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Sapphire Wafer 4 polegadas DSP SSP 0001 C Plano Aceitar Custom Axis monocristalino Al2O3
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Peso Molecular: | 101,96 | Poluição: | DSP, SSP |
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| Tolerância do diâmetro: | ≤3% | Personalizar: | Aceitável |
| Duração: | 30m | A rugosidade da superfície: | Ra < 0,5 Nm |
| Resistividade intrínseca: | 1E16 Ω-cm | Método do crescimento: | KY |
| Destacar: | 4inch Sapphire Wafer,Plano Sapphire Wafer de C,Orifícios de safira monocristalino |
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Descrição de produto
Wafer de safira 4 polegadas DSP SSP (0001) C Plano Aceitação de Eixo Personalizado Monocristal Al2O3
Descrição do produto:
A bolacha de safira é composta de óxido de alumínio (Al2O3), onde três átomos de oxigênio se ligam a dois átomos de alumínio em uma estrutura covalente.Ele apresenta uma estrutura cristalina de rede hexagonal e geralmente apresenta planos de corte como o plano ADevido à sua ampla faixa de transparência óptica, a bolacha de safira permite a transmissão de luz de comprimentos de onda próximos do ultravioleta (190 nm) para o infravermelho médio,tornando-o ideal para componentes ópticosA bolacha de safira é conhecida pela sua alta velocidade sonora, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, alta dureza,Excelente transparênciaÉ um material difícil de processar, mas é comumente usado em dispositivos optoeletrônicos.
A qualidade dos LEDs brancos/azuis ultrabrilhantes depende da qualidade das camadas epitaxiais de nitruro de gálio (GaN), que, por sua vez,está estreitamente relacionada com a qualidade do processamento de superfície das wafers de safira utilizadasO desajuste da constante de rede entre o plano C da bolacha de safira (Al2O3 de cristal único) e as películas finas depositadas nos grupos III-V e II-VI é mínimo.bem alinhados com os requisitos de alta temperatura dos processos de epitaxia de GaNIsto torna as obleias de safira materiais cruciais para a produção de LEDs brancos/azuis/verdes.
Caráter
1Estrutura e composição da bolacha de safira
A bolacha de safira tem uma estrutura cristalina hexagonal com o grupo espacial R-3c, e sua unidade estrutural básica é o octaedro AlO6.,Formar uma rede tridimensional altamente simétrica e estável.
2Propriedades ópticas e eletrónicas da bolacha de safira
A wafer de safira tem excelentes propriedades ópticas, tornando-a um material ideal para componentes ópticos.especialmente na faixa ultravioleta a infravermelho próximo (150 nm a 5500 nm), com um índice de refração de aproximadamente 1.76Esta transparência generalizada permite que o safiro seja amplamente utilizado em instrumentos ópticos de alta precisão.
Em termos de propriedades eletrônicas, a bolacha de safira é um isolante com uma banda larga de cerca de 9,9 eV, o que a torna excelente em dispositivos eletrônicos de alta tensão e alta frequência.Devido ao seu elevado isolamento e baixas perdas dielétricas, o safiro é comumente usado como um material de substrato para dispositivos semicondutores, particularmente em transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT) e dispositivos baseados em nitreto de gálio (GaN).
3Propriedades mecânicas e termodinâmicas
O safiro tem uma dureza de Mohs de 9, a segunda apenas ao diamante, dando-lhe uma resistência excepcional à abrasão e aos arranhões.com um diâmetro superior a 50 mm,A wafer de safira apresenta também uma condutividade térmica muito elevada de aproximadamente 25 W/m·K, mantendo propriedades físicas e químicas estáveis em ambientes de alta temperatura.Com um ponto de fusão elevado de 2054°C e um baixo coeficiente de expansão térmica (8.4 x 10^-6/K), a bolacha de safira pode manter a estabilidade dimensional em aplicações de alta temperatura.
| Diâmetro | 4 polegadas 100 ± 0,3 mm |
| Espessura | 650 ± 20 μm |
| Orientação | C-plano (0001) para M-plano (1-100) ou A-plano ((1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-plano (1-1 0 2), A-plano (1 1-2 0 ), M-plano ((1-1 0 0) |
| Comprimento plano primário | 32.5±1,5 mm |
| Orientação plana primária | Plano A (1 1-2 0) ± 0,2° |
| TTV | ≤ 20 μm |
| LTV | ≤ 20 μm |
| TIR | ≤ 20 μm |
| Arco-íris | ≤ 20 μm |
| Warp. | ≤ 20 μm |
| Superfície frontal | Epi-polido (Ra< 0,2 nm) |
| Superfície traseira | Finamente moído (Ra=0,5 a 1,2 μm), Epi-polido (Ra< 0,2 nm) |
| Notas | Pode fornecer wafer de substrato de safira de alta qualidade de acordo com as exigências específicas dos clientes |
Aplicações:
As bolinhas de safira são excelentes materiais multifuncionais conhecidos por sua resistência a altas temperaturas, boa condutividade térmica, alta dureza, transparência infravermelha e estabilidade química.São amplamente utilizadas em diversos sectores industriais.A Comissão propõe a criação de um sistema de informação e de informação para os sistemas de informação e de informação, para a defesa e para os campos de investigação, como as janelas infravermelhas de alta temperatura.As bolhas de safira servem como substratos de cristal único versáteis e são os substratos preferidos nas indústrias de azul, diodos emissores de luz violeta e branca (LEDs) e diodos laser azul (LDs) (que exigem filmes de nitreto de gálio epitaxial em substratos de safira).Eles também são cruciais para substratos de filme fino supercondutores.
Processo de processamento do substrato de safira:
1Crescimento de cristal: Utilize um forno de crescimento de cristal para cultivar safira de cristal único grande e de alta qualidade.
2Orientação: Certifique-se de que o cristal de safira está correctamente posicionado na máquina de serrar para o processamento subsequente.
3Serra: extrair hastes de safira do cristal de uma forma específica.
4. Moagem: utilizar uma moagem cilíndrica externa para moer com precisão o diâmetro exterior da haste de safira.
5Inspecção da qualidade: Verificar a qualidade da haste de safira e verificar se as dimensões e a orientação após a extracção cumprem as especificações do cliente.
6. Orientação (novamente): posicionar com precisão a haste de safira na máquina de corte para corte preciso.
7Cortar: cortar a haste de safira em wafers finas.
8Poluição: Elimina os danos causados pelo corte e melhora a planície das wafers.
9. Chamfering: Cortar as bordas da bolacha em uma forma arredondada para aumentar a resistência mecânica e evitar defeitos induzidos pela concentração de tensão.
10. Polição: Melhorar a rugosidade da superfície das wafers para alcançar uma precisão de grau epitaxial.
11Limpeza: remover os contaminantes da superfície da bolacha (por exemplo, partículas de poeira, metais, resíduos orgânicos).
12. Inspecção da qualidade (novamente): empregar equipamento de inspecção de alta precisão para avaliar a qualidade da bolacha (planura, limpeza da superfície, etc.) para satisfazer os requisitos do cliente.
Recomendação do produto:
1.8 polegadas 0,725 Dia100mm C Plano Single Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm espessura
2.Orientação da bolacha de safira de 6 polegadas 0001 Al2O3 Transparência óptica de cristal único
Perguntas frequentes:
P: O que é a bolacha de safira?
A: Wafers de safira da Vritra Technologies
O safiro sintético é uma forma de cristal único de óxido de alumínio (Al2O3).resistência aos arranhões, baixa perda dieléctrica e bom isolamento elétrico.
P: Qual é a diferença entre a safira e a silicone?
R: Os LEDs são as aplicações mais populares para safira. O material é transparente e é um excelente condutor de luz.O silício é opaco e não permite uma extracção eficiente da luzNo entanto, o material semicondutor é ideal para LEDs, porque é barato e transparente.
P: O que é safira em semicondutores?
R: As bolinhas de safira são usadas para epitaxia de filmes de semicondutores, como Si, nitreto de gálio (GaN) e AlGaN, e para fazer circuitos integrados.Os substratos de safira de plano C são utilizados para o crescimento de GaN e outros compostos IIIV e IIVI na fabricação de LEDs e para aplicações de detectores IR.