Forno de oxidação LPCVD de 8/6/4/2 polegadas de automação completa Controle de baixo oxigênio Deposição de filme fino

Visão geral do produto

Este equipamento é um forno LPCVD de oxidação vertical de 8 polegadas, de alta eficiência e totalmente automatizado, concebido para produção em massa.Suporta várias oxidaçõesO sistema possui uma transferência automática de 21 cassetes com integração MES perfeita para a fabricação de semicondutores.

Princípio de funcionamento

O forno possui uma estrutura de tubo vertical e controle avançado de micro-ambiente com baixo teor de oxigênio.O processo LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) aquece gases precursores a baixa pressão para depositar filmes finos de alta qualidade, como o polissilício, nitreto de silício ou óxidos de silício dopados.

Na fabricação de chips, a deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD) é amplamente usada para criar vários filmes finos para diferentes propósitos.LPCVD pode ser usado para depositar filmes de óxido de silício e nitruro de silícioO LPCVD também é utilizado para produzir filmes dopados para modificar a condutividade do silício.que são essenciais para formar estruturas de interconexão em circuitos integrados.

Princípio do processo

The working principle of LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) can be understood as a controlled chemical reaction process that takes place at low pressure and involves the reaction of gaseous precursors on the surface of a wafer.

Entrega de gás:
Um ou mais precursores gasosos (gás químico) são introduzidos na câmara de reação.

A pressão mais baixa ajuda a melhorar as taxas de reação, melhorar a uniformidade e melhorar a qualidade do filme.O caudal e a pressão dos gases são controlados com precisão por controladores e válvulas especializadasA escolha do gás determina as propriedades da película resultante. Por exemplo, para depositar películas de silício, silano (SiH4) ou diclorosilano (SiCl2H2) podem ser utilizados como precursores.São selecionados gases diferentes para outros tipos de películas., tais como óxido de silício, nitreto de silício ou metais.

Adsorção:
Este processo envolve a adsorção de moléculas de gás precursor na superfície do substrato (por exemplo, wafer de silício).A adsorção refere-se à interação em que as moléculas aderem temporariamente à superfície sólida da fase gasosaPode envolver adsorção física ou química.

Reacção:
Na temperatura definida, os precursores adsorvidos sofrem reacções químicas na superfície do substrato, formando uma película fina.Dependendo do tipo de gases precursores e das condições do processo.

Depoimento:
Os produtos da reação formam uma película fina que se deposita uniformemente na superfície do substrato.

Eliminação de gases residuais:
Os precursores não reagidos e os subprodutos gasosos (por exemplo, o hidrogénio gerado durante a decomposição do silano) são retirados da câmara de reação.Estes subprodutos devem ser evacuados para evitar interferências no processo ou contaminação do filme..

Áreas de aplicação

• O equipamento LPCVD é utilizado para depositar filmes finos uniformes a altas temperaturas e baixas pressões, ideal para o processamento por lotes de wafers.

• Capaz de depositar uma ampla gama de materiais, incluindo poli-sílico, nitruro de silício e dióxido de silício.

Perguntas e respostas

Q1: Quantas wafers podem ser processadas por lote?
A1: O sistema suporta 150 wafers por lote, adequado para produção em grande volume.

P2: O sistema suporta vários métodos de oxidação?
R2: Sim, suporta a oxidação seca e húmida (incluindo DCE e HCL), adaptável aos diversos requisitos do processo.

P3: O sistema pode interagir com o MES da fábrica?
A3: Suporta protocolos de comunicação SECS II/HSMS/GEM para integração MES e operações de fábrica inteligentes.

Q4: Que processos compatíveis são suportados?
A4: Além da oxidação, suporta recozimento de N2/H2, RTA, ligação e LPCVD para polissilício, SiN, TEOS, SIPOS e muito mais.