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HPSI SiC em pó de alta pureza semi-isolante/99,9999% Crescimento de cristais de pureza
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Purificação: | ≥ 99,9999% (6N) | Particle Size: | 0.5 µm - 10 µm |
|---|---|---|---|
| Largura do intervalo: | ~ 3,26 eV | Mohs Hardness: | 9.5 |
| Destacar: | Pó de SiC de crescimento cristalino,Pó de sílica de alta pureza,Pó de SiC semi-isolante |
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Descrição de produto
Introdução ao produto
HPSI SiC em pó (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) é um material de alto desempenho amplamente utilizado em eletrônicos de potência, dispositivos optoeletrônicos e de alta temperatura,aplicações de alta frequênciaConhecido pela sua excepcional pureza, propriedades de semi-isolação e estabilidade térmica, o pó HPSI SiC é um material crítico para dispositivos semicondutores de próxima geração.
Princípio de funcionamento
Processo de crescimento de cristais no forno de carburo de silício (SiC) PVT de cristal único:
- Colocar pó de carburo de silício (SiC) de alta pureza no fundo do cadinho de grafite dentro do forno e ligar um cristal de semente de carburo de silício à superfície interna da tampa do cadinho.
- Aquecer o cadinho a temperaturas superiores a 2000 °C utilizando aquecimento por indução eletromagnética ou aquecimento por resistência.mantendo a temperatura no cristal da semente ligeiramente inferior à da fonte de pó.
- O pó de SiC decompõe-se em componentes gasosos incluindo átomos de silício, moléculas de SiC2 e moléculas de Si2C.Estas substâncias em fase de vapor transportam-se da zona de alta temperatura (po) para a zona de baixa temperatura (cristal de semente)Na face de carbono do cristal de semente, estes componentes se organizam numa estrutura atómica ordenada seguindo a orientação cristalina do cristal de semente.O cristal gradualmente engrossa e, finalmente, cresce em um lingote de carburo de silício.
Especificações
| Parâmetro | Intervalo de valores |
|---|---|
| Purificação | ≥ 99,9999% (6N) |
| Tamanho das partículas | 0.5 μm - 10 μm |
| Resistividade | 105 - 107 Ω·cm |
| Conductividade térmica | ~490 W/m·K |
| Largura do intervalo | ~ 3,26 eV |
| Dureza de Mohs | 9.5 |
Aplicações
Crescimento de cristal único de SiC
- O pó de SiC HPSI é utilizado principalmente como matéria-prima para a produção de cristais únicos de carburo de silício de alta pureza através de métodos de transporte físico de vapor (PVT) ou de sublimação.- Não.
- Não.
Estrutura física
HPSI SiC em pó apresenta uma estrutura altamente cristalina, tipicamente hexagonal (4H-SiC) ou cúbica A sua elevada pureza é alcançada através da minimização das impurezas metálicas e do controlo da inclusão de dopantes como o alumínio ou o nitrogénio,que influenciam as suas características eléctricas e de isolamentoO tamanho das partículas finas garante a uniformidade e a compatibilidade com vários processos de fabrico.
Perguntas e respostas
Q1:Para que é utilizado o pó de carburo de silício (SiC) HPSI?
Aplicações de pó de micrões de SiC são, por exemplo, injetores de arejamento, vedações de bombas de água automotivas, rolamentos, componentes de bombas e matrizes de extrusão que usam alta dureza, resistência à abrasão,e resistência à corrosão do carburo de silício.
P2: O que é o pó de carburo de silício (SiC) HPSI?
O pó de carburo de silício HPSI (High Purity Sintered) é um material SiC de alta pureza e alta densidade fabricado através de processos avançados de sinterização.
P3: Pode o pó HPSI SiC ser personalizado para aplicações específicas?
Sim, o pó de SiC HPSI pode ser adaptado em termos de tamanho das partículas, nível de pureza e concentração de dopagem para satisfazer necessidades industriais ou de investigação específicas.
P4: Como o pó de SiC HPSI afeta diretamente a qualidade das wafers de semicondutores?
Sua pureza, tamanho das partículas e fase cristalina determinam diretamente.
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