Nome da marca: | ZMSH |
Número do modelo: | terminal |
MOQ: | 1 |
preço: | by case |
Detalhes da embalagem: | caixas personalizadas |
Condições de pagamento: | T/t |
OBraço de garfo de cerâmica SiC, também conhecido comoEfetor de extremidade cerâmica, é um componente robótico de alto desempenho projetado para aplicações de manuseio de wafer ultralimpo e de alta precisão na fabricação de semicondutores.Cerâmica de carburo de silício (SiC), este efetor final oferece uma resistência mecânica excepcional, baixa expansão térmica e excelente resistência química, tornando-o ideal para ambientes de processo exigentes, como câmaras de vácuo,zonas de alta temperatura, e atmosferas de gases corrosivos.
Ao contrário dos efetores tradicionais de metal ou quartzo, o braço de garfo cerâmico de SiC garante a geração mínima de partículas e distorção térmica,oferecendo fiabilidade a longo prazo e alinhamento de precisão para transferência de wafer, posicionamento e operações de carga/descarga.
OEfetor de ponta cerâmico de SiCé fabricado utilizandocarburo de silício ligado por reação (RB-SiC)ouCarburo de silício sinterizado sem pressão (SSiC)O processo de produção inclui tipicamente:
Processamento de pó: O pó de SiC de alta pureza é misturado com ligantes e aditivos.
Moagem/Formação: Utilização de técnicas como a prensagem isostática a frio (CIP) ou a moldagem por injecção para formar geometrias complexas, incluindo braços de garfo finos ou estruturas de ponta.
Sinterização: O tratamento térmico a temperaturas superiores a 2000°C garante uma elevada densificação, resistência e uniformidade microstruturais.
Mecânica de precisão: A rectificação CNC e o polimento de diamantes são utilizados para obter tolerâncias dimensionais até micrômetros e superfícies ultraplanas, minimizando os danos às wafers.
Inspecção final: Os testes não destrutivos (NDT), as verificações dimensionais e os testes de rugosidade da superfície garantem que cada efetor final cerâmico atenda aos padrões de grau de semicondutor.
Este processo inteiro assegura aEfector finalmantém uma excelente rigidez, propriedades de leveza e não-reatividade em ambientes de trabalho desafiadores.
OEfector de braço/fim de garfo de cerâmica SiCé amplamente utilizado em campos de semicondutores, fotovoltaicos e microeletrônicos.
Sistemas de transferência de wafer: Para manipulação de wafers de 6 a 12 polegadas durante a fabricação de IC.
Armas robóticas em câmaras de vácuo: Para pick-and-place em processos de gravação em seco, ALD e CVD.
Portos de carga FOUP/FOSB: Integração em sistemas robóticos para transferência de wafers entre portadores e módulos de processo.
Automatização de salas limpas: Em linhas de produção de semicondutores de alto rendimento, onde o manuseamento ultralimpo é essencial.
Processamento a laser ou recozimento: onde a resistência a altas temperaturas e a não contaminação são críticas.
É...Efector finalA função assegura um aperto delicado mas firme das wafers semicondutoras sem tensão mecânica ou contaminação.
Alta pureza: Excelente resistência à contaminação.
Estabilidade térmica: Mantenha a rigidez e a forma sob ciclo térmico.
Baixa expansão térmicaPrevine a deformação térmica, melhorando o alinhamento da bolacha.
Resistência química: Inerte a gases corrosivos e ambientes de plasma.
Força mecânica: Resistente a fraturas, fragmentações e deformações sob carga mecânica.
Superfície plana: As superfícies de contato ultra suaves reduzem o risco de arranhões na bolacha.
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades do SiC-CVD |
||
Estrutura cristalina |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm3 |
3.21 |
Dureza |
Dureza de Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2 ~ 10 |
Purificação química |
% |
99.99995 |
Capacidade térmica |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
°C |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (4pt de curvatura, 1300°C) |
430 |
Expansão térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividade térmica |
(W/mK) |
300 |
P1: Por que escolher um efetor de extremidade de cerâmica SiC em vez de quartzo ou alumínio?
A1:A cerâmica SiC oferece uma resistência térmica superior, resistência mecânica e vida útil mais longa em comparação com materiais de quartzo ou metal, especialmente em ambientes de plasma áspero ou de alta temperatura.
P2: Os braços de garfo de cerâmica podem ser personalizados para caber no tamanho do meu robô ou wafer?
A2:Oferecemos personalização completa da geometria do braço do garfo, dimensões das ranhuras e interfaces de montagem para combinar com o seu sistema robótico e as especificações da bolacha.
P3: Estes efetores finais são seguros para utilização em sistemas de vácuo ou plasma?
A3:A cerâmica SiC é totalmente compatível com ambientes de ultra-alto vácuo (UHV), gravura por plasma e gravura por íons reativos (RIE) devido à sua inércia química e baixa emissão de gases.
Q4: Quão durável é o braço de garfo de cerâmica SiC sob uso repetitivo?
A4:A alta dureza e tenacidade do SiC® permitem que ele resista a ciclos térmicos repetidos e manipulação mecânica sem degradação, tornando-o ideal para ambientes de produção contínua.
P5: Fornece testes ou certificações para cada efetor final?
A5:Sim, todos os produtos são submetidos a uma rigorosa inspeção dimensional, testes de planura e verificação de materiais.
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A ZMSH é especializada em desenvolvimento de alta tecnologia, produção e vendas de vidro óptico especial e novos materiais cristalinos.Oferecemos componentes ópticos SapphireCom conhecimentos especializados e equipamentos de ponta, nos destacamos no processamento de produtos não-padrão.,O objectivo é ser uma empresa líder em matéria de alta tecnologia optoelectrónica.