Nome da marca:	ZMKJ
Número do modelo:	bolachas de 200mm sic
MOQ:	1pcs
preço:	by case
Detalhes da embalagem:	único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Lugar de origem:

China

Certificação:

ROHS

Material:

Carboneto de silicone

Categoria:

Boneco ou Pesquisa

Thicnkss:

0.35mm 0.5mm

Suraface:

lado dobro lustrado

Aplicação:

teste de lustro do fabricante do dispositivo

Diâmetro:

200±0.5mm

MOQ:

Tipo:

4h-n

Habilidade da fonte:

1-50pcs/month

Destacar:

Carcaça do semicondutor do lingote do carboneto de silicone

bolacha do carboneto de silicone 8Inch

4H N-tipo sic bolacha

Descrição do produto

Bolachas de lustro lustradas das bolachas 200mm do carboneto de silicone sic Wafer4H-N do fabricante da bolacha da bolacha da bolacha de silicone de CorrosionSingle do carboneto sic da carcaça/silicone das bolachas (150mm, 200mm) único lado de cristal excelente cerâmico sic SIC ingots/200mm sic sic

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

8inch N-tipo sic especs. de DSP
Número	Artigo	Unidade	Produção	Pesquisa	Manequim
1: parâmetros
1,1	polytype	--	4H	4H	4H
1,2	orientação de superfície	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2: Parâmetro elétrico
2,1	entorpecente	--	n-tipo nitrogênio	n-tipo nitrogênio	n-tipo nitrogênio
2,2	resistividade	ohm ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3: Parâmetro mecânico
3,1	diâmetro	milímetro	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3,2	espessura	μm	500±25	500±25	500±25
3,3	Orientação do entalhe	°	[1 - 100] ±5	[1 - 100] ±5	[1 - 100] ±5
3,4	Profundidade do entalhe	milímetro	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3,5	LTV	μm	≤5 (10mm*10mm)	≤5 (10mm*10mm)	≤10 (10mm*10mm)
3,6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3,7	Curva	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3,8	Urdidura	μm	≤30	≤50	≤70
3,9	AFM	nanômetro	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2

As dificuldades atuais na preparação dos cristais 4H-SiC de 200mm envolvem principalmente.
1) A preparação dos cristais de semente 4H-SiC de alta qualidade de 200mm;
2) Grande não uniformidade e nucleação do campo da temperatura do tamanho controles de processos;
3) A eficiência do transporte e a evolução de componentes gasosos em grandes sistemas do crescimento de cristal do tamanho;
4) Proliferação de cristal do rachamento e do defeito causada pelo grande aumento do esforço térmico do tamanho.

N-tipo sic bolacha da carcaça 4H do semicondutor do lingote do carboneto de silicone de 8inch 200mm 0

Há três tipos sic de diodos do poder: Diodos de Schottky (SBD), diodos de PIN e diodos barreira-controlados de Schottky da junção (JBS). Devido à barreira de Schottky, o SBD tem uma altura mais baixa da barreira de junção, assim que o SBD tem a vantagem da baixa tensão dianteira. A emergência sic do SBD ampliou a escala da aplicação do SBD de 250V a 1200V. Além, suas características em altas temperaturas são boas, a corrente reversa do escapamento não aumentam da temperatura ambiente 175 ao ° C. No campo da aplicação dos retificadores acima de 3kV, sic o PiN e sic diodos de JBS recebeu muita atenção devido a seus mais alta tensão da divisão, velocidade mais rapidamente de comutação, tamanho menor, e peso mais claro do que retificadores de silicone.

Sic os dispositivos do MOSFET do poder têm a resistência ideal da porta, o desempenho de comutação de alta velocidade, a baixa em-resistência, e a estabilidade alta. É o dispositivo preferido no campo de dispositivos de poder abaixo de 300V. Há os relatórios que um MOSFET do carboneto de silicone com uma tensão de obstrução de 10kV foi desenvolvido com sucesso. Os pesquisadores acreditam que sic os MOSFETs ocuparão uma posição vantajosa no campo de 3kV - 5kV.

Os transistor bipolares sic isolados da porta (sic BJT, sic IGBT) e sic o tiristor (sic tiristor), sic P-tipo dispositivos de IGBT com uma tensão de obstrução de 12 quilovolts têm a boa capacidade atual dianteira. Comparado com os transistor bipolares do si, os transistor sic bipolares têm 20-50 vezes que comutam mais baixo perdas e umas mais baixas quedas de tensão de ligação. BJT é dividido sic principalmente no emissor epitaxial BJT e o emissor BJT da implantação de íon, o ganho atual típico está entre 10-50.

Propriedades	unidade	Silicone	Sic	GaN
Largura de Bandgap	eV	1,12	3,26	3,41
Campo da divisão	MV/cm	0,23	2,2	3,3
Mobilidade de elétron	cm^2/Vs	1400	950	1500
Velocidade de tração	10^7 cm/s	1	2,7	2,5
Condutibilidade térmica	W/cmK	1,5	3,8	1,3

FAQ:

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e

O frete é de acordo com o pagamento real.

Q: Como pagar?

: Depósito de T/T 100% antes da entrega.

Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.

(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.

Q: Você tem produtos padrão?

: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

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