Equipamento de implantação de íons semicondutores

Ai300Médio FeixeImplantador de íons (12 polegadas)

(1) ProdutoResumo

O Ai300 é umMédio feixeSistema de implantação de íons concebido para wafer de 12 polegadasprocessamentoemavançadosemicondutoresFabricaçãoÉ mesmo.principalmenteutilizadas paraMédio-DoaçãoeMédio- Muito alto.energiaetapas de implantação,incluindoBem, então...formação,canal engenharia, elevementedopadosdrenagem(LDD) estruturas em CMOSProcessosO sistema permite um controlo preciso do dopante.profundidadeeconcentração perfisatravésestável feixe Entregaeacertado ângulocontrolo,que permitamOptimização deDispositivo eléctrico Características.

(2) ChaveEspecificações

• Tamanho da bolacha: 12 polegadas
• EnergiaIntervalo: 5 ∼ 300 keV
• Implanteespécies: C, B, P, N, He, Ar
• Implanteângulo: 0° 45° (precisão≤ 0,1°)
• DoaçãoIntervalo: 1E111E16 iões/cm2
• Feixe estabilidade: ≤ 10%/hora
• FeixeParalelo: ≤ 0,1°
• Transmissão: ≥ 500 WPH
• Uniformidade/Repetitividade: ≤ 0,5%

(3)TécnicoCaracterísticas e Vantagens

O Ai300integraçõesum alto...estabilidadefonte de iões eavançado feixesistema de controlo,assegurar mínimo feixe flutuaçãoduranteExtensão operaçãoÉ excelente.feixeparalelismoGarantiasdopante uniformedistribuiçãoatravés da bolacha, que écríticoparaavançadoAlém disso, o seu elevado débito suportavolume Fabricação(HVM)requisitosem fábricas de 12 polegadas.

(4)Aplicações

• Avançado lógica dispositivos(CMOS, FinFET)
• Memória DRAM e NAND
• PrecisãodopagemProcessos

Perguntas frequentes

1O que é implantação de íons e por que é importante em semicondutoresFabricação?

Implantação de íons é umaprocessoem que os íons dopantes sãoaceleradoe implantado num substrato semicondutor paraModificarsuaeléctrico PropriedadesEm comparação com os métodos tradicionais de difusão, a implantação de íons oferececontrolo preciso do dopanteconcentração,profundidade, e lateraldistribuição, fazendo-oindispensávelparaavançadosemicondutoresDispositivo Fabricação.

2Qual é a diferença entreMédio feixee altofeixeImplantes iônicos?

Médio feixeOs implantadores sãoNormalmenteutilizadas paraprecisãodopagemAplicaçõescommoderado Doaçãoe mais largosenergiavariáveis, tais como bemformaçãoecanal engenharia.
AltofeixeOs implantes, por outro lado, são otimizados paraalto-Doaçãoimplantaçãocom maiorfeixe correntes,frequentementeutilizadas como fonte/drenagem formaçãoe contatoengenharia.

3Como escolho o sistema de implantação de íons adequado para o meuprocesso?

OseleçãoDepende de várias chavesfatores:

• Doação Requisito(baixo/Médioversus altoDoação)
• EnergiaDistância(pouco profundasversus junção profunda)
• Tamanho da bolacha(6/8 polegadas vs 12 polegadas)
• Tipo de material(Si versus SiC)

Por exemplo:

• Utilizar Ai300 paraavançadoCMOSprecisãodopagem
• Use Ai80HC para alta-DoaçãoFonte/drenagem Processos
• Usar Ai350HT para implantação de SiC a alta temperatura