Nome da marca: | ZMSH |
Número do modelo: | Sapphire Wafer |
MOQ: | 25 |
Condições de pagamento: | T/T |
Resumo
O carboneto de silício (SiC), como um material semicondutor de terceira geração de ampla banda proibida, oferece propriedades superiores, como alta resistência ao campo de ruptura (>30 MV/cm), excelente condutividade térmica (>1.500 W/m·K) e alta mobilidade de elétrons. Esses atributos tornam o SiC crítico para aplicações avançadas em 5G, veículos elétricos (VEs) e energia renovável. À medida que a indústria muda para a produção em massa, a adoção de wafers de SiC de 12 polegadas (também conhecidos como wafers de SiC de 300 mm) desempenha um papel crucial no aumento da produção e na redução de custos. A transição para wafers de SiC de grande diâmetro não apenas suporta maiores rendimentos de dispositivos e desempenho aprimorado, mas também permite uma redução anual de custos de 15%-20% (dados da Yole), acelerando a comercialização de soluções baseadas em SiC.
Principais Vantagens:
Nossa empresa, ZMSH, tem sido um player proeminente na indústria de semicondutores por mais de uma década, ostentando uma equipe profissional de especialistas de fábrica e pessoal de vendas. Somos especializados em fornecer soluções personalizadas de wafer de safira e wafer de SiC, incluindo wafers de SiC de 12 polegadas e wafers de SiC de 300 mm, para atender às diversas necessidades dos clientes em todos os setores de alta tecnologia. Seja em projetos personalizados ou serviços OEM, a ZMSH está equipada para fornecer produtos de wafer SiC de alta qualidade com preços competitivos e desempenho confiável. Estamos comprometidos em garantir a satisfação do cliente em todas as etapas e convidamos você a entrar em contato conosco para obter mais informações ou para discutir suas necessidades específicas.
Parâmetros Técnicos do Wafer de Silício
Parâmetro | Especificação |
---|---|
Politipo
|
4H SiC |
Tipo de Condutividade
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N |
Diâmetro
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300,00 ± 0,5 mm
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Espessura |
700 ± 50 µm
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Eixo de Orientação da Superfície do Cristal
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4,0° em direção a <11-20> ± 0,5°
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Profundidade do entalhe
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1~1,25mm
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Orientação do entalhe
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<1-100> ± 5°
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Face Si
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CMP polido
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Face C
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CMP polido
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Aplicações de Wafer SiC
1. Veículos Elétricos
Dispositivos de energia baseados em SiC de 12 polegadas revolucionam o design de VE, abordando limitações-chave do silício:
2. Energia Renovável
A tecnologia SiC de 300 mm acelera a adoção de energia solar e eólica:
3. 5G e Telecomunicações
SiC de 300 mm aborda desafios críticos na implantação de redes 5G:
4. Eletrônicos Industriais e de Consumo
SiC impulsiona a inovação em diversos setores:
Exibição do Produto - ZMSH
Q: Como o SiC de 12 polegadas se compara ao silício em termos de confiabilidade a longo prazo?
A: A estabilidade em altas temperaturas e a
resistência à radiação do SiC de 12 polegadas o tornam mais durável em ambientes agressivos (por exemplo, VEs, aeroespacial). Apoiamos os clientes com a
para garantir a conformidade com os rigorosos padrões de confiabilidade. e
testes de envelhecimento acelerado
para garantir a conformidade com os rigorosos padrões de confiabilidade.Q:
Quais são os principais desafios na adoção da tecnologia SiC hoje?