Wafer de substrato quadrado de carburo de silício 6H (SiC) para alta frequência de potência

Wafer Quadrado 6H-SiC de Alto Desempenho para Aplicações de Potência e Alta Frequência

1. Visão geral do produto

O...Substrato quadrado de carburo de silício (SiC) 6Hé fabricado a partir de material de alta purezaMaterial de cristal único 6H-SiCO material utilizado para a fabricação de semicondutores é um material de alta precisão e é processado com precisão em forma quadrada para aplicações avançadas em semicondutores e eletrônicos.Semicondutores de banda larga de terceira geração, o 6H-SiC oferece um desempenho excepcionalalta temperatura, alta tensão, alta frequência e alta potênciacondições de trabalho.

Com excelentecondutividade térmica, resistência mecânica, estabilidade química e propriedades elétricasOs substratos quadrados de 6H SiC são amplamente utilizados emDispositivos de potência, dispositivos de RF, optoeletrónica, sistemas a laser e laboratórios de I&DOs substratos podem ser fornecidos emde peso superior a 200 g/m2, mas não superior a 200 g/m2condições de superfície comtamanhos e espessuras personalizados.

2Vantagens do material do 6H-SiC

• Dureza ultra-alta (dureza de Mohs ≈ 9,2)

• Alta condutividade térmica (~490 W/m·K) para dissipação de calor eficiente

• Largo intervalo de banda (3,0 eV), adequado para ambientes extremos

• Força do campo elétrico de alta ruptura

• Excelente resistência química e à oxidação

• Alta mobilidade de elétrons para desempenho de alta frequência

• Estrutura cristalina estável e longa vida útil

3Especificações típicas (customizáveis)

4Processo de fabrico

1. PVT (Transporte Físico de Vapores) crescimento de cristal único

2. Orientação e corte quadrado

3. Moagem de alta precisão e controlo da espessura

4. Poluição de uma ou duas faces

5. Limpeza por ultra-som e embalagens de salas limpas

Este processo asseguraAlta planura, baixos defeitos de superfície e excelente consistência elétrica.

5Principais aplicações

• Dispositivos semicondutores de potência (MOSFET, SBD, IGBT)

• Dispositivos electrónicos de RF e microondas

• Componentes eletrónicos de alta temperatura

• Diodos de laser e detectores ópticos

• Pesquisa de chips e desenvolvimento de protótipos

• Laboratórios universitários e institutos de investigação em semicondutores

• Microfabricação e processamento MEMS

6. Vantagens do produto

• Material monocristalino 6H-SiC original

• Forma quadrada para facilitar o manuseio e a fabricação do dispositivo

• Alta qualidade da superfície com baixa densidade de defeitos

• Ampla faixa de personalização para tamanho, espessura e resistividade

• Desempenho estável em ambientes extremos

• Apoio à criação de protótipos de pequenos lotes e à produção em massa

• 100% de inspecção antes da entrega

8. Perguntas frequentes (FAQ)

P1: Qual é a diferença entre 6H-SiC e 4H-SiC?
R: O 4H-SiC é mais comumente usado em dispositivos de energia comercial hoje devido à maior mobilidade de elétrons, enquanto o 6H-SiC é preferido em certas aplicações de RF, microondas e optoeletrônicos especiais.

P2: Pode fornecer substratos quadrados de 6H-SiC não polidos?
R: Sim, oferecemos superfícies polidas, lapadas e não polidas, com base nas exigências do cliente.

Q3: Você suporta substratos quadrados de pequeno tamanho?
R: Sim, os tamanhos quadrados até 2×2 mm podem ser personalizados.

P4: Dispõe-se de relatórios de inspecção e de ensaio?
R: Sim, podemos fornecer relatórios de inspeção dimensional, dados de teste de resistividade e relatórios de rugosidade da superfície.

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