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3C-N Tipo Wafers de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas Ou 5 * 5 10 * 10 mm Tamanho Produção Grau Grau de Pesquisa
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Diâmetro: | 5*5mm±0.2mm & 10*10mm±0.2mm 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas | Espessura: | 350 μm±25 μm |
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| Resistência 3C-N: | ≤ 0,8 mΩ•cm | Comprimento liso preliminar: | 150,9 mm ± 1,7 mm |
| Comprimento liso secundário: | 8.0 mm ± 1,7 mm | Exclusão da borda: | 3 mm |
| TTV/Bow/Warp: | ≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 | Resistência à corrosão: | Polonês Ra≤1 nm CMP Ra≤0,2 nm |
| A superfície do silício é arranhada pela luz de alta intensidade: | 3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer | ||
| Destacar: | bolachas do carboneto de silicone 4inch,Wafers de carburo de silício de 6 polegadas,Wafers de carburo de silício de qualidade de investigação |
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Descrição de produto
Wafers de carboneto de silício tipo 3C-N, tamanho de 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas ou 5 * 5 e 10 * 10 mm, grau de pesquisa de grau de produção
Resumo das bolachas de carboneto de silício tipo 3C-N
Wafers de carboneto de silício tipo 3C-N (SiC)são uma variação específica de wafers de SiC que utilizam o politipo 3C cúbico. Conhecidos por suas excepcionais propriedades térmicas, elétricas e mecânicas, esses wafers são projetados para atender aos rigorosos requisitos de tecnologias avançadas em eletrônica, optoeletrônica e dispositivos de energia.
OPolitipo 3Capresenta uma estrutura cristalina cúbica, oferecendo diversas vantagens sobre politipos hexagonais como 4H-SiC e 6H-SiC. Um dos principais benefícios do 3C-SiC é a suamaior mobilidade eletrônica, o que o torna ideal para aplicações de alta frequência e eletrônica de potência onde a comutação rápida e a baixa perda de energia são essenciais. Além disso, os wafers 3C-N SiC têm umbanda inferior(cerca de 2,36 eV), o que ainda lhes permite lidar com alta potência e tensão com eficiência.
Esses wafers estão disponíveis em tamanhos padrão, como5x5mme10x10mm, com umespessura de 350 μm ± 25 μm, garantindo compatibilidade precisa para vários processos de fabricação de dispositivos. Eles são adequados para uso emalta potênciaedispositivos de alta frequência, como MOSFETs, diodos Schottky e outros componentes semicondutores, oferecendo desempenho confiável sob condições extremas.
Ocondutividade térmicados wafers 3C-N SiC permitem a dissipação eficiente de calor, um recurso crucial para dispositivos que operam em altas densidades de potência. Além disso, sua resistência mecânica e resistência ao estresse térmico e químico os tornam duráveis em ambientes desafiadores, melhorando ainda mais sua aplicação emeletrônica de potência,Tecnologias de RA, esensores de alta temperatura.
Em resumo, os wafers SiC tipo 3C-N combinam características eletrônicas, térmicas e mecânicas superiores, tornando-os essenciais para dispositivos eletrônicos de próxima geração e aplicações de alto desempenho.
Fotos de wafers de carboneto de silício tipo 3C-N
Propriedades dos wafers de carboneto de silício tipo 3C-N
Estrutura Cristalina:
Estrutura politípica cúbica (3C), oferecendo maior mobilidade eletrônica em comparação com politipos hexagonais de SiC como 4H-SiC e 6H-SiC, tornando-a adequada para aplicações de alta frequência.
Opções de tamanho:
Disponível nas dimensões 5x5mm e 10x10mm, proporcionando flexibilidade para diversas aplicações.
Grossura:
Espessura controlada com precisão de 350 μm ± 25 μm, garantindo estabilidade mecânica e compatibilidade com uma ampla gama de processos de fabricação.
Alta mobilidade eletrônica:
A estrutura cristalina cúbica resulta em melhor transporte de elétrons, tornando-a vantajosa para aplicações de alta velocidade e baixa perda de energia em eletrônica de potência e dispositivos de RF.
Condutividade Térmica:
A excelente condutividade térmica permite uma dissipação de calor eficiente, crucial para dispositivos que operam em altas densidades de potência, ajudando a prevenir o superaquecimento e aumentando a longevidade do dispositivo.
Intervalo de banda:
Um bandgap inferior de cerca de 2,36 eV, adequado para aplicações de alta tensão e alta potência, mantendo ao mesmo tempo uma operação eficiente em ambientes extremos.
Resistência Mecânica:
Os wafers 3C-N SiC apresentam alta durabilidade mecânica, oferecendo resistência ao desgaste e à deformação, garantindo confiabilidade de longo prazo em condições adversas.
Transparência óptica:
Boas propriedades ópticas, principalmente para aplicações optoeletrônicas como LEDs e fotodetectores, graças à sua transparência em determinados comprimentos de onda.
Estabilidade Química e Térmica:
Altamente resistente ao estresse térmico e químico, tornando-o adequado para uso em ambientes extremos, como eletrônicos e sensores de alta temperatura.
Essas propriedades tornam os wafers 3C-N SiC ideais para uma ampla gama de aplicações avançadas, incluindo eletrônica de potência, dispositivos de alta frequência, optoeletrônica e sensores.
Gráfico de dados dos wafers de carboneto de silício tipo 3C-N
晶格领域 2 英寸 SiC 晶片产品标准
2 polegada de diâmetro SilícioSubstrato de carboneto (SiC) Especificação
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等级 Grau |
工业级 Grau de produção (Grau P) |
研究级 Grau de pesquisa (Grau R) |
foto Nota fictícia (Grau D) |
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| Diâmetro | 50,8 mm ± 0,38 mm | |||||
| Espessura | 350 μm±25 μm | |||||
| 晶片方向 Orientação de Wafer | Fora do eixo: 2,0°-4,0° em direção a [112 | 0] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo:〈111〉± 0,5° para 3C-N | ||||
| Densidade de microtubos | 0cm-2 | |||||
| 电阻率 ※Resistividade | 4H/6H-P | ≤0,1Ω.cm | ||||
| 3C-N | ≤0,8mΩ•cm | |||||
| 主定位边方向 Orientação Plana Primária | 4H/6H-P | {10-10} ±5,0° | ||||
| 3C-N | {1-10} ±5,0° | |||||
| 主定位边长度 Comprimento plano primário | 15,9mm ±1,7mm | |||||
| 次定位边长度 Comprimento plano secundário | 8,0mm ±1,7mm | |||||
| 次定位边方向 Orientação Plana Secundária | Silício voltado para cima: 90° CW. do plano Prime ±5,0° | |||||
| 边缘去除 Exclusão de borda | 3mm | 3mm | ||||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arco/Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |||||
| 表面粗糙度※ Rugosidade | Ra≤1 nm polonês | |||||
| CMP Ra≤0,2nm | ||||||
| 边缘裂纹(强光灯观测) Rachaduras nas bordas por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤1 mm | ||||
| 六方空洞(强光灯观测) ※ Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área acumulada≤1% | Área acumulada≤3% | ||||
| 多型(强光灯观测) ※ Áreas politípicas por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada≤2% | Área acumulada≤5% | |||
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Si 面划痕(强光灯观测)# Arranhões na superfície do silicone por luz de alta intensidade |
3 arranhões em 1×wafer comprimento cumulativo de diâmetro |
5 arranhões em 1×wafer comprimento cumulativo de diâmetro |
8 arranhões para comprimento cumulativo de 1 × diâmetro do wafer | |||
| 崩边(强光灯观测) Chips de borda com alta intensidade de luz | Nenhum | 3 permitidos, ≤0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤1 mm cada | |||
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硅面污染物(强光灯观测) Contaminação de superfície de silício por alta intensidade |
Nenhum | |||||
| Embalagem | Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer | |||||
Notas:
※Os limites de defeitos se aplicam a toda a superfície do wafer, exceto à área de exclusão de borda. # Os arranhões devem ser verificados apenas no rosto do Si.
Aplicações de wafers de carboneto de silício tipo 3C-N
Aplicações de wafers de carboneto de silício (SiC) tipo 3C-N na indústria de semicondutores e microeletrônica
Os wafers de carboneto de silício tipo 3C-N desempenham um papel crucial nas indústrias de semicondutores e microeletrônica, oferecendo propriedades exclusivas que melhoram o desempenho e a eficiência de vários dispositivos.
Eletrônica de Potência:
Na eletrônica de potência, os wafers 3C-N SiC são amplamente utilizados em dispositivos de alta potência, comoMOSFETs,Diodos Schottky, etransistores de potência. Sua alta condutividade térmica e mobilidade eletrônica permitem que esses dispositivos operem eficientemente em altas tensões e temperaturas, minimizando as perdas de energia. Isto torna o 3C-N SiC ideal para uso emsistemas de conversão de energia,veículos elétricos (VEs), esistemas de energia renovável, onde a gestão eficiente da energia é crucial.
Dispositivos de alta frequência:
A excelente mobilidade eletrônica dos wafers 3C-N SiC os torna adequados pararadiofrequência (RF)eaplicações de microondas, comoamplificadores,osciladores, efiltros. Esses wafers permitem que dispositivos operem em frequências mais altas com menor perda de sinal, melhorando o desempenho de sistemas de comunicação sem fio, tecnologia de satélite e sistemas de radar.
Eletrônica de alta temperatura:
Os wafers 3C-N SiC também são usados em dispositivos semicondutores que operam em ambientes extremos, comosensores de alta temperaturaeatuadores. A resistência mecânica, a estabilidade química e a resistência térmica do material permitem que esses dispositivos tenham um desempenho confiável em indústrias como aeroespacial, automotiva e de petróleo e gás, onde os dispositivos devem suportar condições operacionais adversas.
Sistemas Microeletromecânicos (MEMS):
Na indústria de microeletrônica, os wafers 3C-N SiC são empregados emDispositivos MEMS, que necessitam de materiais com alta resistência mecânica e estabilidade térmica. Esses dispositivos incluemsensores de pressão,acelerômetros, egiroscópios, que se beneficiam da durabilidade e do desempenho do SiC sob diversas temperaturas e tensões mecânicas.
Optoeletrônica:
Os wafers 3C-N SiC também são usados emLEDs,fotodetectores, e outros dispositivos optoeletrônicos devido à sua transparência óptica e capacidade de lidar com alta potência, fornecendo emissão eficiente de luz e capacidades de detecção.
Em resumo, os wafers de SiC tipo 3C-N são essenciais nas indústrias de semicondutores e microeletrônica, particularmente em aplicações que exigem alto desempenho, durabilidade e eficiência em condições extremas.