Visão Geral da Bolacha Epitaxial de SiC

As bolachas epitaxiais de SiC de 8 polegadas (200 mm) estão agora surgindo como o formato mais avançado na indústria de SiC. Representando a vanguarda da ciência dos materiais e da capacidade de fabricação, as bolachas epitaxiais de SiC de 8” oferecem oportunidades incomparáveis para aumentar a produção de dispositivos de potência, ao mesmo tempo em que reduzem o custo por dispositivo.

À medida que a demanda por veículos elétricos, energia renovável e eletrônica de potência industrial continua a aumentar globalmente, as bolachas de 8” estão possibilitando uma nova geração de MOSFETs, diodos e módulos de potência integrados de SiC com maior rendimento, melhor rendimento e custos de fabricação mais baixos.

Com propriedades de ampla banda proibida, alta condutividade térmica e tensão de ruptura excepcional, as bolachas de SiC de 8” estão desbloqueando novos níveis de desempenho e eficiência em eletrônicos de potência avançados.

Como as Bolachas Epitaxiais de SiC de 8” São Feitas

A fabricação de bolachas epitaxiais de SiC de 8” requer reatores CVD de última geração, controle preciso do crescimento de cristais e tecnologia de substrato ultraplana:

1. Fabricação do Substrato
   Substratos monocristalinos de SiC de 8” são produzidos por meio de técnicas de sublimação em alta temperatura e, subsequentemente, polidos para uma rugosidade sub-nanométrica.

2. Crescimento Epitaxial CVD
   Ferramentas CVD avançadas em larga escala operam a ~1600 °C para depositar camadas epitaxiais de SiC de alta qualidade sobre os substratos de 8”, com fluxo de gás otimizado e uniformidade de temperatura para lidar com a área maior.

3. Dopagem Sob Medida
   Perfis de dopagem do tipo N ou do tipo P são criados com alta uniformidade em toda a bolacha de 300 mm.

4. Metrologia de Precisão
   O controle da uniformidade, o monitoramento de defeitos de cristal e o gerenciamento do processo in situ garantem a consistência do centro à borda da bolacha.

5. Garantia de Qualidade Abrangente
   Cada bolacha é validada via:

   • AFM, Raman e XRD

   • Mapeamento de defeitos em toda a bolacha

   • Análise de rugosidade superficial e empenamento

   • Medições de propriedades elétricas

Especificações

Aplicações

As bolachas epitaxiais de SiC de 8” permitem a produção em massa de dispositivos de potência confiáveis em setores como:

• Veículos Elétricos (VEs)
  Inversores de tração, carregadores de bordo e conversores CC/CC.

• Energia Renovável
  Inversores de string solares, conversores de energia eólica.

• Acionamentos Industriais
  Acionamentos de motor eficientes, sistemas servo.

• Infraestrutura 5G / RF
  Amplificadores de potência e interruptores de RF.

• Eletrônicos de Consumo
  Fontes de alimentação compactas e de alta eficiência.

Perguntas Frequentes (FAQ)

1. Qual é o benefício das bolachas de SiC de 8”?
Elas reduzem significativamente o custo de produção por chip por meio do aumento da área da bolacha e do rendimento do processo.

2. Quão madura é a produção de SiC de 8”?
8” está entrando na produção piloto com líderes da indústria selecionados—nossas bolachas estão disponíveis agora para P&D e aumento de volume.

3. A dopagem e a espessura podem ser personalizadas?
Sim, a personalização completa do perfil de dopagem e da espessura do epi está disponível.

4. As fábricas existentes são compatíveis com as bolachas de SiC de 8”?
Atualizações menores de equipamentos são necessárias para compatibilidade total com 8”.

5. Qual é o prazo de entrega típico?
6 a 10 semanas para pedidos iniciais; mais curto para volumes repetidos.

6. Quais indústrias adotarão o SiC de 8” mais rapidamente?
Os setores automotivo, de energia renovável e de infraestrutura de rede.

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