Visão Geral do Produto

O wafer de 6 polegadas de Carbeto de Silício (SiC) é um substrato semicondutor de última geração projetado para aplicações eletrônicas de alta potência, alta temperatura e alta frequência. Com condutividade térmica superior, ampla banda proibida e estabilidade química, os wafers de SiC permitem a fabricação de dispositivos de potência avançados que oferecem maior eficiência, maior confiabilidade e pegadas menores em comparação com as tecnologias tradicionais baseadas em silício.

A ampla banda proibida do SiC (~3,26 eV) permite que dispositivos eletrônicos operem em tensões superiores a 1.200 V, temperaturas acima de 200°C e frequências de comutação várias vezes maiores do que o silício. O formato de 6 polegadas oferece uma combinação equilibrada de escalabilidade de fabricação e custo-benefício, tornando-o o tamanho principal para a produção industrial em massa de MOSFETs de SiC, diodos Schottky e wafers epitaxiais.

Princípio de Fabricação

O wafer de SiC de 6 polegadas é cultivado usando a Tecnologia de Transporte de Vapor Físico (PVT) ou Crescimento por Sublimação. Nesse processo, o pó de SiC de alta pureza é sublimado em temperaturas superiores a 2.000°C e recristalizado em um cristal semente sob gradientes térmicos precisamente controlados. O lingote de SiC de cristal único resultante é então fatiado, lapidado, polido e limpo para obter planicidade e qualidade de superfície de nível de wafer.

Para a fabricação de dispositivos, camadas epitaxiais são depositadas na superfície do wafer via Deposição Química de Vapor (CVD), permitindo o controle preciso sobre a concentração de dopagem e a espessura da camada. Isso garante um desempenho elétrico uniforme e defeitos mínimos de cristal em toda a superfície do wafer.

Principais Características e Vantagens

• Ampla Banda Proibida (3,26 eV): Permite operação de alta tensão e eficiência de energia superior.

• Alta Condutividade Térmica (4,9 W/cm·K): Garante a dissipação eficiente de calor para dispositivos de alta potência.

• Alto Campo Elétrico de Ruptura (3 MV/cm): Permite estruturas de dispositivos mais finas com menor corrente de fuga.

• Alta Velocidade de Saturação de Elétrons: Suporta comutação de alta frequência e tempos de resposta mais rápidos.

• Excelente Resistência Química e à Radiação: Ideal para ambientes agressivos, como aeroespacial e sistemas de energia.

• Diâmetro Maior (6 polegadas): Melhora o rendimento do wafer e reduz o custo por dispositivo na produção em massa.

Aplicações

• SiC em Óculos AR:
  Materiais de SiC melhoram a eficiência energética, reduzem a geração de calor e permitem sistemas AR mais finos e leves por meio de alta condutividade térmica e propriedades de ampla banda proibida.

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• SiC em MOSFETs:
  MOSFETs de SiC fornecem comutação rápida, alta tensão de ruptura e baixa perda, tornando-os ideais para drivers de microdisplay e circuitos de energia de projeção a laser.

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• SiC em SBDs:
  Diodos de Barreira Schottky de SiC oferecem retificação ultrarrápida e baixa perda de recuperação reversa, aprimorando o carregamento e a eficiência do conversor CC/CC em óculos AR.

Especificações Técnicas (personalizável)

Por que escolher nossos wafers de SiC

• Alto Rendimento e Baixa Densidade de Defeitos: Processo avançado de crescimento de cristal garante micropipos e deslocamentos mínimos.

• Capacidade de Epitaxia Estável: Compatível com múltiplos processos de fabricação de dispositivos e epitaxiais.

• Especificações Personalizáveis: Disponível em várias orientações, níveis de dopagem e espessuras.

• Controle de Qualidade Rigoroso: Inspeção completa via XRD, AFM e mapeamento PL para garantir a uniformidade.

• Suporte à Cadeia de Suprimentos Global: Capacidade de produção confiável para pedidos de protótipos e volumes.

FAQ

P1: Qual é a diferença entre wafers 4H-SiC e 6H-SiC?
A1: 4H-SiC oferece maior mobilidade de elétrons e é preferido para dispositivos de alta potência e alta frequência, enquanto 6H-SiC é adequado para aplicações que exigem maior tensão de ruptura e menor custo.

P2: O wafer pode ser fornecido com uma camada epitaxial?
A2: Sim. Wafers de SiC epitaxiais (epi-wafers) estão disponíveis com espessura, tipo de dopagem e uniformidade personalizados de acordo com os requisitos do dispositivo.

P3: Como o SiC se compara aos materiais GaN e Si?
A3: SiC suporta tensões e temperaturas mais altas do que GaN ou Si, tornando-o ideal para sistemas de alta potência. GaN é mais adequado para aplicações de alta frequência e baixa tensão.

P4: Quais orientações de superfície são comumente usadas?
A4: As orientações mais comuns são (0001) para dispositivos verticais e (11-20) ou (1-100) para estruturas de dispositivos laterais.

P5: Qual é o prazo de entrega típico para wafers de SiC de 6 polegadas?
A5: O prazo de entrega padrão é de aproximadamente 4–6 semanas, dependendo das especificações e do volume do pedido.