TGV Substrato de vidro revestimento através de buracos embalagem de semicondutores JGS1 JGS2

Visão geral do produto

 
A tecnologia TGV (Through Glass Via), também conhecida como tecnologia de buraco de vidro, é uma técnica de interconexão elétrica vertical que penetra em substratos de vidro.Permite ligações elétricas verticais em substratos de vidroA tecnologia TSV (Through Silicon Via) é utilizada para os interpostores em substratos à base de silício, enquanto a tecnologia TSV (Through Silicon Via) é utilizada para os interpostores em substratos à base de silício.O TGV tem a mesma finalidade em substratos à base de vidro.
Os substratos de vidro representam a próxima geração de materiais baseados em chips, com o vidro como seu componente principal.A cadeia industrial do substrato de vidro abrange a produção, matérias-primas, equipamentos, tecnologia, embalagens, testes e aplicações, com segmentos upstream focados na produção, materiais e equipamentos.
 

Vantagens

• Desempenho elétrico superior de alta frequência
• Facilidade de obtenção de substratos de vidro ultrafinos em larga escala
• Eficiência de custos
• Fluxo de processos simplificado
• Forte estabilidade mecânica
• Potencial de aplicação alargada

 
Princípios técnicos


a) Preparação de wafers de vidro
b) Forma de TGVs (através de vias de vidro)
c) Depositar camada de barreira PVD e camada de semente, realizar galvanização de dois lados para deposição de cobre
d) Recheio e polimento químico-mecânico (CMP) para remover a camada de cobre da superfície
e) Revestimento PVD e fotolitografia
f) Fabricação de RDL (camada de redistribuição)
(g) Tirar a fotoresistência e fazer a gravação Cu/Ti
h) Camada de passivação da forma (camada dielétrica)
 
Passos detalhados:
 
O processo de fabrico do TGV (Through Glass Via) começa com a inspecção do material de entrada, seguido de uma formação através de métodos que incluem sopro de areia, perfuração por ultra-som, gravura em molho,Gravação de íons reativos profundos (DRIE), gravação fotossensível, gravação a laser, gravação profunda induzida por laser e perfuração de descarga focada, subsequentemente submetidas a inspecção e limpeza.
 
Via de vidro através (TGVs) são fabricados usando tecnologia de gravura por plasma.

 
Após a formação do buraco, é necessário inspecionar o buraco, como taxa de perfuração, substâncias estranhas, defeitos do painel, etc.
 

1. Via Integrity Detectar fugas e vias não condutoras. Especificações de tamanho da abertura: 10/30/50/70/100 μm; o diâmetro exterior deve exceder o diâmetro interno em ≥ 60%. Critérios de defeito: área;circularidade (controle ≥ 95%)Tolerância de diâmetro (± 5 μm).

2. Materiais estranhos em vias ️ Verificar a continuidade e detectar resíduos (resíduos de vidro, fibras de carbono, adesivos, poeira).

3. Defeitos de painel Fissuras, defeitos de gravação (poços), contaminantes, arranhões.

 
Novamente, a galvanização de baixo para cima permite um enchimento perfeito do TGV;

 
Finalmente, ligação temporária, moagem posterior, polimento químico mecânico (CMP) para expor o cobre, desligação e formação de uma placa de transferência de vidro através da tecnologia de processo (TGV).Durante o processo, são também necessários processos de semicondutores, tais como limpeza e ensaios.
 
a) Perforação LIDE
b) Enchimento por galvanização
c) CMP
d) Formação RDL frontal
e) Camada de poliimida
(f) Bumping
(g) Fiança temporária
(h) Moagem de fundo e formação de RDL
i) Wafer transportador desligado
 
 

Aplicações
Comunicações de alta frequência (5G/6G chip packaging)
Chips de computação de alto desempenho e IA
Módulos autônomos LiDAR, radar automotivo, unidades de controlo de veículos.
Dispositivos implantáveis (por exemplo, sondas neurais), biochips de alto rendimento.

Perguntas e respostas
P1: O que é vidro TGV?
A1:Vidro TGV: um substrato de vidro com vias condutoras verticais para interconexão de chips de alta densidade, adequado para embalagens de alta frequência e 3D.
 
Q2:Qual é a diferença entre o substrato de vidro e o substrato de silício?
A2:

• Materiais: O vidro é um isolante (baixa perda dielétrica), o silício é um semicondutor.
• Desempenho de alta frequência: a perda de sinal do vidro é 10-100 vezes menor do que o silício.
• Custo: O substrato de vidro custa cerca de 1/8 do silício.
• TGV (Through Glass Via): um canal vertical metalizado formado num substrato de vidro, sem a necessidade de uma camada isolante adicional, e um processo mais simples do que através do silício via (TSV).

 
P3: Por que escolher substratos de núcleo de vidro?
A3:

• Superioridade de alta frequência: Baixo Dk/Df minimiza a distorção do sinal nas bandas de 5G/6G mmWave (24-300 GHz).
• Eficiência de custos:O processamento de painéis de grande área (por exemplo, painéis de vidro da geração 8.5) reduz os custos em 70% em comparação com as wafers de silício.
• Estabilidade térmica e mecânica: curvatura quase nula, mesmo em espessuras ultrafinas (< 100 μm). A afinação CTE reduz o estresse térmico em sistemas de vários materiais.
• Transparência óptica: Permite a integração híbrida elétrica/óptica (por exemplo, LiDAR, ecrãs AR).
• Escalabilidade: Suporta embalagens de nível de painel (PLP) para produção em massa de ICs 3D avançados.

 
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