Substrato de SiC Substrato de carburo de silício Substrato 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P grau R grau D grau

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10mm de abstração

O substrato de carburo de silício (SiC) 4H/6H-P, com dimensões de 5×5 mm e 10×10 mm, representa um avanço fundamental nos materiais semicondutores,especialmente para aplicações de alta potência e de alta temperaturaO SiC, um semicondutor de banda larga, apresenta uma condutividade térmica excepcional, uma elevada força de campo elétrico de quebra e propriedades mecânicas robustas.tornando-a uma escolha preferencial para a próxima geração de dispositivos eletrônicos de potência e optoeletrônicosEste estudo explora as técnicas de fabrico empregadas para obter substratos de SiC 4H/6H-P de alta qualidade, abordando desafios comuns como a minimização de defeitos e a uniformidade da wafer.O artigo destaca as aplicações do substrato em dispositivos de energia, dispositivos de RF e outras aplicações de alta frequência, enfatizando o seu potencial para revolucionar a indústria de semicondutores.Os resultados sugerem que estes substratos de SiC desempenharão um papel crucial no desenvolvimento de dispositivos eletrónicos mais eficientes e fiáveis, permitindo avanços no desempenho e na eficiência energética.

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 Propriedades de 10×10mm

O substrato 4H/6H-P SiC (Carbido de Silício), em especial nas dimensões de 5 × 5 mm e 10 × 10 mm,apresenta várias propriedades notáveis que o tornam uma escolha preferida em aplicações de semicondutores de alto desempenho:

1. Ampla banda:A banda larga do SiC (aproximadamente 3,26 eV para 4H e 3,02 eV para 6H) permite a operação a altas temperaturas e tensões, o que é benéfico para a eletrônica de potência.

2. Alta condutividade térmica:O SiC tem excelente condutividade térmica, cerca de 3,7 W/cm·K, o que ajuda na dissipação eficiente de calor, tornando-o adequado para dispositivos de alta potência.

3. Campo elétrico de alta degradação:O SiC pode suportar campos elétricos elevados (até 3 MV/cm), tornando-o ideal para dispositivos de energia que exigem capacidades de manuseio de alta tensão.

4. Resistência mecânica:O SiC é conhecido por sua robustez mecânica, oferecendo alta resistência ao desgaste, o que é crítico para dispositivos que operam em condições extremas.

5. Estabilidade química:O SiC é quimicamente estável, resistente à oxidação e à corrosão, tornando-o adequado para ambientes adversos, incluindo aplicações aeroespaciais e automotivas.

Estas propriedades permitem que os substratos 4H/6H-P SiC sejam utilizados numa ampla gama de aplicações, incluindo transistores de alta potência, dispositivos de RF e optoeletrónica,onde o desempenho e a fiabilidade são cruciais.

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 Imagem de 10×10 mm

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10mm aplicações

O substrato 4H/6H-P SiC (Carbido de Silício), particularmente nos tamanhos de 5 × 5 mm e 10 × 10 mm, é utilizado em várias aplicações de alto desempenho e exigentes em várias indústrias:

1. Eletrónica de Potência:Os substratos de SiC são amplamente utilizados em dispositivos de energia como MOSFETs, IGBTs e diodos Schottky, que são essenciais em veículos elétricos, sistemas de energia renovável e redes de energia.A largura de banda e a alta tensão de ruptura do SiC permitem uma conversão e operação eficientes de energia sob altas tensões e temperaturas.

2. Dispositivos de RF e microondas:O SiC é um excelente material para dispositivos de RF e microondas usados em telecomunicações, sistemas de radar e comunicação por satélite.Sua capacidade de operar em altas frequências e temperaturas com baixa perda de sinal torna-o adequado para amplificadores e interruptores de alta potência.

3. Optoeletrónica:Os substratos de SiC são utilizados em LEDs e diodos a laser, em especial nas faixas de comprimento de onda UV e azul.e monitorização ambiental.

4. Aeronáutica e Automóveis:Devido à sua estabilidade térmica e resistência a ambientes adversos, o SiC é usado em sensores aeroespaciais e automotivos, atuadores e módulos de potência, onde a confiabilidade em condições extremas é crucial.

Essas aplicações destacam a importância dos substratos de SiC 4H/6H-P no avanço das tecnologias que exigem eficiência, durabilidade e operação de alto desempenho.

Perguntas e respostas

O que é 4H em 4H-SiC?

4H-SiC e 6H-SiC representamestruturas de cristal hexagonais, com "H" indicando a simetria hexagonal e os números 4 e 6 as camadas nas suas células unitárias.que é um determinante chave do desempenho de um dispositivo semicondutor.