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Bolachas Epitaxiais de SiC de 8 polegadas Rendimento e Eficiência em Eletrónica de Potência Escalável
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Certificação: | by case |
| Número do modelo: | 4 polegadas |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 10 |
|---|---|
| Preço: | 5 USD |
| Detalhes da embalagem: | caixas personalizadas |
| Tempo de entrega: | 4-8 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | pelo caso |
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Informação detalhada |
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| Grade: | Zero MPD Grade,Production Grade,Research Grade,Dummy Grade | Resistivity 4H-N: | 0.015~0.028 Ω•cm |
|---|---|---|---|
| Resistivity 4/6H-SI: | ≥1E7 Ω·cm | Primary Flat: | {10-10}±5.0° or round shape |
| TTV/Bow /Warp: | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | Roughness: | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0.5 nm |
Descrição de produto
Visão Geral da Bolacha Epitaxial de SiC
As bolachas epitaxiais de SiC de 8 polegadas (200 mm) estão agora emergindo como o formato mais avançado na indústria de SiC. Representando a vanguarda da ciência dos materiais e da capacidade de fabricação, as bolachas epitaxiais de SiC de 8” oferecem oportunidades incomparáveis para aumentar a produção de dispositivos de potência, ao mesmo tempo em que reduzem o custo por dispositivo.
À medida que a demanda por veículos elétricos, energia renovável e eletrônica de potência industrial continua a aumentar globalmente, as bolachas de 8” estão possibilitando uma nova geração de MOSFETs, diodos e módulos de potência integrados de SiC com maior rendimento, melhor rendimento e custos de fabricação mais baixos.
Com propriedades de ampla banda proibida, alta condutividade térmica e tensão de ruptura excepcional, as bolachas de SiC de 8” estão desbloqueando novos níveis de desempenho e eficiência em eletrônicos de potência avançados.
Como as Bolachas Epitaxiais de SiC de 8” São Feitas
A fabricação de bolachas epitaxiais de SiC de 8” requer reatores CVD de última geração, controle preciso do crescimento de cristais e tecnologia de substrato ultraplana:
-
Fabricação do Substrato
Substratos monocristalinos de SiC de 8” são produzidos por meio de técnicas de sublimação em alta temperatura e, subsequentemente, polidos para uma rugosidade sub-nanométrica. -
Crescimento Epitaxial CVD
Ferramentas CVD avançadas em larga escala operam a ~1600 °C para depositar camadas epitaxiais de SiC de alta qualidade sobre os substratos de 8”, com fluxo de gás otimizado e uniformidade de temperatura para lidar com a área maior. -
Dopagem Sob Medida
Perfis de dopagem do tipo N ou do tipo P são criados com alta uniformidade em toda a bolacha de 300 mm. -
Metrologia de Precisão
O controle da uniformidade, o monitoramento de defeitos de cristal e o gerenciamento do processo in-situ garantem a consistência do centro à borda da bolacha. -
Garantia de Qualidade Abrangente
Cada bolacha é validada via:-
AFM, Raman e XRD
-
Mapeamento de defeitos em toda a bolacha
-
Análise de rugosidade superficial e empenamento
-
Medições de propriedades elétricas
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Especificações
| Grau | 8InchN-typeSiCSubstrate | ||
| 1 | Politipo | -- | 4HSiC |
| 2 | Tipo de Condutividade | -- | N |
| 3 | Diâmetro | mm | 200.00±0.5mm |
| 4 | Espessura | um | 700±50µm |
| 5 | Eixo de Orientação da Superfície do Cristal | grau | 4.0°em direção a±0.5° |
| 6 | Profundidade do entalhe | mm | 1~1.25mm |
| 7 | Orientação do entalhe | grau | ±5° |
| 8 | Resistividade (Média) | Ωcm | NA |
| 9 | TTV | um | NA |
| 10 | LTV | um | NA |
| 11 | Curvatura | um | NA |
| 12 | Empenamento | um | NA |
| 13 | MPD | cm-2 | NA |
| 14 | TSD | cm-2 | NA |
| 15 | BPD | cm-2 | NA |
| 16 | TED | cm-2 | NA |
| 17 | EPD | cm-2 | NA |
| 18 | Politipos Estrangeiros | -- | NA |
| 19 | SF(BSF)(tamanho da grade de 2x2mm) | % | NA |
| 20 | TUA(Área Total Utilizável)(tamanho da grade de 2x2mm) | % | NA |
| 21 | Exclusão Nominal da Borda | mm | NA |
| 22 | Arranhões visuais | -- | NA |
| 23 | Comprimento cumulativo de arranhões (Superfície de Si) | mm | NA |
| 24 | Face Si | -- | CMP polido |
| 25 | Face C | -- | CMP polido |
| 26 | Rugosidade da superfície (face Si) | nm | NA |
| 27 | Rugosidade da superfície (face C) | nm | NA |
| 28 | Marcação a laser | -- | Face C, acima do entalhe |
| 29 | Lasca de borda (Superfícies frontal e traseira) | -- | NA |
| 30 | Placas hexagonais | -- | NA |
| 31 | Fissuras | -- | NA |
| 32 | Partículas (≥0.3um) | -- | NA |
| 33 | Contaminação da área (manchas) | -- | Nenhuma: Ambas as faces |
| 34 | Contaminação de Metais Residuais (ICP-MS) | átomo/cm2 | NA |
| 35 | Perfil da Borda | -- | Chanfro, formato em R |
| 36 | Embalagem | -- | Cassete multi-bolacha ou recipiente de bolacha única |
Aplicações
As bolachas epitaxiais de SiC de 8” permitem a produção em massa de dispositivos de potência confiáveis em setores como:
-
Veículos Elétricos (EVs)
Inversores de tração, carregadores de bordo e conversores CC/CC. -
Energia Renovável
Inversores solares de string, conversores de energia eólica. -
Acionamentos Industriais
Acionamentos de motor eficientes, sistemas servo. -
Infraestrutura 5G / RF
Amplificadores de potência e interruptores de RF. -
Eletrônicos de Consumo
Fontes de alimentação compactas e de alta eficiência.
Perguntas Frequentes (FAQ)
1. Qual é o benefício das bolachas de SiC de 8”?
Elas reduzem significativamente o custo de produção por chip por meio do aumento da área da bolacha e do rendimento do processo.
2. Quão madura é a produção de SiC de 8”?
8” está entrando na produção piloto com líderes da indústria selecionados—nossas bolachas estão disponíveis agora para P&D e aumento de volume.
3. A dopagem e a espessura podem ser personalizadas?
Sim, a personalização completa do perfil de dopagem e da espessura epi está disponível.
4. As fábricas existentes são compatíveis com as bolachas de SiC de 8”?
Atualizações menores de equipamentos são necessárias para compatibilidade total com 8”.
5. Qual é o prazo de entrega típico?
6 a 10 semanas para pedidos iniciais; mais curto para volumes repetidos.
6. Quais indústrias adotarão o SiC de 8” mais rápido?
Os setores automotivo, de energia renovável e de infraestrutura de rede.
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