• 4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC
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4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC

4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: ZMKJ
Número do modelo: Tamanho personalizado

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 10pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-6weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1-50pcs/month
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: 4h-N de cristal sic único Categoria: Categoria da produção
Thicnkss: 1.5mm Suraface: como-corte
Aplicação: cristal de semente Diâmetro: 4Inch
Cor: Verde MPD: <2cm-2>
Realçar:

Sic bolacha do carboneto de silicone

,

bolacha do carboneto de silicone de 1.5mm

,

4 H-N Silicon Carbide Wafer

Descrição de produto

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas da categoria 4H-N 1.5mm SIC do wafersProduction 4inch sic para o cristal de semente

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

 

1. Descrição
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61
ne = 2,66

nenhuns = 2,60
ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo elétrico da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4 polegadas n-lubrificaram a bolacha do carboneto de silicone 4H sic

Especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro de 4H-N 4inch (sic)

 
especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro 2inch (sic)  
Categoria Categoria zero de MPD Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim  
 
Diâmetro 100. mm±0.38mm  
 
Espessura 350 μm±25μm ou 500±25um ou a outra espessura personalizada 
 
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densidade de Micropipe cm2 ≤0 cm2 ≤2 ≤5cm-2 cm2 ≤30  
 
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm  
 
Plano preliminar {10-10} ±5.0°  
 
Comprimento liso preliminar 18,5 mm±2.0 milímetro  
 
Comprimento liso secundário 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientação lisa secundária Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal  
 
Exclusão da borda 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanômetro  
 
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm  
 
 
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤3%  
 
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Área cumulativa ≤2% Área cumulativa ≤5%  
 
 
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer  
 
 
microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um  

 

Mostra da exposição da produção

 
4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC 1
4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC 24Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC 3
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
CATÁLOGO   TAMANHO COMUM   Em NOSSA LISTA do INVENTÁRIO
  
 

 

 

4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H
4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H

4H queisola/bolacha pureza alta sic

2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
 
 
6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H
 
 Tamanho de Customzied para 2-6inch
 
 

Sic aplicações

 

Áreas de aplicação

  • 1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)

>Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.

 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em 4Inch bolacha principal do carboneto de silicone da categoria 4H-N 1.5mm SIC você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
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