Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido

8 polegadas de Wafer Si Substrato 111 P Tipo N Tipo para sistemas micro-eletromecânicos (MEMS) ou dispositivos semicondutores de potência ou componentes e sensores ópticos

Descrição do produto: A bolacha de silício de 8 polegadas com orientação cristalina (111) é um material de cristal único de alta qualidade amplamente utilizado na fabricação de semicondutores.A orientação cristalina (111) proporciona propriedades elétricas e mecânicas específicas que são benéficas para várias aplicações de alto desempenho..

Características principais:

• Diâmetro:200 milímetros.
• Orientação cristalina:(111), oferecendo propriedades de superfície únicas, ideais para certos processos de semicondutores e características dos dispositivos.
• Alta pureza:Fabricado com um alto nível de pureza para garantir uniformidade e baixas taxas de defeito, crítico para aplicações de semicondutores e microeletrônicos.
• Qualidade da superfície:Normalmente polida ou limpa para satisfazer os requisitos de superfície rigorosos para a fabricação de dispositivos.

Aplicações:

• Dispositivos semicondutores de potência:A orientação (111) é preferida em determinados dispositivos de potência devido à sua elevada tensão de ruptura e propriedades térmicas favoráveis.
• MEMS (Sistemas Microeletromecânicos):Muitas vezes usado para sensores, atuadores e outros dispositivos de microescala, graças à sua estrutura cristalina bem definida.
• Dispositivos optoeletrônicos:Adequado para aplicações em dispositivos emissores de luz e fotodetectores, onde a alta qualidade dos cristais é importante.
• Células solares:O silício orientado para o (111) é também utilizado em células fotovoltaicas de elevada eficiência, beneficiando de uma melhor absorção da luz e mobilidade do portador.

Imagem de aplicação da Wafer de Si:

Personalizações:

• Espessura e resistência:Estes podem ser adaptados de acordo com as especificações do cliente para satisfazer os requisitos específicos da aplicação.
• Tipo de doping:A dopagem de tipo P ou N está disponível para ajustar as características elétricas da bolacha.

Este tipo de wafer de silício é crucial para uma ampla gama de aplicações de semicondutores, fornecendo um equilíbrio de resistência mecânica, desempenho elétrico e facilidade de processamento.