Wafers de carburo de silício 3C-N Tipo 5*5 10*10mm polegadas Diâmetro Espessura 350 μm±25 μm

Wafers de carburo de silício 3C-N tipo 5*5 & 10*10 mm de diâmetro de polegada espessura 350 μm±25 μm

Wafers de carburo de silício do tipo 3C-N resumo

Este resumo apresenta as bolhas de tipo 3C-N de Carbono de Silício (SiC), disponíveis em tamanhos de 5x5 mm e 10x10 mm, com espessura de 350 μm ± 25 μm.Estas placas são concebidas para satisfazer as necessidades precisas de aplicações de alto desempenho na optoeletrónicaCom sua condutividade térmica superior, resistência mecânica e propriedades elétricas, as placas SiC 3C-N oferecem maior durabilidade e dissipação de calor,tornando-os ideais para dispositivos que exigem elevada estabilidade térmica e gestão eficiente da energiaAs dimensões e espessuras especificadas garantem a compatibilidade numa ampla gama de aplicações industriais e de investigação avançadas.

Wafers de carburo de silício do tipo 3C-N

Propriedades e gráfico de dados do tipo de wafers de carburo de silício 3C-N

Tipo de material: Carbono de silício 3C-N (SiC)

Esta forma cristalina oferece excelentes propriedades mecânicas e térmicas, adequadas para aplicações de alto desempenho.

Tamanho:

Disponível em dois tamanhos padrão: 5x5mm e 10x10mm.

Espessura:

Espessura: 350 μm ± 25 μm

A espessura controlada com precisão garante a estabilidade mecânica e a compatibilidade com vários requisitos do dispositivo.

Conductividade térmica:

O SiC apresenta uma condutividade térmica superior, permitindo uma dissipação de calor eficiente, tornando-o ideal para aplicações que exigem gerenciamento térmico, como óculos AR e eletrônicos de potência.

Força mecânica:

O SiC tem uma elevada dureza e resistência mecânica, proporcionando durabilidade e resistência ao desgaste e à deformação, essenciais para ambientes exigentes.

Propriedades elétricas:

As placas de SiC possuem alta tensão de quebra elétrica e baixa expansão térmica, que são cruciais para dispositivos de alta potência e alta frequência.

Claridade óptica:

O SiC possui excelente transparência em certos comprimentos de onda ópticos, tornando-o adequado para uso em tecnologias optoeletrônicas e AR.

Alta estabilidade:

A resistência do SiC ao estresse térmico e químico garante a fiabilidade a longo prazo em condições adversas.

Essas propriedades tornam as wafers do tipo SiC 3C-N altamente versáteis para uso em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos avançados, bem como tecnologias de RA de próxima geração.

5*5 & 10*10mm - Não. SiC 晶片产品标准

5*5 & 10*10 mm polegada Diâmetro SiliCon Carburo (SiC)

Notas:

※Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície da bolacha, exceto para a área de exclusão da borda.

Aplicações das bolhas de carburo de silício do tipo 3C-N

As bolhas de carburo de silício (SiC), especificamente do tipo 3C-N, são uma variante de SiC que possui características únicas devido à sua estrutura cristalina cúbica (3C-SiC).Essas placas são usadas principalmente em várias aplicações de alto desempenho e especializadas devido às suas excelentes propriedadesAlgumas das principais aplicações de wafers de SiC tipo 3C-N incluem:

1.Eletrónica de potência

• Dispositivos de alta tensão: As placas de SiC são ideais para a fabricação de dispositivos de energia, como MOSFETs, diodos Schottky e IGBTs. Estes dispositivos são usados em ambientes de alta tensão e alta temperatura,como veículos elétricos (VE), veículos elétricos híbridos (VEH) e sistemas de energia renovável (como inversores solares).
• Conversão de potência eficiente: O SiC permite uma maior eficiência e uma redução das perdas de energia nos sistemas de conversão de potência, como os conversores CC-CC e os motores.

2.Dispositivos de alta frequência

• Aplicações de RF: O 3C-SiC é adequado para aplicações de RF e microondas, incluindo sistemas de radar, comunicações por satélite e tecnologia 5G, devido à sua elevada mobilidade eletrônica.
• Amplificadores de alta frequência: Os dispositivos que operam na faixa de frequências GHz beneficiam da baixa dissipação de energia e da elevada estabilidade térmica do 3C-SiC.

3.Sensores de altas temperaturas e ambientes adversos

• Sensores de temperatura: As wafers de SiC podem ser usadas em dispositivos para ambientes de temperatura extrema, como processos aeroespaciais, automotivos e industriais.
• Sensores de pressão: O 3C-SiC é utilizado em sensores de pressão que devem operar em ambientes extremos, como exploração em águas profundas ou câmaras de alto vácuo.
• Sensores químicos: O 3C-N SiC é quimicamente inerte, tornando-o útil em sensores de gases ou químicos para monitorização em ambientes corrosivos.

4.LEDs e optoeletrónica

• LEDs azuis e UV: O amplo intervalo de banda do 3C-SiC o torna ideal para a fabricação de diodos emissores de luz azul e ultravioleta (LEDs), usados em tecnologias de exibição, armazenamento de dados (Blu-ray) e processos de esterilização.
• Aparelhos fotodetectores: As bolhas de SiC podem ser usadas em fotodetectores ultravioleta (UV) para várias aplicações, incluindo detecção de chamas, monitoramento ambiental e astronomia.

5.Computação Quântica e Pesquisa

• Dispositivos quânticos: O 3C-SiC é explorado na computação quântica para desenvolver spintrônica e outros dispositivos baseados em quantidade devido às suas propriedades de defeito únicas que permitem o armazenamento e processamento de informações quânticas.
• Investigação de materiais: Como o 3C-SiC é um politipo de SiC relativamente menos comum, é usado em pesquisas para explorar suas vantagens potenciais em relação a outros tipos de SiC (como 4H-SiC ou 6H-SiC).

6.Aeronáutica e Defesa

• Eletrónica para ambientes adversos: Os dispositivos SiC são cruciais nas indústrias aeroespacial e de defesa para aplicações como módulos de energia, sistemas de radar e comunicações por satélite, onde as condições extremas e a fiabilidade são fundamentais.
• Eletrónica resistente: A capacidade do SiC de resistir a altos níveis de radiação o torna ideal para uso em missões espaciais e equipamentos militares.

Em resumo, as placas SiC do tipo 3C-N são usadas principalmente em eletrônicos de potência, dispositivos de alta frequência, sensores para ambientes adversos, optoeletrônicos, dispositivos quânticos e aplicações aeroespaciais,onde as suas propriedades únicas, tais como banda larga, estabilidade térmica e elevada mobilidade dos elétrons proporcionam vantagens significativas em relação aos materiais tradicionais à base de silício.

Perguntas e respostas

O que é o carburo de silício 3C?

Carbono de silício 3C (3C-SiC)é um dos politipos de carburo de silício, caracterizado pela sua estrutura cristalina cúbica, distinguindo-o das formas hexagonais mais comuns como 4H-SiC e 6H-SiC.A rede cúbica de 3C-SiC oferece vários benefícios notáveis.

Em primeiro lugar, exposições de 3C-SiCmaior mobilidade de elétrons, tornando-a vantajosa para dispositivos electrónicos de alta frequência e potência, especialmente em aplicações que exigem comutação rápida.bandgapé menor (cerca de 2,36 eV) em comparação com outros politipos de SiC, ainda funciona bem em ambientes de alta tensão e alta potência.

Além disso, o 3C-SiC mantém aAlta condutividade térmicaeresistência mecânicaO carburo de silício é um material muito resistente à corrosiva, característico do carburo de silício, permitindo-lhe operar em condições extremas, tais como ambientes de alta temperatura e de alto stress.transparência óptica, tornando-o adequado para aplicações optoeletrônicas como LEDs e fotodetectores.

Como resultado, o 3C-SiC é amplamente utilizado emEletrónica de potência,Dispositivos de alta frequência,Optoeletrónica, eSensores, em especial em cenários de alta temperatura e alta frequência, onde as suas propriedades únicas oferecem vantagens significativas.