2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semicondutor

2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semicondutor

Descrição da Wafer SiC:

4H SiC de tipo P: refere-se a uma bolacha de carburo de silício de cristal único com uma estrutura cristalina de 4H que é dopada com impurezas do aceitador, tornando-se um material semicondutor de tipo P. 6H SiC de tipo P:- Sim, também., isto denota uma bolacha de carburo de silício de cristal único com uma estrutura cristalina de 6H que é dopada com impurezas do aceitador, resultando também em material semicondutor de tipo P. 3C-Tipo N SiC:Isto representa uma bolacha de carburo de silício de cristal único com uma estrutura cristalina 3C que é dopada com impurezas doadoras, levando ao comportamento de semicondutores de tipo N.

O Caráter da Wafer SiC:

4H tipo P SiC:
Estrutura cristalina: 4H denota a estrutura cristalina hexagonal do carburo de silício.
Tipo de dopagem: o tipo P indica que o material está dopado com impurezas aceitadoras.
Características:
Alta mobilidade de elétrons.
Adequado para dispositivos eletrónicos de alta potência e alta frequência.
Boa condutividade térmica.
Ideal para aplicações que exijam uma operação a altas temperaturas.
6H tipo P SiC:
Estrutura cristalina: 6H significa a estrutura cristalina hexagonal do carburo de silício.
Tipo de dopagem: dopagem de tipo P com impurezas de aceitador.
Características:
Boa resistência mecânica.
Alta condutividade térmica.
Utilizado em aplicações de alta potência e alta temperatura.
Adequado para eletrónica em ambientes adversos.
3C tipo N SiC:
Estrutura cristalina: 3C refere-se à estrutura cristalina cúbica do carburo de silício.
Tipo de dopagem: O tipo N indica dopagem com impurezas doadoras.
Características:
Material versátil para eletrónica e optoelectrónica.
Boa compatibilidade com a tecnologia de silício.
Adequado para circuitos integrados.
Oferece oportunidades para eletrónica de banda larga.
Estes diferentes tipos de wafers de carburo de silício apresentam características específicas baseadas nas suas estruturas cristalinas e tipos de dopagem.Cada variação é otimizada para aplicações distintas em eletrónica, dispositivos de energia, sensores e outros campos onde as propriedades únicas do carburo de silício, tais como alta condutividade térmica, alta tensão de ruptura e ampla banda, são vantajosas.

A formade Wafer de SiC:

A foto físicade Wafer de SiC:

A aplicaçãode Wafer de SiC:

Estes tipos de SiC têm mais papel na área de III-V, deposição de nitritos, dispositivos optoeletrônicos, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos de alta potência de frequência.

1. 4H SiC de tipo P:
Eletrônica de alta potência: Utilizada em dispositivos eletrônicos de alta potência como diodos de potência, MOSFETs e retificadores de alta voltagem devido à sua alta mobilidade eletrônica e condutividade térmica.
Dispositivos de RF e microondas: adequados para aplicações de radiofrequência (RF) e microondas que exijam uma operação de alta frequência e uma gestão eficiente da energia.
Ambientes de alta temperatura: Ideal para aplicações em ambientes adversos que exigem operação e confiabilidade a altas temperaturas, como sistemas aeroespaciais e automotivos.
2. 6H tipo P SiC:
Eletrônica de Potência: Usada em dispositivos de semicondutores de potência como diodos Schottky, MOSFETs de potência,para aplicações de alta potência com elevada condutividade térmica e requisitos de resistência mecânica.
Eletrônica de alta temperatura: Aplicada em eletrônicos de alta temperatura para indústrias como aeroespacial, defesa e energia, onde a confiabilidade sob condições extremas é crítica.
3.3C Tipo N SiC:
Circuitos integrados: adequado para circuitos integrados e sistemas microeletromecânicos (MEMS) devido à sua compatibilidade com a tecnologia de silício e potencial para eletrônicos de banda larga.
Optoeletrônica: Usada em dispositivos optoeletrônicos, como LEDs, fotodetectores e sensores, onde a estrutura de cristal cúbico oferece vantagens para emissões de luz e aplicações de detecção.
Sensores biomédicos: Aplicados em sensores biomédicos para várias aplicações de detecção devido à sua biocompatibilidade, estabilidade e sensibilidade.

As imagens da aplicaçãode Wafer de SiC:

Personalização:

Os produtos de cristais de SiC personalizados podem ser feitos para atender aos requisitos e especificações particulares do cliente.

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é a diferença entre 4H-SiC e 6H-SiC?
R: Todos os outros politipos de SiC são uma mistura da ligação zinco-blenda e wurtzita.6H-SiC é composto por dois terços de ligações cúbicas e um terço de ligações hexagonais com uma sequência de empilhamento de ABCACB.

2P: Qual é a diferença entre 3C e 4H SiC?

R: Em geral, o 3C-SiC é conhecido como um politipo estável a baixa temperatura, enquanto o 4H e o 6H-SiC são conhecidos como politipos estáveis a alta temperatura, que precisam de uma temperatura relativamente elevada para... ... a rugosidade da superfície e a quantidade de defeitos da camada epitaxial estão correlacionadas com a relação Cl/Si.

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