• N-tipo condutor pesquisa da categoria do manequim da bolacha 4H-N de 8Inch 200mm sic
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N-tipo condutor pesquisa da categoria do manequim da bolacha 4H-N de 8Inch 200mm sic

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Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: bolachas do diâmetro 8inch sic

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: recipiente da gaveta da Multi-bolacha ou da bolacha de Sincle
Tempo de entrega: 1-3weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000pcs pelo mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Bolacha do carboneto de silicone Espessura: 3mm (a outra espessura aprovada)
Superfície: DSP TTV: <15um
Curva: <20um Urdidura: <30um
Pacote: quarto desinfetado de 100 categorias pelo pacote do vácuo Personalize: Aceitável
tolerannce da espessura: 350±15um Forma: Forma redonda
Tipo: 4H-N/4H-Si
Realçar:

Do manequim da categoria bolacha condutora sic

,

bolacha do carboneto de silicone de 200mm

,

Tipo sic bolacha de N

Descrição de produto

A pureza alta 4 lado dobro Monocrystalline de cristal sic único condutor de 6 8 polegadas wafer/8 da isolação da polegada semi (200mm) lustrou sic o manequim das bolachas da bolacha/da bolacha 2/3/4/6/8-Inch carboneto de silicone sic/pesquisa/categoria principal

 

Descrição do produto
Nome do produto
SIC
Polytype
4H
Em-linha central de superfície da orientação
0001
Fora-linha central de superfície da orientação
0± 0.2°
FWHM
≤45arcsec
Tipo
HPSI
Resistividade
≥1E9ohm·cm
Diâmetro
99.5~100mm
Espessura
500±25μm
Orientação lisa preliminar
± 5° [de 1-100]
Comprimento liso preliminar
32.5± 1.5mm
Posição lisa secundária
90° CW do ± liso preliminar 5°, silicone de face para cima
Comprimento liso secundário
18± 1.5mm
TTV
≤5μm
LTV
≤2μm (5mm*5mm)
Curva
-15μm~15μm
Urdidura
≤20μm
Parte dianteira (AFM) (Si-cara) Roughn
Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Densidade de Micropipe
≤1ea/cm2
Densidade do carbono
≤1ea/cm2
Vácuo sextavado
Nenhum
Impurezas do metal
≤5E12atoms/cm2
Parte dianteira
Si
Revestimento de superfície
CMP da Si-cara do CMP
Partículas
size≥0.3μm)
Riscos
≤Diameter (comprimento cumulativo)
Casca alaranjada/poços/manchas/striations/quebras/contaminati sobre
Nenhum
As microplaquetas da borda/recortes/fratura/encantam placas
Nenhum
Áreas de Polytype
Nenhum
Marcação do laser da parte dianteira
Nenhum
Revestimento traseiro
CMP da C-cara
Riscos
≤2*Diameter (comprimento cumulativo)
Defeitos traseiros (microplaquetas/recortes da borda)
Nenhum
Aspereza traseira
Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcação traseira do laser
1mm (da borda superior)
Borda
Chanfradura
Empacotamento
O saco interno é enchido com o nitrogênio e o saco exterior é limpado.
Empacotamento
gaveta da Multi-bolacha, epi-pronta.

 

A bolacha do carboneto de silicone é usada principalmente na produção de diodo de Schottky, de transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal, de transistor de efeito de campo da junção, de transistor de junção bipolar, de tiristor, de tiristor da volta-fora e de bipola isolado da porta

 

Aperfeiçoe para aplicações do microfluidics. Para a microeletrônica ou as aplicações de MEMS, contacte-nos por favor para especs. detalhadas.

 

Quando os dispositivos de semicondutor continuarem a encolher, está tornando-se cada vez mais importante para bolachas ter a qualidade de superfície alta em sua parte dianteira e em verso. Atualmente estas bolachas são as mais comuns nos sistemas microelectromechanical (MEMS), na ligação da bolacha, no silicone na fabricação do isolador (SOI), e nas aplicações com exigências apertadas do nivelamento. A microeletrônica reconhece a evolução da indústria do semicondutor e é cometida a encontrar soluções a longo prazo para todas as exigências de cliente.

O grande estoque do lado dobro lustrou bolachas em todos os diâmetros da bolacha que variam de 100mm a 300mm. Se sua especificação não está disponível em nosso inventário, nós estabelecemos relacionamentos a longo prazo com vendedores numerosos que são capazes de bolachas de fabricação feitas sob encomenda caber todas as especificações originais. O lado dobro lustrou bolachas está disponível no silicone, no vidro e nos outros materiais de uso geral na indústria do semicondutor.
O corte em cubos personalizado e lustrar estão igualmente disponíveis de acordo com suas exigências.

 

Detalhe dos produtos:

N-tipo condutor pesquisa da categoria do manequim da bolacha 4H-N de 8Inch 200mm sic 0N-tipo condutor pesquisa da categoria do manequim da bolacha 4H-N de 8Inch 200mm sic 1

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FAQ
                                     

Q: Que é sua exigência mínima da ordem?
: MOQ: 10 partes

Q: Quanto tempo tomará para executar minhas ordem e entrega ele?
: confirme a ordem 1days após ter confirmado o pagamento e a entrega em 5days se em estoques.

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Q: Se você tem quaisquer outras perguntas, por favor não hesite contactar-me.
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Estou interessado em N-tipo condutor pesquisa da categoria do manequim da bolacha 4H-N de 8Inch 200mm sic você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
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