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Carcaça de lustro sic Chip Semiconductor 8inch 200mm do lingote do carboneto de silicone
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | 8inch sic bolachas 4h-n |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 4-6weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | monocristal SiC | Categoria: | Categoria do manequim |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | lado dobro lustrado |
| Aplicação: | teste de lustro do fabricante do dispositivo | Diâmetro: | 200±0.5mm |
| MOQ: | 1 | Data de entrega: | 1-5 a parte precisa de uma semana mais quantidade precisa 30 dias |
| Realçar: | Carcaça de lustro do lingote do carboneto de silicone,cristal sic único de 200mm,Semicondutor da bolacha do carboneto de silicone |
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Descrição de produto
Bolachas de lustro lustradas das bolachas 200mm do carboneto de silicone sic Wafer4H-N do fabricante da bolacha da bolacha da bolacha de silicone de CorrosionSingle do carboneto sic da carcaça/silicone das bolachas (150mm, 200mm) único lado de cristal excelente cerâmico sic SIC ingots/200mm sic sic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da divisão | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de tração da saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
1) A preparação dos cristais de semente 4H-SiC de alta qualidade de 200mm;
2) Grande não uniformidade e nucleação do campo da temperatura do tamanho controles de processos;
3) A eficiência do transporte e a evolução de componentes gasosos em grandes sistemas do crescimento de cristal do tamanho;
4) Proliferação de cristal do rachamento e do defeito causada pelo grande aumento do esforço térmico do tamanho.
Para superar estes desafios e obter sic as bolachas de alta qualidade de 200mm, as soluções são propostas:
Em termos da preparação do cristal de semente de 200mm, do campo apropriado da temperatura, do campo de fluxo, e do assemblwere de expansão estudado e projetado tomar em consideração a qualidade de cristal e o tamanho de expansão; Começando com um cristal de 150mm SiCseed, realize a iteração do cristal de semente para expandir gradualmente o tamanho sic de cristal até que alcance 200mm; O crescimento de cristal múltiplo de Throuch e o processamento, aperfeiçoam gradualmente a qualidade de cristal no expandingarea de cristal, e melhoram a qualidade de cristais de semente de 200mm.
termos de n da preparação condutora crvstal de 200mm e da carcaça. a pesquisa aperfeiçoou o projeto do campo de fluxo do fieland da temperatura para o crescimento de cristal do grande tamanho, conduz o crescimento sic de cristal condutor de 200mm, e a uniformidade controldoping. Após o processamento e dar forma ásperos do cristal, umas 8 polegadas 4H-SiCingot condutor com um diâmetro padrão foram obtidas eletricamente. Após o corte, moendo, lustro, processando para obter sic 200mmwafers com uma espessura de 525um ou assim.
Sobre ZMKJ Empresa
ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
FAQ:
Q: Que é a maneira de transporte e de custo?
: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e
O frete é de acordo com o pagamento real.
Q: Como pagar?
: Depósito de T/T 100% antes da entrega.
Q: Que é seu MOQ?
: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.
(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.
Q: Que é o prazo de entrega?
: (1) para os produtos padrão
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.
Q: Você tem produtos padrão?
: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.