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Wafers de SiC de alta qualidade 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau sem dopagem
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Wafers de SiC 2/3/4/6/8 polegadas Tipo 4H-N Produção Fantasma Grau de Pesquisa |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
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| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Materiais: | SIC | Diâmetro: | 2/3/4/6/8 polegadas |
|---|---|---|---|
| Tipo: | 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI | polonês: | DSP/SSP |
| Destacar: | Wafers de SiC não dopadas,Wafers SiC de tipo 4H-N,Wafers de SiC de 8 polegadas |
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Descrição de produto
Wafers SiC de 8 polegadas tipo DSP/SSP <0001> 200 mm Zero Prime Dummy de alta qualidade sem dopagem
1Abstracto.
As nossas bolinhas de SiC de alta qualidade, de 8 polegadas, tipo DSP/SSP, sem dopagem.estão disponíveis em tamanhos que variam de 2 a 8 polegadas, especialmente para o diâmetro de 8',Somos um dos poucos fabricantes com capacidade para produzir wafers de SiC de 8 polegadasNós nos concentramos em produzir alta qualidade para os nossos clientes.
2Descrição do produto e da empresa
2.1 Descrição do produto:
O nossoWafers de SiC de alta qualidade de 8 polegadas 4H-N Tipo DSP/SSP <0001> 200 mm Zero Prime Dummy Research Grade Undopedsão especificamente concebidos para aplicações de semicondutores de ponta. Estas placas apresentam características eléctricas e térmicas excelentes, tornando-as adequadas para dispositivos de energia eletrónica, RF,e ambientes de alta temperatura.
2.2 Descrição da empresa:
A nossa empresa (ZMSH)tem estado a concentrar-se no campo de safira paraMais de 10 anosTemos muita experiência emProdutos personalizadosTambém realizamos design personalizado e podemos ser OEM.ZMSHserá a melhor escolha considerando tanto o preço como a qualidade.Sinta-se à vontade para chegar!
3. Aplicações
Desbloqueie o potencial dos seus projectos de investigação e desenvolvimento comO nosso Wafers SiC de 8 polegadas tipo DSP/SSP <0001> 200 mm Zero Prime Dummy de alta qualidade sem dopagemCom uma banda de cerca de 3,3 eV, estas placas permitem operações de alta tensão e alta frequência.Melhorando assim a eficiência e a fiabilidade em aplicações rigorosas.
- Laser: Os substratos de SiC permitem a produção de diodos laser de alta potência que operam de forma eficiente nas regiões de luz UV e azul.A sua excelente condutividade térmica e durabilidade tornam-nas ideais para aplicações que exigem desempenho fiável em condições extremas.
- Eletrônicos de consumo: Os substratos de SiC melhoram os IC de gestão de energia, permitindo uma conversão de energia mais eficiente e uma vida útil da bateria mais longa.permitindo carregadores menores e mais leves, mantendo um elevado desempenho.
- Baterias a bordo de veículos elétricos: Os substratos de SiC melhoraram a eficiência energética e aumentaram a autonomia. A sua aplicação na infra-estrutura de carregamento rápido suporta tempos de carregamento mais rápidos, aumentando a conveniência para os utilizadores de veículos eléctricos.
4. Display do produto - ZMSH
5. Especificações de Wafer SiC
6Perguntas frequentes
6.1 Q:Que tamanhos de wafers de SiC podemos produzir?
R: Somos especialmente capazes de produzir os de 8 polegadas. Os substratos de SiC estão disponíveis em vários tamanhos, 2/3/4/6/8 polegadas de diâmetro.Outros tamanhos personalizados também podem estar disponíveis com base em requisitos específicos da aplicação.
6.2 Q:Que indústrias se beneficiam dessas bolachas?
R: As principais indústrias incluem a automoção, telecomunicações, aeroespacial e energia renovável.
6.3 Q:Posso fazer as minhas bolachas personalizadas?
R: Claro! Nós temos produzido produtos personalizados por mais de 10 anos; por favor, entre em contato para compartilhar seus requisitos conosco.
7Oferecemos mais materiais semicondutores.
Também processamos wafers SiC-HPSI, substratos de safira e outros materiais semicondutores.
Tag:Wafer SiC, Substrato SiC, Materiais Semicondutores.