Bolachas de Carbeto de Silício de 4 polegadas, Tipo 4H-N, Espessura de 350um, Substrato de SiC

4 polegadas Bolachas de Carbeto de Silício 4H-N Substrato SiC de 350um de espessura

Introdução das Bolachas de Carbeto de Silício de 4 polegadas:

   O mercado de bolachas de SiC (carbeto de silício) de 4 polegadas é um segmento emergente na indústria de semicondutores, impulsionado pela crescente demanda por materiais de alto desempenho em diversas aplicações. As bolachas de SiC são renomadas por sua excelente condutividade térmica, alta resistência ao campo elétrico e excepcional eficiência energética. Essas características as tornam altamente adequadas para uso em eletrônica de potência, aplicações automotivas e tecnologias de energia renovável. A bolacha de SiC do tipo 4H-N de 4 polegadas é um substrato de carbeto de silício condutivo de alta qualidade baseado na estrutura cristalina do politipo 4H. Apresentando uma ampla banda proibida, alto campo elétrico de ruptura, excelente condutividade térmica e alta mobilidade de elétrons, é ideal para a fabricação de dispositivos de potência de alta tensão, alta frequência e alta temperatura, como MOSFETs, diodos Schottky, JFETs e IGBTs. É amplamente utilizado em novos sistemas de energia, veículos elétricos, redes inteligentes, comunicação 5G e aplicações aeroespaciais.

Principais Vantagens das Bolachas de Carbeto de Silício de 4 polegadas:

Alta Tensão de Ruptura – Até 10× a do silício, ideal para dispositivos de alta tensão.

Baixa Resistência em Condução – Alta mobilidade de elétrons permite uma comutação mais rápida e menores perdas.

Excelente Condutividade Térmica – Cerca de 3× maior que o silício, garantindo a confiabilidade do dispositivo sob carga pesada.

Operação em Alta Temperatura – Desempenho estável acima de 600°C.

Qualidade Superior do Cristal – Baixa densidade de micropipos e deslocamentos, excelente superfície para crescimento epitaxial.

Opções Personalizáveis – Disponível com dopagem, espessura e acabamento de superfície sob medida para processos específicos de dispositivos.

Parâmetros das Bolachas ZMSH SiC e Recomendação de Produto:

Carbeto de Silício de 6 polegadas (SiC) Bolacha para referência de óculos AR MOS SBD

Aplicações das Bolachas de Carbeto de Silício:

   A bolacha de carbeto de silício (SiC) é um dos materiais semicondutores de terceira geração, caracterizado por alta capacidade de potência, baixa perda de energia, alta confiabilidade e baixa geração de calor. Pode ser usado em ambientes de alta tensão e severos excedendo 1200 volts, e é amplamente aplicado em sistemas de energia eólica, equipamentos ferroviários e de transporte de grande porte, bem como em inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), redes inteligentes, e outras aplicações eletrônicas de alta potência.

Veículos Elétricos (VEs): Para inversores de tração, carregadores de bordo e conversores CC-CC.

Energia Renovável: Inversores para painéis solares e turbinas eólicas.

Sistemas Industriais: Acionamentos de motores e equipamentos de alta potência.

Aeroespacial e Defesa: Sistemas de energia de alta eficiência em ambientes hostis.

Perguntas e Respostas:

P: Qual é a diferença entre bolacha de Si e SiC?

R: As bolachas de silício (Si) e carbeto de silício (SiC) são usadas na fabricação de semicondutores, mas possuem propriedades físicas, elétricas e térmicas muito diferentes que as tornam adequadas para diferentes tipos de dispositivos. As bolachas de silício são ideais para eletrônicos padrão de baixa potência, como circuitos integrados e sensores.

As bolachas de carbeto de silício são usadas para dispositivos de potência de alta tensão, alta temperatura e alta eficiência, como os de veículos elétricos, inversores solares e sistemas de energia industrial.

P: Qual é melhor, SiC ou GaN?

R: SiC é o melhor para aplicações de alta tensão, alta potência e alta temperatura, como VEs, energia renovável e sistemas industriais. GaN é o melhor para aplicações de alta frequência e baixa a média tensão, como carregadores rápidos, amplificadores de RF e dispositivos de comunicação. Na verdade, a tecnologia GaN-on-SiC combina os pontos fortes de ambos — a velocidade do GaN + o desempenho térmico do SiC — e é amplamente utilizada em sistemas 5G e radar.

P: SiC é uma cerâmica?

R: Sim, o carbeto de silício (SiC) é uma cerâmica — mas também é um semicondutor.