Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Wafer SOI Wafer de silício no isolante Wafer 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas (100) (111) P Tipo N Tipo

Descrição do SOI Wafer:

Wafer SOI refere-se a uma fina camada de cristal único de silício revestida sobre um isolante feito de dióxido de silício ou vidro (daí o nome "silício no revestimento de isolamento",frequentemente referido como SOI em abreviação)Os transistores construídos numa fina camada de SOI podem operar mais rapidamente e consumir menos energia do que os construídos num simples chip de silício.A tecnologia do silício sobre o isolante (SOI) é a fabricação de dispositivos de semicondutores de silício num substrato de silício em camadas, para reduzir a capacitância parasitária dentro do dispositivo, melhorando assim o desempenho.Os dispositivos baseados em SOI diferem dos dispositivos convencionais construídos em silício, pois a junção de silício está acima de um isolador elétrico, tipicamente dióxido de silício ou safira (estes tipos de dispositivos são chamados de silício sobre safira, ou SOS).com safiros utilizados para aplicações de radiofrequência de alto desempenho (RF) e sensíveis à radiaçãoA camada isolante e a camada de silício superior também variam muito dependendo da aplicação.

Características do SOI Wafer:

• Capacidade parasitária mais baixa devido ao isolamento do silício a granel, o que melhora o consumo de energia em desempenho combinado
• Resistência ao bloqueio devido ao isolamento completo das estruturas de poços n e p
• Maior desempenho em VDDs equivalentes. Pode trabalhar em VDDs baixos [1]
• Redução da dependência da temperatura devido à ausência de doping
• Melhor rendimento devido à alta densidade, melhor utilização da wafer
• Redução dos problemas de antena
• Não são necessárias torneiras de corpo ou poço.
• Correntes de vazamento mais baixas devido ao isolamento, o que aumenta a eficiência energética
• Inerentemente resistente à radiação (resistente a erros macios), reduzindo a necessidade de redundância

Estrutura do produto da wafer SOI:

Estrutura da bolacha SOI:

Aplicações da wafer SOI:

As nossas soluções SoL personalizadas são utilizadas nos seguintes domínios:

• Sensores de pressão avançados
• Acelerômetros
• Máquinas e aparelhos de visualização
• Sensores de microfluídica/fluxo
• MEMS de RF
• MEMS/MEMS ópticos
• Optoeletrónica
• Contadores inteligentes
• IC analógicas avançadas
• Outros aparelhos de som
• Relógios de pulso de luxo

Mercados finais:

• Serviços de telecomunicações
• Médico
• Automóveis
• Consumidor
• Instrumentação

Imagem de aplicação do SOI Wafer:

Embalagem e transporte:

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é a constante dielétrica do silício em isoladores?
R: A constante dielétrica para os materiais de silício comumente utilizados é: dióxido de silício (SiO2) - constante dielétrica = 3.9Nitreto de silício (SiNx) - constante dielétrica = 7.5. Silício puro (Si) - constante dielétrica = 11.7

2.P: Quais são as vantagens das wafers SOI?
R: As placas SOI têm maior resistência à radiação, tornando-as menos propensas a erros macios.Outras vantagens dos wafers SOI incluem uma menor dependência da temperatura e menos problemas de antena.

Recomendação do produto:

1. GaN-on-Si ((111) N/P T tipo Substrato Epitaxy 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Para LED ou dispositivo de energia

2Wafer composto de SiC-on-Si do tipo N