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Wafer 3C-N SiC 4 polegadas de carburo de silício Prime Grade Dummy Grade Alta mobilidade de elétrons RF LED
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2 weeks |
| Payment Terms: | 100%T/T |
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Informação detalhada |
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| Exclusão da borda: | ≤ 50um | Material: | Carbono de silício |
|---|---|---|---|
| Curva/urdidura: | ≤ 50um | A rugosidade da superfície: | ≤1.2nm |
| Planosidade: | Lambda/10 | Grau: | Manequim da pesquisa da produção |
| orientação: | Em-linha central/linha central | Partícula: | Partícula livre/baixa |
| Destacar: | Wafer de carburo de silício de qualidade superior,bolacha do carboneto de silicone 4inch,Wafer de carburo de silício de LED de RF |
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Descrição de produto
Wafer 3C-N SiC 4 polegadas de carburo de silício Prime Grade Dummy Grade Alta mobilidade de elétrons RF LED
Descrição da Wafer 3C-N SiC:
Podemos oferecer wafers de carburo de silício 3C-N de 4 polegadas com substratos de SiC de tipo N.Tem uma estrutura cristalina de carburo de silício onde os átomos de silício e carbono estão dispostos em uma rede cúbica com uma estrutura semelhante a um diamanteTem várias propriedades superiores ao amplamente utilizado 4H-SiC, tais como maior mobilidade de elétrons e velocidade de saturação.e mais fácil de fabricar do que a atual bolacha 4H-SiCÉ excepcionalmente adequado para dispositivos electrónicos de potência.
Características da bolacha 3C-N SiC:
1Ampla distância
Alta tensão de ruptura: as placas SiC 3C-N têm uma ampla faixa (~ 3,0 eV), permitindo uma operação de alta tensão e tornando-as adequadas para eletrônica de potência.
2. Alta condutividade térmica
Eficiência na dissipação de calor: Com uma condutividade térmica de cerca de 3,0 W/cm·K, estas placas podem efetivamente dissipar o calor, permitindo que os dispositivos funcionem em níveis de potência mais altos sem superaquecimento.
3Alta Mobilidade Electrônica
Desempenho aprimorado: A alta mobilidade de elétrons (~ 1000 cm2/V·s) leva a velocidades de comutação mais rápidas, tornando o 3C-N SiC ideal para aplicações de alta frequência.
4Força mecânica
Durabilidade: as wafers 3C-N SiC apresentam excelentes propriedades mecânicas, incluindo alta dureza e resistência ao desgaste, o que aumenta sua confiabilidade em várias aplicações.
5Estabilidade química
Resistência à corrosão: O material é quimicamente estável e resistente à oxidação, tornando-o adequado para ambientes adversos.
6. Correntes de baixa fuga
Eficiência: A baixa corrente de vazamento em dispositivos fabricados a partir de wafers de SiC 3C-N contribui para melhorar a eficiência na eletrônica de potência.
Forma de Wafer 3C-N SiC:
| Grau | Grau de produção | Grau de simulação |
| Diâmetro | 100 mm +/- 0,5 mm | |
| Espessura | 350 um +/- 25 um | |
| Politipo | 3C | |
| Densidade de microtubos (MPD) | 5 cm-2 | 30 cm-2 |
| Resistividade elétrica | 0.0005~0.001 Ohm.cm | 0.001~0.0015 Ohm.cm |
Comparação das propriedades do SiC:
| Imóveis | 4H-SiC monocristal | Cristal único 3C-SiC |
| Parâmetros da rede (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=4.36 |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ABC |
| Densidade (g/cm3) | 3.21 | 3.166 |
| Dureza de Mohs | - Nove.2 | - Nove.2 |
| Coeficiente de expansão térmica (CTE) (/K) | 4-5 x 10-6 | 2.5-3.5 x10-6 |
| Constante dielétrica | c ~ 9.66 | c ~ 9.72 |
| Tipo de doping | Tipo N ou semi-isolação ou tipo P | Tipo N |
| Distância entre as faixas (eV) | 3.23 | 2.4 |
| Velocidade de deriva de saturação (m/s) | 2.0 x 105 | 2.5 x 105 |
| Dimensões da bolacha e do substrato | Wafers: 2, 4 polegadas; substratos menores: 10x10, 20x20 mm, outros tamanhos estão disponíveis e podem ser feitos sob encomenda | |
Foto física da bolacha 3C-N SiC:
Aplicações da Wafer SiC 3C-N:
1Eletrónica de Potência
Dispositivos de alta potência: Usados em MOSFETs e IGBTs de potência devido à sua alta tensão de quebra e condutividade térmica.
Dispositivos de comutação: Ideal para aplicações que exijam uma elevada eficiência, tais como conversores e inversores DC-DC.
2. Dispositivos de RF e de Microondas
Transistores de alta frequência: Utilizados em amplificadores de RF e dispositivos de microondas, beneficiando de alta mobilidade eletrônica.
Radar e sistemas de comunicação: empregados em comunicações por satélite e tecnologia de radar para melhorar o desempenho.
3. Tecnologia LED
LEDs azuis e ultravioleta: o 3C-SiC pode ser utilizado na produção de diodos emissores de luz, em especial para aplicações de luz azul e UV.
4Aplicações a altas temperaturas
Sensores: adequados para sensores de alta temperatura utilizados em aplicações automotivas e industriais.
Aeroespacial: Utilizado em componentes que devem funcionar eficazmente em ambientes extremos.
Imagem de aplicação da bolacha 3C-N SiC:
Embalagem e transporte de Wafer SiC 3C-N:
Personalizado:
Os produtos de cristais de SiC personalizados podem ser feitos para atender aos requisitos e especificações particulares do cliente.
Recomendação do produto:
1.2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Sic Wafer 4H-N/Semi Tipo
2.6 polegadas de Wafer 4H/6H-P