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12 polegadas Wafer SiC Wafer de carburo de silício 300mm Substrato 750±25um 4H-N Tipo Orientação 100 Produção de Pesquisa Grau
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | porcelana |
| Marca: | ZMSH |
| Certificação: | Rohs |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | único recipiente da bolacha |
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, |
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Informação detalhada |
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| Polytype: | 4H-SiC 6H-SiC | Diâmetro: | 12 polegadas 300 mm |
|---|---|---|---|
| Conductividade: | N Tipo / Semi-isolação | dopante: | N2 (nitrogénio) V (vanádio) |
| orientação: | No eixo <0001> fora do eixo <0001> fora de 4° | Resistividade: | 0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N) |
| Densidade de microtubos (MPD): | ≤ 10/cm2 ~ ≤ 1/cm2 | TTV: | ≤ 25 μm |
| Destacar: | Wafer de carburo de silício 4H-N,Wafer de carburo de silício de 12 polegadas,Wafer de carburo de silício de 300 mm |
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Descrição de produto
Wafer de 12 polegadas de SiC Wafer de carburo de silício 300mm 750±25um Orientação tipo 4H-N 100 Produção Grau de pesquisa
O resumo da bolacha de SiC de 12 polegadas
Esta bolacha de carburo de silício (SiC) de 12 polegadas é projetada para aplicações avançadas de semicondutores, com um diâmetro de 300 mm, espessura de 750 ± 25 μm,com uma orientação cristalina de tipo 4H-N com um politipo de 4H-SiCA wafer é produzida utilizando técnicas de fabricação de alta qualidade para atender aos padrões dos ambientes de investigação e produção.de alta temperatura, e dispositivos de alta frequência, frequentemente utilizados em aplicações como veículos elétricos (EVs), eletrônica de potência e tecnologia de RF.A integridade estrutural superior da bolacha e as especificações precisas garantem altos rendimentos na fabricação do dispositivo, oferecendo um desempenho óptimo em investigação de ponta e aplicações industriais.
Gráfico de dados de 12 polegadas de Wafer SiC
| 1 2Especificação do substrato do carburo de silício (SiC) | |||||
| Grau | Produção ZeroMPD Grau ((Grad Z) |
Produção padrão Grau ((P Grau) |
Grau de simulação (Classe D) |
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| Diâmetro | 3 0 0 mm | ||||
| Espessura | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Orientação da wafer | Fora do eixo: 4,0° para < 1120 > ± 0,5° para 4H-N, no eixo: < 0001> ± 0,5° para 4H-SI | ||||
| Densidade dos microtubos | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
| 4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
| Resistividade | 4H-N | 0.015-0.024 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥ 1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Orientação plana primária | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Duração plana primária | 4H-N | N/A | |||
| 4H-SI | Notch | ||||
| Exclusão de borda | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 μm/≤ 55 μm | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 □ μm/≤ 55 □ μm | |||
| Resistência à corrosão | Ra≤1 nm polaco | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Fissuras de borda por luz de alta intensidade Placas hexadecimais por luz de alta intensidade Áreas de politipo por luz de alta intensidade Inclusões de carbono visuais A superfície do silício é arranhada pela luz de alta intensidade |
Nenhum Área acumulada ≤ 0,05% Nenhum Área acumulada ≤ 0,05% Nenhum |
Comprimento acumulado ≤ 20 mm, comprimento único ≤ 2 mm Área acumulada ≤ 0,1% Área acumulada≤3% Área acumulada ≤ 3% Comprimento acumulado ≤ 1 × diâmetro da wafer |
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| Chips de borda por luz de alta intensidade | Nenhuma largura e profundidade ≥ 0,2 mm | 7 permitidos, ≤ 1 mm cada | |||
| (TSD)Dislocação do parafuso de rosca | ≤500 cm-2 | N/A | |||
| (TDA)Dislocação do plano de base | ≤1000 cm-2 | N/A | |||
| SSuperfície iliconContaminação pela luz de alta intensidade | Nenhum | ||||
| Embalagem | Cassete de várias placas ou recipiente de uma única placa | ||||
| Notas: | |||||
| 1 Os limites de defeito aplicam-se a toda a superfície da bolacha, com excepção da zona de exclusão da borda. Os arranhões devem ser verificados apenas na face de Si. 3 Os dados de luxação são apenas de placas gravadas KOH. |
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Foto da bolacha de 12 polegadas de SiC.
Propriedades da bolacha de SiC de 12 polegadas
1.Propriedades materiais do SiC:
- Ampla distância de banda: O SiC tem uma banda larga (~ 3,26 eV), permitindo-lhe operar em voltagens, temperaturas e frequências mais elevadas em comparação com o silício tradicional (Si).
- Alta condutividade térmica: A condutividade térmica do SiC é muito superior à do silício (cerca de 3,7 W/cm·K), tornando-o adequado para aplicações de alta potência onde a dissipação de calor é crítica.
- Alta tensão de ruptura: O SiC pode suportar tensões muito mais elevadas (até 10 vezes mais elevadas que o silício), tornando-o ideal para eletrônicos de potência, como transistores de potência e diodos.
- Alta mobilidade de elétrons: A mobilidade dos elétrons no SiC é maior do que no silício tradicional, contribuindo para tempos de comutação mais rápidos em dispositivos eletrónicos.
2.Propriedades mecânicas:
- Alta dureza: O SiC é muito duro (dureza de Mohs 9), o que contribui para a sua resistência ao desgaste, mas também dificulta o processamento e a máquina.
- Duração: Tem um elevado módulo de Young, o que significa que é mais rígido e durável em comparação com o silício, o que aumenta a sua robustez em dispositivos.
- Fragilidade: O SiC é mais frágil que o silício, o que é importante considerar durante o processamento de wafer e a fabricação de dispositivos.
Aplicações da bolacha de SiC de 12 polegadas
As placas de SiC de 12 polegadas são usadas principalmente em eletrônicos de potência de alto desempenho, incluindo MOSFETs de potência, diodos e IGBTs, permitindo uma conversão eficiente de energia em indústrias comoVeículos elétricos,energia renovável, eSistemas de energia industrialA elevada condutividade térmica, o amplo intervalo de banda e a capacidade de resistir a altas temperaturas tornam o SiC® ideal para aplicações em:Eletrónica automóvel,Inversores de energia, eSistemas de energia de alta potência. A sua utilização emDispositivos de RF de alta frequênciaeSistemas de comunicação de microondastorna-o também crítico para telecomunicações, aeroespacial e sistemas de radar militares.
Além disso, as wafers de SiC são utilizadas emLED e optoeletrónica, servindo de substrato paraLEDs azuis e UVA resistência do material a ambientes adversos permite a sua utilização em:Sensores de alta temperatura,dispositivos médicos, eSistemas de alimentação por satélite. Com o seu papel crescente naredes inteligentes,armazenamento de energia, edistribuição de energia, o SiC está a ajudar a melhorar a eficiência, a fiabilidade e o desempenho numa ampla gama de aplicações.
Perguntas e Respostas do Wafer SiC de 12 polegadas
1.O que é uma bolacha de 12 polegadas?
Resposta: Uma bolacha SiC de 12 polegadas é um substrato de carburo de silício (SiC) com um diâmetro de 12 polegadas, usado principalmente na indústria de semicondutores, especialmente para alta potência, alta temperatura,e aplicações de alta frequênciaOs materiais de SiC são amplamente utilizados em eletrônicos de potência, eletrônicos automotivos e dispositivos de conversão de energia devido às suas excelentes propriedades elétricas, térmicas e mecânicas.
2.Quais são as vantagens de uma bolacha de SiC de 12 polegadas?
Resposta: As vantagens de uma bolacha de SiC de 12 polegadas incluem:
- Estabilidade a altas temperaturas: O SiC pode funcionar a temperaturas de até 600°C ou mais, oferecendo um melhor desempenho em altas temperaturas do que os materiais tradicionais de silício.
- Manipulação de alta potência: O SiC pode suportar alta tensão e corrente, tornando-o adequado para aplicações de alta potência, como gestão de baterias de veículos elétricos e fontes de alimentação industrial.
- Alta condutividade térmica: O SiC tem uma condutividade térmica significativamente superior ao silício, o que ajuda a uma melhor dissipação de calor, melhorando a confiabilidade e a eficiência do dispositivo.