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N-GaAs Substrato 6 polegadas 350um espessura Para uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
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Informação detalhada |
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| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
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| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Uniformidade do comprimento de onda: | Std. Dev melhor do que 2nm @ interior 140mm | uniformidade de espessura: | Melhor do que ± 3% @interior 140 mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Destacar: | 350um VCSEL N-GaAs substrato,Substrato de N-GaAs de 350um,Substrato de N-GaAs de 6 polegadas |
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Descrição de produto
Substrato N-GaAs espessura de 6 polegadas 350um para uso VCSEL
Resumo do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs
OEpiWafer VCSEL em substrato de N-GaAsconcebido para aplicações ópticas de alto desempenho, em especial paraGigabit EtherneteComunicação digital por ligação de dadosConstruído sobre uma bolacha de 6 polegadas, ele apresenta umArquivo laser de alta uniformidadee suporta comprimentos de onda ópticos centrais de850 nme940 nmA estrutura está disponível em ambas as versões.Confinados em óxidoouImplante de prótons VCSELO Wafer é otimizado para aplicações que exigem:baixa dependência das características elétricas e ópticas sobre a temperatura, tornando- o ideal para utilização emratos a laser,Comunicação óptica, e outros ambientes sensíveis à temperatura.
Estrutura do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs
Foto do substrato do epiWafer N-GaAs do VCSEL
Ficha de dados do substrato do epiWafer N-GaAs do VCSELZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf
Propriedades do substrato do epiWafer VCSEL N-GaAs
OEpiWafer VCSEL em substrato de N-GaAspossui várias propriedades essenciais que o tornam adequado para aplicações ópticas de alto desempenho:
Substrato de N-GaAs:
- Fornece excelentecondutividade elétricae serve como uma base estável para o crescimento epitaxial das estruturas VCSEL.
- Ofertasbaixa densidade de defeito, o que é crucial para um funcionamento do dispositivo de alto desempenho e fiabilidade.
Tonabilidade por comprimento de onda:
- Apoio850 nme940 nmO sistema é concebido para ser utilizado em aplicações de alta velocidade, com comprimentos de onda ópticos centrais, tornando-o ideal para aplicações emComunicação ópticaeSensores 3D.
Arquivo de laser de alta uniformidade:
- Assegura um desempenho consistente em toda a wafer, crucial para dispositivos baseados em matriz emCentros de dadoseredes de fibra óptica.
Implante de óxido confinado ou protão:
- Disponível emConfinados em óxidoouImplante de prótonsEstruturas VCSEL, oferecendo flexibilidade no design para otimizar o desempenho para aplicações específicas.
Estabilidade térmica:
- Para exposiçõesbaixa dependência das características elétricas e ópticas numa ampla gama de temperaturas, garantindo um funcionamento estável em ambientes sensíveis à temperatura.
Alta potência e velocidade:
- A estrutura da bolacha suportaTransmissão de dados de alta velocidadeeoperação de alta potência, tornando- o adequado paraGigabit Ethernet,Comunicação de dados, eLIDARsistemas.
Escalabilidade:
- O formato da bolacha de 6 polegadas permiteprodução rentável, apoiando a fabricação em larga escala e a integração em vários sistemas ópticos.
Essas propriedades tornam o epiWafer VCSEL em substrato N-GaAs ideal para aplicações que exigem alta eficiência, estabilidade de temperatura e desempenho confiável.