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Substrato composto de SiC condutor de tipo N de 6 polegadas para Epitaxy MBE CVD LPE
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Substrato de SiC condutor do tipo N |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Diâmetro: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4H |
|---|---|---|---|
| Resistividade: | 0.015-0.025 ohm ·cm | Espessura da camada: | ≥ 0,4 μm |
| VÁCUO: | ≤ 5ea/wafer (2 mm>D>0,5 mm) | Roughness frontal (Si-face): | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| Paredão, raspadura, rachadura (inspecção visual): | Nenhum | TTV: | ≤3μm |
| Destacar: | Substrato de SiC condutor de tipo N de 6 polegadas,Substrato de SiC condutor do tipo MBE N,Substrato de SiC condutor de tipo N de epitaxia |
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Descrição de produto
Substrato composto de SiC condutor de tipo N de 6 polegadas para Epitaxy MBE CVD LPE
Abstracto de substrato SiC condutor de tipo N
Este substrato SiC condutor de tipo N apresenta um diâmetro de 150 mm com uma precisão de ± 0,2 mm e utiliza o politipo 4H para propriedades elétricas superiores.O substrato apresenta uma faixa de resistividade de 0Inclui uma espessura de camada de transferência robusta de pelo menos 0,4 μm, aumentando a sua integridade estrutural.O controlo de qualidade limita os vazios a ≤ 5 por wafer, com cada vazio medindo entre 0,5 mm e 2 mm de diâmetro. Estas características tornam o substrato SiC ideal para aplicações de alto desempenho em dispositivos de electrónica de potência e semicondutores,fornecer confiabilidade e eficiência.
Especificações e diagrama esquemático para o substrato SiC condutor de tipo N
| Posições | Especificações | Posições | Especificações |
| Diâmetro | 150 ± 0,2 mm |
Roughness frontal (Si-face) |
Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
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Politipo Resistividade |
4H 0.015-0.025 ohm ·cm |
EdgeChip,Cratch,Crack (inspecção visual) TTV |
Nenhum ≤ 3 μm |
| Espessura da camada de transferência | ≥ 0,4 μm | Warp. | ≤ 35 μm |
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Não válido |
≤ 5ea/wafer (2 mm>D>0,5 mm) |
Espessura |
350 ± 25 μm |
Propriedades do substrato de SiC condutor de tipo N
Os substratos de carburo de silício (SiC) condutores do tipo N são amplamente utilizados em várias aplicações eletrônicas e optoeletrônicas devido às suas propriedades únicas.Aqui estão algumas propriedades-chave de substratos condutivos de SiC do tipo N:
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Propriedades elétricas:
- Alta mobilidade de elétrons:O SiC tem uma alta mobilidade eletrônica, o que permite um fluxo de corrente eficiente e dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
- Baixa concentração intrínseca de portadores:O SiC mantém uma baixa concentração intrínseca de portador mesmo a altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações de alta temperatura.
- Alta tensão de ruptura:O SiC pode suportar campos elétricos elevados sem quebrar, permitindo a fabricação de dispositivos de alta tensão.
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Propriedades térmicas:
- Alta condutividade térmica:O SiC possui excelente condutividade térmica, o que ajuda a dissipar o calor de forma eficiente de dispositivos de alta potência.
- Estabilidade térmica:O SiC permanece estável a altas temperaturas, mantendo a sua integridade estrutural e propriedades eletrónicas.
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Propriedades mecânicas:
- Dureza:O SiC é um material muito duro, proporcionando durabilidade e resistência ao desgaste mecânico.
- Inercia química:O SiC é quimicamente inerte e resistente à maioria dos ácidos e bases, o que é benéfico para ambientes operacionais adversos.
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Características do doping:
- Doping controlado do tipo N:O SiC de tipo N é tipicamente dopado com nitrogênio para introduzir elétrons em excesso como portadores de carga.
Fotografia do substrato SiC condutor do tipo N
Perguntas e respostas
P: O que é a epitaxia por SiC?
A:A epitaxia de SiC é o processo de crescimento de uma camada fina e cristalina de carburo de silício (SiC) em um substrato de SiC.onde os precursores gasosos se decompõem a altas temperaturas para formar a camada de SiCA camada epitaxial corresponde à orientação cristalina do substrato e pode ser dopada com precisão e controlada em espessura para alcançar as propriedades elétricas desejadas.Este processo é essencial para a fabricação de dispositivos de SiC de alto desempenho utilizados em eletrônicos de potência, optoeletrónica e aplicações de alta frequência, oferecendo vantagens como alta eficiência, estabilidade térmica e fiabilidade.