• Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido
  • Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido
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Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido

Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: BOLACHA DO SI

Condições de Pagamento e Envio:

Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: T/T
Melhor preço Contato

Informação detalhada

polonês: Polonês duplo/unilateral orientação: < 111>
Espessura: 675 μm a 775 μm RMS: < 1 nm
TTV: <20um Conductividade térmica: Cerca de 150 W/m·K
Concentração de oxigênio: < 10 ppm
Destacar:

Wafer de Si de 8 polegadas

,

Wafer de Si polido de dois lados

,

Wafer de Si polido de lado único

Descrição de produto

8 polegadas de Wafer Si Substrato 111 P Tipo N Tipo para sistemas micro-eletromecânicos (MEMS) ou dispositivos semicondutores de potência ou componentes e sensores ópticos

 

Descrição do produto: A bolacha de silício de 8 polegadas com orientação cristalina (111) é um material de cristal único de alta qualidade amplamente utilizado na fabricação de semicondutores.A orientação cristalina (111) proporciona propriedades elétricas e mecânicas específicas que são benéficas para várias aplicações de alto desempenho..

Características principais:

  • Diâmetro:200 milímetros.
  • Orientação cristalina:(111), oferecendo propriedades de superfície únicas, ideais para certos processos de semicondutores e características dos dispositivos.
  • Alta pureza:Fabricado com um alto nível de pureza para garantir uniformidade e baixas taxas de defeito, crítico para aplicações de semicondutores e microeletrônicos.
  • Qualidade da superfície:Normalmente polida ou limpa para satisfazer os requisitos de superfície rigorosos para a fabricação de dispositivos.

Aplicações:

  • Dispositivos semicondutores de potência:A orientação (111) é preferida em determinados dispositivos de potência devido à sua elevada tensão de ruptura e propriedades térmicas favoráveis.
  • MEMS (Sistemas Microeletromecânicos):Muitas vezes usado para sensores, atuadores e outros dispositivos de microescala, graças à sua estrutura cristalina bem definida.
  • Dispositivos optoeletrônicos:Adequado para aplicações em dispositivos emissores de luz e fotodetectores, onde a alta qualidade dos cristais é importante.
  • Células solares:O silício orientado para o (111) é também utilizado em células fotovoltaicas de elevada eficiência, beneficiando de uma melhor absorção da luz e mobilidade do portador.

Imagem de aplicação da Wafer de Si:

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Personalizações:

  • Espessura e resistência:Estes podem ser adaptados de acordo com as especificações do cliente para satisfazer os requisitos específicos da aplicação.
  • Tipo de doping:A dopagem de tipo P ou N está disponível para ajustar as características elétricas da bolacha.

Este tipo de wafer de silício é crucial para uma ampla gama de aplicações de semicondutores, fornecendo um equilíbrio de resistência mecânica, desempenho elétrico e facilidade de processamento.

 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em Wafer de 8 polegadas Especificação 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 Duplo lado polido / Lado único polido você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
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