Os componentes CVD SiC são peças estruturais e consumíveis essenciais usadas em equipamentos front-end de semicondutores. Eles são amplamente aplicados emGravura a seco, EPI, difusão e RTPprocessos.

Com excelentealta pureza, condutividade térmica, resistência à corrosão por plasma, estabilidade em altas temperaturas, baixa geração de partículas e usinabilidade de precisão, Os componentes CVD SiC são adequados para ambientes exigentes de processos de semicondutores.

Aplicação de Gravura a Seco

Em equipamentos de gravação a seco, os componentes CVD SiC e silício são instalados principalmente dentro da câmara de processo. Eles são usados para controle de plasma, proteção de borda de wafer, sistemas de eletrodos, proteção de câmara e melhoria de uniformidade de processo.

Componentes Típicos

Componente	Material	Aplicativo
Eletrodo Interno	Si/Sic	Usado no sistema de eletrodos para controlar a reação do plasma
Eletrodo Externo	Si/Sic	Funciona com o eletrodo interno para melhorar a uniformidade da gravação
Anel C-Sudário	Si	Usado para proteção de câmara e controle de fluxo de plasma/gás
Anel de borda quente	Si/Sic	Protege as bordas do wafer e melhora o desempenho da gravação nas bordas
Anel de cobertura do solo	Quartzo	Usado para aterramento e proteção de câmara
Anel de casal	Quartzo	Componente de suporte e acoplamento dentro da câmara
Anel de quartzo	Quartzo	Usado para vedação, suporte ou isolamento na câmara

Principais vantagens

Os componentes CVD SiC oferecem excelente resistência à corrosão do plasma em ambientes de ataque à base de flúor e à base de cloro. Eles ajudam a reduzir a contaminação por partículas, minimizam o desgaste dos componentes, prolongam os intervalos de manutenção e melhoram a estabilidade do processo.

CVD SiC Componentes para Equipamentos de Semicondutores SiC Anel SiC Electrodo Seco 0

Série principal de produtos

Eletrodo de Si

Os eletrodos de Si são usados principalmente em equipamentos de gravação a seco como componentes de eletrodos. Eles são adequados para processos de semicondutores maduros e substituição de peças sobressalentes de equipamentos.

Item	Especificação
Material	Silício de cristal único
Diâmetro máximo	Máx. 480 mm
Resistividade	Baixa resolução. <0,02 Ω·cm; Média Res. 1–4Ω·cm; Alta resolução. 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
Buraco de Gás	Diâmetro 0,2–0,8 mm
Condição da superfície	Polido / lapidado / retificado
Precisão de usinagem	<10 μm
Inspeção de Qualidade	Livre de lascas, arranhões, rachaduras, manchas e outros defeitos

CVD SiC Componentes para Equipamentos de Semicondutores SiC Anel SiC Electrodo Seco 1

Anel Si

Os anéis de Si são usados em câmaras de gravação para proteção de bordas de wafer, suporte e controle de plasma.

Item	Especificação
Material	Silício de cristal único / silício multicristalino
Diâmetro máximo	Máx. 480 mm
Resistividade	Baixa resolução. <0,02 Ω·cm; Média Res. 1–4Ω·cm; Alta resolução. 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
Condição da superfície	Polido / lapidado / retificado
Precisão de usinagem	<10 μm
Inspeção de Qualidade	Livre de lascas, arranhões, rachaduras, manchas e outros defeitos

Anel SiC CVD

Os anéis CVD SiC são usados como anéis de borda, anéis de proteção e anéis de suporte em Dry Etch, EPI, RTP e outros equipamentos semicondutores.

Item	Especificação
Material	SiC CVD
Diâmetro máximo	Máx. 370 mm
Resistividade	Baixa resolução. <0,02 Ω·cm; Média Res. 0,2–25 Ω·cm; Alta resolução. >100Ω·cm
RRG	<5%
Condição da superfície	Chão
Precisão de usinagem	<10 μm
Inspeção de Qualidade	Livre de lascas, arranhões, rachaduras, manchas e outros defeitos

Eletrodo SiC CVD

Os eletrodos CVD SiC são usados como componentes principais de eletrodos em equipamentos de gravação a seco. Comparados com eletrodos de silício convencionais, os eletrodos CVD SiC oferecem melhor resistência à corrosão e maior vida útil.

Item	Especificação
Material	SiC CVD
Diâmetro máximo	Máx. 330 mm
Resistividade	Baixa resolução. <0,02 Ω·cm; Média Res. 0,2–25 Ω·cm; Alta resolução. >100Ω·cm
RRG	<5%
Condição da superfície	Chão
Precisão de usinagem	<10 μm
Inspeção de Qualidade	Livre de lascas, arranhões, rachaduras, manchas e outros defeitos

CVD SiC Componentes para Equipamentos de Semicondutores SiC Anel SiC Electrodo Seco 2

Propriedades materiais do SiC policristalino CVD

O SiC policristalino CVD é produzido por deposição química de vapor. Possui uma estrutura densa, alta pureza, excelente resistência à corrosão e forte estabilidade em ambientes de processo limpo de semicondutores.

Propriedade	Unidade	Valor típico
Densidade	g/cm³	3,21–3,22
Resistência à Flexão	MPa	320–380
Condutividade Térmica	S/m·K	240–360
Tamanho do grão	μm	5–10
Pureza	%	99.99997
Microdureza Vickers	Alta tensão	3100–3700
Módulo Elástico	GPa	450–530
Taxa de XRD	-	0,65–1,1
CTE, temperatura ambiente a 1000°C	10⁻⁶/K	4,8–5,1

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Vantagens do produto

Alta Pureza

A pureza do CVD SiC pode atingir99,99997%, ajudando a reduzir o risco de contaminação por metais em processos front-end de semicondutores.

Excelente resistência à corrosão plasmática

CVD SiC mantém boa estabilidade em ambientes de plasma à base de flúor e à base de cloro, reduzindo o desgaste dos componentes e a geração de partículas.

Alta condutividade térmica

Com condutividade térmica de240–360 W/m·K, CVD SiC ajuda a melhorar a uniformidade do campo térmico e a consistência do processo.

Estabilidade em altas temperaturas

Os componentes CVD SiC são adequados para EPI, Difusão, RTP e outros processos de alta temperatura. Eles mantêm boa estabilidade dimensional durante o uso a longo prazo.

Alta dureza e resistência ao desgaste

A alta dureza Vickers proporciona excelente resistência ao desgaste e ajuda a prolongar a vida útil dos componentes.

Usinagem personalizada disponível

Os produtos podem ser personalizados de acordo com os desenhos do cliente, incluindo diâmetro externo, diâmetro interno, furos, ranhuras, degraus, chanfros, condição da superfície e precisão de montagem.

Campos de aplicação

Os componentes de SiC policristalino CVD são amplamente utilizados em:

Equipamento de gravação a seco
Equipamento epitaxia
Equipamento de forno de difusão
Equipamento RTP
Peças OEM de equipamentos semicondutores
Substituição de peças sobressalentes da fábrica de wafer
Processos de wafer de Si, SiC, GaN, GaAs

Perguntas e respostas

Q1: O que são SiC policristalino CVDcomponentesusado para?

SiC policristalino CVDcomponentessão usados principalmente em front-end de semicondutoresequipamento,incluindo SecoGravar, EPI, Difusão e RTPsistemas.Típicoprodutos incluemAnéis de SiC, SiCeletrodos,bordaanéis, susceptores, barcos SiC e wafers fictícios.

Q2: Quais são as vantagens do CVD SiC em comparação com peças de quartzo ou silício?

CVD SiC oferece melhorcorrosão plasmáticaresistência, alta temperaturaestabilidade, condutividade térmica, dureza eserviçovida. Podereduzir partículageração ecomponenteusarseverosemicondutorprocesso ambientes.

Q3: Quais materiais sãodisponívelpara estescomponentes?

Nós podemos fornecercomponentesfeito deCVD SiC, únicocristalsilício, multi-cristalsilício e quartzo, dependendo doaplicativoeequipamento requisitos.

Tags:

carcaça da safira

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Carcaça do semicondutor

Gem Stone sintético

Partes de cerâmica

equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting

Bolacha do nitreto do gálio

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Detalhes dos produtos

CVD SiC Componentes para Equipamentos de Semicondutores SiC Anel SiC Electrodo Seco

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Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

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Caixa de relógio do cristal de safira

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Caixa do portador da bolacha

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Bolacha do nitreto do gálio

CVD SiC Componentes para Equipamentos de Semicondutores SiC Anel SiC Electrodo Seco

Componentes de carburo de silício policristalino CVD

Wafer de SiC para aplicações de IA

componentes de carburo de silício com revestimento AR

Para aplicações em equipamentos semicondutores

Aplicação de Gravura a Seco

Componentes Típicos

Principais vantagens

Série principal de produtos

Eletrodo de Si

Anel Si

Anel SiC CVD

Eletrodo SiC CVD

Propriedades materiais do SiC policristalino CVD

Vantagens do produto

Alta Pureza

Excelente resistência à corrosão plasmática

Alta condutividade térmica

Estabilidade em altas temperaturas

Alta dureza e resistência ao desgaste

Usinagem personalizada disponível

Campos de aplicação

Perguntas e respostas

Q1: O que são SiC policristalino CVDcomponentesusado para?

Q2: Quais são as vantagens do CVD SiC em comparação com peças de quartzo ou silício?

Q3: Quais materiais sãodisponívelpara estescomponentes?