Wafer de SiC 12 polegadas 300 mm Espessura 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Para Semicondutor

Wafer SiC de 12 polegadas de espessura de 300 mm 750 ± 25um Prime Dummy Reaserch Grade para Semicondutor

Wafer de SiC de 12 polegadas

Uma de 12 polegadas (300 mm)de um diâmetro não superior a 50 mm,Com uma espessura de 750±25 microns, é um material crítico na indústria de semicondutores devido à sua excepcional condutividade térmica, alta tensão de ruptura e propriedades mecânicas superiores.Essas placas são fabricadas com técnicas avançadas para atender aos requisitos rigorosos de aplicações de semicondutores de alto desempenhoAs propriedades inerentes do SiC o tornam ideal para dispositivos de energia e eletrônicos de alta temperatura, oferecendo maior eficiência e durabilidade em comparação com os semicondutores tradicionais à base de silício.

Folha de dados de wafer de SiC de 12 polegadas

Foto da bolacha de SiC de 12 polegadas.

Propriedades das placas de SiC de 12 polegadas

1Vantagens da bolacha de 12 polegadas (de tamanho grande):

• Wafer de SiC de 12 polegadas Aumentar a eficiência de produção: à medida que o tamanho da wafer aumenta, o número de chips por unidade de área aumenta significativamente, aumentando muito a eficiência de fabricação.uma bolacha de 12 polegadas pode produzir mais dispositivos no mesmo tempo, reduzindo o ciclo de produção.
• Wafer de SiC de 12 polegadasCustos de produção reduzidos: uma vez que uma única bolacha de SiC de 12 polegadas pode produzir mais chips, o custo de fabricação por chip é muito reduzido.Wafers maiores melhoram a eficiência de processos como fotolitografia e deposição de filme fino, reduzindo assim o custo global de produção.
• Maior rendimento: Embora o material SiC tenha inerentemente uma taxa de defeito maior, as bolhas maiores oferecem mais tolerância a defeitos no processo de produção, o que ajuda a melhorar o rendimento.

2- Adequação a aplicações de alta potência:

• Wafer de SiC de 12 polegadasO próprio material SiC tem excelentes propriedades para alta temperatura, alta frequência, alta potência e alto desempenho de tensão, tornando-o ideal para eletrônica de potência, eletrônica automotiva,e estações de base 5GUma bolacha de SiC de 12 polegadas atende melhor às demandas de desempenho e confiabilidade do dispositivo nesses campos.
• Wafer de SiC de 12 polegadasVeículos elétricos (VE) e estações de carregamento: os dispositivos SiC, especialmente os fabricados a partir de wafers de 12 polegadas, tornaram-se uma tecnologia chave nos sistemas de gestão de baterias (BMS) de veículos elétricos (VE),Carregamento rápido de CCA maior dimensão da bolacha pode satisfazer os requisitos de potência mais elevados, proporcionando maior eficiência e menor consumo de energia.

3- Alinhamento com as tendências de desenvolvimento da indústria:

• Wafer de SiC de 12 polegadasProcessos avançados e maior integração: à medida que a tecnologia dos semicondutores progride, aumenta a procura de dispositivos de potência com maior integração e desempenho,Particularmente em domínios como o automóvel., energia renovável (solar, eólica) e redes inteligentes.A bolacha de SiC de 12 polegadas não só oferece maior densidade de energia e confiabilidade, mas também atende aos requisitos de design cada vez mais complexo do dispositivo e menor tamanho.
• Crescimento da procura do mercado global: há uma crescente procura global de energia verde, desenvolvimento sustentável e transmissão de energia eficiente, o que continua a impulsionar o mercado de dispositivos de potência SiC.O rápido desenvolvimento dos veículos elétricos (VE) e dos equipamentos de energia eficientes ampliou a aplicação de wafers de SiC de 12 polegadas.

4Vantagens materiais:

• Wafer de SiC de 12 polegadasO material SiC tem excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas e tolerância à radiação.que o tornam particularmente adequado para alta tensão, aplicações de alta potência.
• A bolacha de SiC de 12 polegadas também pode operar em uma faixa de temperatura mais ampla, o que é crítico para a estabilidade e durabilidade dos dispositivos eletrônicos de potência.

Perguntas e respostas

P: Quais são as vantagens do uso de wafers de SiC de 12 polegadas na fabricação de semicondutores?

R: As principais vantagens do uso de wafers de SiC de 12 polegadas incluem:

1. Eficiência de produção aumentada: as wafers maiores permitem que mais chips sejam produzidos por unidade de área, reduzindo o tempo do ciclo de fabricação.Isso resulta em maior rendimento e melhor eficiência geral em comparação com as wafers menores.
2. Custos de produção reduzidos: uma única bolacha de 12 polegadas produz mais chips, o que reduz o custo por chip.As placas maiores também aumentam a eficiência de processos como a fotolitografia e a deposição de filme fino.
3. Maior Rendimento: Embora o material SiC tende a ter uma taxa de defeito maior, as bolhas maiores permitem mais tolerância a defeitos, o que, em última análise, ajuda a melhorar o rendimento.

P: Quais são as principais aplicações para wafers de SiC de 12 polegadas em sistemas de alta potência?

As placas de SiC de 12 polegadas são particularmente adequadas para aplicações de alta potência, tais como:

1. Veículos Elétricos (VE) e Estações de Carregamento: Dispositivos SiC fabricados a partir de wafers de 12 polegadas são cruciais para sistemas de conversão de energia, sistemas de gestão de baterias (BMS), sistemas de gestão de energia e sistemas de gestão de energia.e carregamento rápido de CC em veículos elétricosO tamanho maior da bolacha suporta maiores demandas de energia, melhorando a eficiência e reduzindo o consumo de energia.
2. Eletrônicos de alta tensão e alta potência: a excelente condutividade térmica e resistência a altas temperaturas do SiC® tornam as wafers de SiC de 12 polegadas ideais para eletrônicos de alta potência usados em automóveis,Energia renovável (solar), eólica) e aplicações de redes inteligentes.
   Estas placas satisfazem a crescente necessidade de dispositivos de energia eficientes no mercado global em evolução de energia verde e tecnologia sustentável.

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