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Substratos compostos de SiC semi-isolantes Epi pronto 6 polegadas 150 mm para dispositivos optoeletrônicos
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Substratos compostos de SiC semisoladores |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
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| Termos de pagamento: | T/T, T/T |
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Informação detalhada |
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| Diâmetro: | 150 ± 0,2 mm | Polítipo: | 4H-semi |
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| Resistividade: | ≥ 1 E8ohm·cm | Espessura da camada de transferência de SiC: | ≥ 0,4 μm |
| VÁCUO: | ≤ 5ea/wafer (2 mm>D>0,5 mm) | Abrangência frontal: | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| TTV: | ≤5μm | Warp.: | ≤ 35 μm |
| Destacar: | Substratos compostos de SiC de 6 polegadas,Substratos compostos de SiC preparados para Epi,Substratos compostos de SiC de 150 mm |
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Descrição de produto
Substratos compostos de SiC semi-isolantes Epi pronto 6 polegadas 150 mm para dispositivos optoeletrônicos
Resumo dos substratos compostos de SiC semi-isolantes
Os substratos compostos de SiC semi-isolantes, concebidos para dispositivos optoeletrônicos, oferecem um desempenho superior com as suas propriedades excepcionais.conhecido pelas suas excelentes propriedades electrónicas e térmicasCom uma resistividade de ≥ 1 E8 ohm·cm, estes substratos garantem uma corrente de fuga mínima e um ruído electrónico reduzido, crucial para aplicações de alta precisão.
Uma característica fundamental é a espessura da camada de transferência, que é ≥ 0,4 μm, proporcionando uma plataforma robusta para o crescimento da camada epitaxial.com vazio ≤ 5 por wafer para tamanhos compreendidos entre 0 eEsta baixa densidade de defeito garante alta fiabilidade e consistência de desempenho na fabricação do dispositivo.
Estes substratos são particularmente adequados para dispositivos optoeletrônicos de alta potência e alta frequência devido à sua alta tensão de ruptura e condutividade térmica superior.A alta resistência mecânica e estabilidade química do material SiC o tornam ideal para uso em ambientes adversos, garantindo a longevidade e a durabilidade dos dispositivos.
Em geral, estes substratos compostos de SiC semi-isolantes são projetados para atender às exigências rigorosas das aplicações optoeletrônicas modernas,fornecendo uma base fiável para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos e fotônicos avançados.
Especificações e Diagrama EsquemáticoSubstratos compostos de SiC semisoladores
Exposição fotográfica de substratos compostos de SiC semi-isolantes
Aplicação de substratos compostos de SiC semi-isolantes
Os substratos compostos de carburo de silício (SiC) semi-isolantes têm inúmeras aplicações em vários campos de tecnologia avançada e de alto desempenho.Aqui estão algumas áreas-chave em que são particularmente valiosas:
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Eletrônicos de alta frequência:
- Os substratos de SiC são essenciais na fabricação de dispositivos como MESFETs (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors) e HEMTs (High Electron Mobility Transistors),que são utilizados em comunicações de RF (Radio Frequency) e microondasEstes dispositivos beneficiam da elevada condutividade térmica do SiC e do seu amplo intervalo de banda, permitindo uma operação e eficiência de alta potência.
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Eletrónica de potência:
- Os substratos de SiC são cruciais na eletrônica de potência para aplicações como conversores de potência, inversores e acionamentos de motores.Eles permitem o desenvolvimento de dispositivos que podem lidar com voltagens e correntes mais elevadas com maior eficiência e confiabilidade em comparação com dispositivos tradicionais baseados em silício.
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Optoeletrónica:
- O SiC é utilizado como substrato para LEDs (diodos emissores de luz) e fotodetectores.As propriedades do material permitem a criação de LEDs UV (ultravioleta) e azuis com desempenho superior e longevidade.
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Eletrônicos de alta temperatura:
- Devido à sua excelente estabilidade térmica, os substratos de SiC são utilizados em ambientes com altas temperaturas, como as indústrias aeroespacial e automotiva.Dispositivos à base de SiC podem funcionar de forma fiável a temperaturas superiores a 200°C.
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Computação Quântica:
- Os substratos de SiC estão sendo explorados no desenvolvimento de componentes de computação quântica.
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Sensores de ambiente hostil:
- A robustez do SiC torna-o adequado para sensores que operam em ambientes adversos, como a exploração de petróleo e gás, a exploração espacial e o monitoramento de processos industriais.Estes sensores podem suportar temperaturas extremas., pressões e ambientes corrosivos.
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Dispositivos biomédicos:
- No campo biomédico, os substratos de SiC são utilizados para dispositivos implantáveis e biosensores devido à sua biocompatibilidade e estabilidade.Fornecem uma plataforma confiável para aplicações médicas a longo prazo.
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Militar e Defesa:
- A natureza de alto desempenho do SiC o torna ideal para aplicações de defesa, incluindo sistemas de radar, guerra eletrônica e sistemas de comunicação.A capacidade do material para lidar com sinais de alta potência e alta frequência é crucial nessas aplicações.
Aproveitando as propriedades únicas do SiC semi-isolante, incluindo a sua elevada condutividade térmica, grande distância e estabilidade química,Os engenheiros e pesquisadores podem desenvolver dispositivos que atendam aos exigentes requisitos dessas aplicações avançadas.
Perguntas e respostas
P:O que é o SiC semi-isolante?
A:O carburo de silício semi-isolante (SiC) é um tipo de material de carburo de silício que foi projetado para ter alta resistividade elétrica.Esta característica torna-o um excelente substrato para a fabricação de dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potênciaAo contrário do SiC condutor, o SiC semi-isolante minimiza a condução parasitária, reduzindo a interferência e melhorando o desempenho do dispositivo.Este material obtém as suas propriedades de semi-isolação através da introdução de dopantes ou defeitos específicos que compensam os portadores de carga livreA sua condutividade térmica e resistência mecânica tornam-na também adequada para aplicações em ambientes adversos, como a electrónica de potência e as telecomunicações..