HPSI SiC em pó de alta pureza semi-isolante/99,9999% Crescimento de cristais de pureza

Introdução ao produto

HPSI SiC em pó (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) é um material de alto desempenho amplamente utilizado em eletrônicos de potência, dispositivos optoeletrônicos e de alta temperatura,aplicações de alta frequênciaConhecido pela sua excepcional pureza, propriedades de semi-isolação e estabilidade térmica, o pó HPSI SiC é um material crítico para dispositivos semicondutores de próxima geração.

Princípio de funcionamento

Processo de crescimento de cristais no forno de carburo de silício (SiC) PVT de cristal único:

• Colocar pó de carburo de silício (SiC) de alta pureza no fundo do cadinho de grafite dentro do forno e ligar um cristal de semente de carburo de silício à superfície interna da tampa do cadinho.
• Aquecer o cadinho a temperaturas superiores a 2000 °C utilizando aquecimento por indução eletromagnética ou aquecimento por resistência.mantendo a temperatura no cristal da semente ligeiramente inferior à da fonte de pó.
• O pó de SiC decompõe-se em componentes gasosos incluindo átomos de silício, moléculas de SiC2 e moléculas de Si2C.Estas substâncias em fase de vapor transportam-se da zona de alta temperatura (po) para a zona de baixa temperatura (cristal de semente)Na face de carbono do cristal de semente, estes componentes se organizam numa estrutura atómica ordenada seguindo a orientação cristalina do cristal de semente.O cristal gradualmente engrossa e, finalmente, cresce em um lingote de carburo de silício.

Especificações

Aplicações

Crescimento de cristal único de SiC

• O pó de SiC HPSI é utilizado principalmente como matéria-prima para a produção de cristais únicos de carburo de silício de alta pureza através de métodos de transporte físico de vapor (PVT) ou de sublimação.- Não.

- Não.

Estrutura física

HPSI SiC em pó apresenta uma estrutura altamente cristalina, tipicamente hexagonal (4H-SiC) ou cúbica A sua elevada pureza é alcançada através da minimização das impurezas metálicas e do controlo da inclusão de dopantes como o alumínio ou o nitrogénio,que influenciam as suas características eléctricas e de isolamentoO tamanho das partículas finas garante a uniformidade e a compatibilidade com vários processos de fabrico.

Perguntas e respostas

Q1:Para que é utilizado o pó de carburo de silício (SiC) HPSI?
Aplicações de pó de micrões de SiC são, por exemplo, injetores de arejamento, vedações de bombas de água automotivas, rolamentos, componentes de bombas e matrizes de extrusão que usam alta dureza, resistência à abrasão,e resistência à corrosão do carburo de silício.

P2: O que é o pó de carburo de silício (SiC) HPSI?

O pó de carburo de silício HPSI (High Purity Sintered) é um material SiC de alta pureza e alta densidade fabricado através de processos avançados de sinterização.

P3: Pode o pó HPSI SiC ser personalizado para aplicações específicas?

Sim, o pó de SiC HPSI pode ser adaptado em termos de tamanho das partículas, nível de pureza e concentração de dopagem para satisfazer necessidades industriais ou de investigação específicas.

P4: Como o pó de SiC HPSI afeta diretamente a qualidade das wafers de semicondutores?

Sua pureza, tamanho das partículas e fase cristalina determinam diretamente.

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