H domina aplicações de alta frequência/alta tensão |
| Tipo de doping | Tipo N/tipo P | Tipo N (1-5 mΩ·cm) | Tipo P: 50-200 mΩ·cm (utilizações especializadas) |
| Espessura | 1000 μm (padrão) | 1020 μm | Opções de afrouxamento até 100 μm (MEMS) |
| Qualidade da superfície | Limpeza padrão RCA | ≤ 50 Å RMS | Adequado para o crescimento epitaxial da MOCVD |
| Densidade de defeito | Micro-tubos/dislocações | < 1.000 cm−2 | O recozimento a laser reduz os defeitos (rendimento > 85%) |
Aplicações de Wafer SiC
1. Veículos elétricos- Não.
Dispositivos de energia baseados em SiC de 12 polegadas revolucionam o design de veículos elétricos abordandoprincipais limitações do silício:
- - Não.Maior eficiência: Permite uma autonomia maior e uma carga mais rápida em condições extremas (por exemplo, arquiteturas de 800 V).
- - Não.Estabilidade térmicaFunciona de forma fiável em ambientes adversos (por exemplo, sistemas de gestão de calor de baterias).
- - Não.Optimização do espaço: Reduz o tamanho dos componentes em até 50%, liberando espaço para sensores e sistemas de segurança avançados.
2Energia renovável- Não.
A tecnologia de 300 mm SiC acelera a adopção deEnergia solar e eólica:
- - Não.Inversores solares: Melhora a eficiência da integração da rede, reduzindo a perda de energia durante a conversão de energia.
- - Não.Turbinas de vento: Suporta densidades de potência mais elevadas nos sistemas offshore, reduzindo os custos de instalação por watt.
35G e telecomunicações- Não.
300 mm SiC aborda desafios críticos emImplementação da rede 5G:
- - Não.Operação de alta frequência: Permite a transmissão de dados ultra-rápidos (por exemplo, bandas de mmWave) com perda mínima de sinal.
- - Não.Eficiência energética: Reduz o consumo de energia nas estações de base em até 40%, em conformidade com os objectivos de sustentabilidade dos operadores de telecomunicações.
4Eletrónica Industrial e de Consumo- Não.
A SiC impulsiona a inovação em diversos sectores:
- - Não.Automatização industrial: Alimenta motores e inversores de alta tensão nas fábricas, melhorando a produtividade e a reutilização da energia.
- - Não.Dispositivos de consumo: permite carregadores compactos e de alto desempenho e adaptadores de energia para laptops e smartphones.
Display do produto - ZMSH
Wafer de SiCFAQ
P: Como o SiC de 12 polegadas se compara ao silício em confiabilidade a longo prazo?
A:12 polegadas. A estabilidade de alta temperatura e a resistência à radiação do SiC® tornam-no mais durável em ambientes adversos (por exemplo, veículos elétricos, aeroespacial).Apoiamos os clientes com a certificação AEC-Q101 e testes de envelhecimento acelerados para garantir a conformidade com os rigorosos padrões de confiabilidade.
P:Quais são os principais desafios da adoção da tecnologia SiC hoje?
A: Embora o SiC ofereça um desempenho superior, o custo e a maturidade continuam a ser barreiras para a adoção em massa.As tendências da indústria mostram reduções anuais de custos de 15% a 20% (dados da Yole) e o aumento da procura dos fabricantes de automóveis e das energias renováveis estão a acelerar a adopçãoAs nossas soluções abordam estes desafios através da produção em escala e da validação da fiabilidade comprovada.
P: O SiC pode ser integrado com sistemas existentes baseados em silício?
A:Sim! os dispositivos SiC usam embalagens compatíveis (por exemplo, TO-247) e configurações de pinos, permitindo atualizações perfeitas.são necessários projetos de gate-drive otimizados para aproveitar plenamente os benefícios de alta frequência do SiC.