Forno de oxidação LPCVD de 8/6/4/2 polegadas de automação completa Controle de baixo oxigênio Deposição de filme fino

Visão Geral do Produto

Este equipamento é um forno LPCVD de oxidação vertical de 8 polegadas, de alta eficiência e totalmente automatizado, projetado para produção em massa. Ele oferece excelente uniformidade e repetibilidade de filme, suporta vários processos de oxidação, recozimento e LPCVD. O sistema apresenta transferência automática de 21 cassetes com integração MES perfeita, ideal para fabricação de semicondutores.

Princípio de Funcionamento

O forno possui uma estrutura de tubo vertical e controle avançado de micro-ambiente de baixo oxigênio. Ele permite a oxidação precisa ou deposição de filme de wafers de silício sob atmosferas específicas. O processo LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) aquece gases precursores a baixa pressão para depositar filmes finos de alta qualidade, como polissilício, nitreto de silício ou óxidos de silício dopados.

Na fabricação de chips, a Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão (LPCVD) é amplamente utilizada para criar vários filmes finos para diferentes propósitos. A LPCVD pode ser usada para depositar filmes de óxido de silício e nitreto de silício. Ela também é empregada para produzir filmes dopados para modificar a condutividade do silício. Além disso, a LPCVD é usada para fabricar filmes metálicos, como tungstênio ou titânio, que são essenciais para a formação de estruturas de interconexão em circuitos integrados.

Princípio do Processo

O princípio de funcionamento da LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) pode ser entendido como um processo de reação química controlada que ocorre a baixa pressão e envolve a reação de precursores gasosos na superfície de um wafer.

Entrega de Gás:
Um ou mais precursores gasosos (gases químicos) são introduzidos na câmara de reação. Esta

etapa é realizada sob pressão reduzida, tipicamente abaixo do nível atmosférico. A pressão mais baixa ajuda a aumentar as taxas de reação, melhorar a uniformidade e aprimorar a qualidade do filme. A vazão e a pressão dos gases são controladas com precisão por controladores e válvulas especializadas. A escolha do gás determina as propriedades do filme resultante. Por exemplo, para depositar filmes de silício, silano (SiH₄) ou diclorosilano (SiCl₂H₂) podem ser usados como precursores. Diferentes gases são selecionados para outros tipos de filmes, como óxido de silício, nitreto de silício ou metais.

Adsorção:
Este processo envolve a adsorção de moléculas de gás precursor na superfície do substrato (por exemplo, wafer de silício). Adsorção refere-se à interação onde as moléculas aderem temporariamente à superfície sólida da fase gasosa, sem se integrar totalmente ao sólido. Isso pode envolver adsorção física ou adsorção química.

Reação:
Na temperatura definida, os precursores adsorvidos sofrem reações químicas na superfície do substrato, formando um filme fino. Essas reações podem incluir decomposição, substituição ou redução, dependendo do tipo de gases precursores e das condições do processo.

Deposição:
Os produtos da reação formam um filme fino que se deposita uniformemente na superfície do substrato.

Remoção de Gases Residuais:
Precursores não reagidos e subprodutos gasosos (por exemplo, hidrogênio gerado durante a decomposição do silano) são removidos da câmara de reação. Esses subprodutos devem ser evacuados para evitar interferência com o processo ou contaminação do filme.

Campos de Aplicação

• Equipamentos LPCVD são usados para depositar filmes finos uniformes em altas temperaturas e baixas pressões, ideais para processamento em lote de wafers.

• Capaz de depositar uma ampla gama de materiais, incluindo polissilício, nitreto de silício e dióxido de silício.

Perguntas e Respostas

P1: Quantos wafers podem ser processados por lote?
R1: O sistema suporta 150 wafers por lote, adequado para produção de alto volume.

P2: O sistema suporta múltiplos métodos de oxidação?
R2: Sim, ele suporta oxidação seca e úmida (incluindo DCE e HCL), adaptável a diversos requisitos de processo.

P3: O sistema pode se integrar ao MES da fábrica?
R3: Ele suporta os protocolos de comunicação SECS II/HSMS/GEM para integração MES perfeita e operações de fábrica inteligentes.

P4: Quais processos compatíveis são suportados?
R4: Além da oxidação, ele suporta recozimento N₂/H₂, RTA, ligas e LPCVD para polissilício, SiN, TEOS, SIPOS e mais.